【复合晶体管XN421NNPN硅外延平面晶体管单位：mm对于开关/数字电路0.65±0.152.8–0】,IC型号XN421N,XN421N PDF资料,XN421N经销商,ic,电子元器件-51电子网

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复合晶体管

XN421N

NPN硅外延平面晶体管

单位：mm

对于开关/数字电路

0.65±0.15

2.8

–0.3

+0.2

+0.25

1.5

–0.05

6

0.65±0.15

1

0.3

–0.05

0.5

–0.05

2.9

–0.05

1.9±0.1

+0.2

q

q

两个元素合并到一个包中。

（晶体管具有内置电阻）

由一个半减少安装面积和装配成本。

0.95

5

2

0.95

4

3

s

元素的基本型号

q

1.1

–0.1

0.4±0.2

s

绝对最大额定值

(Ta=25C)

参数

符号

V

CBO

V

首席执行官

I

C

P

T

T

j

T

英镑

评级

50

50

100

300

150

-55到+150

单位

V

V

mA

mW

C

C

1 ：收藏家（ Tr1的）

2 ：基地（ TR2）

3 ：发射器（ TR2）

集电极 - 基极电压

等级

集电极到发射极电压

of

元集电极电流

总功耗

总体结温

储存温度

4 ：收藏家（ TR2）

5 ：基地（ Tr1的）

6 ：发射器（ Tr1的）

EIAJ ： SC- 74

迷你型包装（ 6针）

标记符号：

FK

内部连接

6

5

4

Tr1

1

2

3

Tr2

s

电气特性

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

正向电流传输比

集电极到发射极饱和电压

输出电压较高水平

输出电压低的水平

输入阻抗

电阻率

跃迁频率

(Ta=25C)

符号

V

CBO

V

首席执行官

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

h

FE

V

CE （ SAT ）

V

OH

V

OL

R

1

R

1

/R

2

f

T

V

CB

= 10V ，我

E

= -2mA ， F = 200MHz的

条件

I

C

= 10μA ，我

E

= 0

I

C

= 2毫安，我

B

= 0

V

CB

= 50V ，我

E

= 0

V

CE

= 50V ，我

B

= 0

V

EB

= 6V ，我

C

= 0

V

CE

= 10V ，我

C

= 5毫安

I

C

= 10毫安，我

B

= 0.3毫安

V

CC

= 5V, V

B

= 0.5V ，R

L

= 1k

V

CC

= 5V, V

B

= 2.5V ，R

L

= 1k

–30%

4.7

0.1

150

兆赫

4.9

0.2

+30%

80

民

50

50

0.1

0.5

0.2

400

0.25

V

V

V

k

典型值

最大

单位

V

V

A

A

mA

0 0.05

UN221N

×

2元

为0.1 0.3

0.8

0.16

–0.06

+0.2

+0.1

1.45±0.1

s

特点

+0.1

+0.1

1

复合晶体管

P

T

- TA

500

XN421N

总功耗P

T

（ mW）的

400

300

200

100

0

0

40

80

120

160

环境温度Ta （C ）

I

C

— V

CE

160

Ta=25C

140

I

B

=1.0mA

0.9mA

0.8mA

0.7mA

0.6mA

0.5mA

0.4mA

0.3mA

0.2mA

V

CE （ SAT ）

— I

C

10

h

FE

— I

C

I

C

/I

B

=10

480

V

CE

=10V

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

正向电流传输比H

FE

400

Ta=75C

集电极电流I

C

（MA ）

120

100

80

60

40

1

320

25C

240

0.1

25C

Ta=75C

160

–25C

0.1mA

20

0

0

2

4

6

8

10

12

80

–25C

0.01

1

10

100

1000

0

1

10

100

1000

集电极到发射极电压V

CE

(V)

集电极电流I

C

（MA ）

集电极电流I

C

（MA ）

C

ob

— V

CB

6

I

O

— V

IN

f=1MHz

I

E

=0

Ta=25C

10000

V

O

=5V

Ta=25C

100

V

IN

— I

O

V

O

=0.2V

Ta=25C

集电极输出电容C

ob

（PF ）

5

输出电流I

O

(

A

)

4

3

100

输入电压V

IN

(V)

0.6

0.8

1

1.2

1.4

1000

10

1

2

10

0.1

1

0

1

10

100

1

0.4

0.01

0.1

1

10

100

集电极 - 基极电压

V

CB

(V)

输入电压V

IN

(V)

输出电流I

O

（MA ）

2

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