【复合晶体管XN4114PNP硅外延平面晶体管单位：mm对于开关/数字电路0.65±0.1560.95】,IC型号XN4114,XN4114 PDF资料,XN4114经销商,ic,电子元器件-51电子网

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复合晶体管

XN4114

PNP硅外延平面晶体管

单位：mm

对于开关/数字电路

0.65±0.15

6

0.95

+0.2

2.8

–0.3

1.5

–0.05

+0.25

0.65±0.15

1

0.3

–0.05

2.9

–0.05

q

q

两个元素合并到一个包中。

（晶体管具有内置电阻）

由一个半减少安装面积和装配成本。

1.9±0.1

+0.2

5

2

0.95

4

3

s

元素的基本型号

q

1.1

–0.1

0.4±0.2

s

绝对最大额定值

(Ta=25C)

参数

符号

V

CBO

V

首席执行官

I

C

P

T

T

j

T

英镑

评级

–50

–50

–100

300

150

-55到+150

单位

V

V

mA

mW

C

1 ：收藏家（ Tr1的）

2 ：基地（ TR2）

3 ：发射器（ TR2）

集电极 - 基极电压

等级

集电极到发射极电压

of

元集电极电流

总功耗

总体结温

储存温度

4 ：收藏家（ TR2）

5 ：基地（ Tr1的）

6 ：发射器（ Tr1的）

EIAJ ： SC- 74

迷你型包装（ 6针）

标记符号：

BK

内部连接

6

Tr1

1

2

3

C

5

4

Tr2

s

电气特性

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

正向电流传输比

集电极到发射极饱和电压

输出电压较高水平

输出电压低的水平

跃迁频率

输入阻抗

电阻率

(Ta=25C)

符号

V

CBO

V

首席执行官

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

h

FE

V

CE （ SAT ）

V

OH

V

OL

f

T

R

1

R

1

/R

2

条件

I

C

= -10μA ，我

E

= 0

I

C

= -2mA ，我

B

= 0

V

CB

= -50V ，我

E

= 0

V

CE

= -50V ，我

B

= 0

V

EB

= -6V ，我

C

= 0

V

CE

= -10V ，我

C

= -5mA

I

C

= -10mA ，我

B

= - 0.3毫安

V

CC

= –5V, V

B

= - 0.5V ，R

L

= 1k

V

CC

= –5V, V

B

= -2.5V ，R

L

= 1k

V

CB

= -10V ，我

E

= 1mA时， F = 200MHz的

–30%

0.17

80

10

0.21

+30%

0.25

–4.9

– 0.2

80

– 0.25

V

V

V

兆赫

k

民

–50

–50

– 0.1

– 0.5

– 0.2

典型值

最大

单位

V

V

A

A

mA

0 0.05

UN1114

×

2元

为0.1 0.3

0.8

0.16

–0.06

+0.2

+0.1

1.45±0.1

s

特点

0.5

–0.05

+0.1

+0.1

1

复合晶体管

P

T

- TA

500

XN4114

总功耗P

T

（ mW）的

400

300

200

100

0

0

40

80

120

160

环境温度Ta （C ）

I

C

— V

CE

–160

–100

V

CE （ SAT ）

— I

C

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

Ta=25C

I

C

/I

B

=10

400

h

FE

— I

C

V

CE

=–10V

I

B

=–1.0mA

–30

–10

–3

–1

–0.3

–0.1

–0.03

–25C

–0.01

–0.1 –0.3

–1

–3

–10

–30

–100

25C

Ta=75C

集电极电流I

C

（MA ）

–120

–100

–80

–60

–40

–20

0

0

–2

–4

–6

–0.9mA

–0.8mA

–0.7mA

–0.6mA

–0.5mA

–0.4mA

–0.3mA

–0.2mA

–0.1mA

正向电流传输比H

FE

–140

300

Ta=75C

200

25C

–25C

100

–8

–10

–12

0

–1

–3

–10

–30

–100 –300 –1000

集电极到发射极电压V

CE

(V)

集电极电流I

C

（MA ）

集电极电流I

C

（MA ）

C

ob

— V

CB

6

I

O

— V

IN

f=1MHz

I

E

=0

Ta=25C

–10000

–3000

V

O

=–5V

Ta=25C

–1000

–300

V

IN

— I

O

V

O

=–0.2V

Ta=25C

集电极输出电容C

ob

（PF ）

5

输出电流I

O

(

A

)

4

输入电压V

IN

(V)

–1000

–300

–100

–30

–10

–3

–100

–30

–10

–3

–1

–0.3

–0.1

–0.1 –0.3

3

2

1

0

–0.1 –0.3

–1

–3

–10

–30

–100

–1

–0.4

–0.6

–0.8

–1.0

–1.2

–1.4

–1

–3

–10

–30

–100

集电极 - 基极电压

V

CB

(V)

输入电压V

IN

(V)

输出电流I

O

（MA ）

2

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