【复合晶体管XN1507NPN硅外延平面晶体管单位：mm对于高击穿电压和低噪声放大2.8-0.30.6】,IC型号XN1507,XN1507 PDF资料,XN1507经销商,ic,电子元器件-51电子网

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复合晶体管

XN1507

NPN硅外延平面晶体管

单位：mm

对于高击穿电压和低噪声放大

2.8

-0.3

0.65±0.15

+0.2

+0.25

1.5

-0.05

5

0.65±0.15

1

0.95

2.9

-0.05

q

q

两个元素合并到一个包中。

（发射极耦合晶体管）

由一个半减少安装面积和装配成本。

1.9±0.1

+0.2

4

0.95

3

2

0.3

-0.05

0.4±0.2

0.16

-0.06

+0.1

1.1

-0.1

q

2SD814

×

2元

0.8

s

元素的基本型号

+0.2

s

绝对最大额定值

参数

集电极 - 基极电压

额定值集电极到发射极电压

of

发射器基极电压

元素

集电极电流

峰值集电极电流

总功耗

总体结温

储存温度

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CP

P

T

T

j

T

英镑

(Ta=25C)

评级

150

150

5

50

100

300

150

-55到+150

单位

V

V

V

mA

mA

mW

C

C

1 ：收藏家（ Tr1的）

2 ：收藏家（ TR2）

3 ：基地（ TR2）

0-0.1

为0.1 0.3

4 ：发射器

5 ：基地（ Tr1的）

EIAJ ： SC- 74A

迷你型PAKAGE （ 5针）

标记符号：

4O

内部连接

5

4

3

2

Tr1

1

Tr2

s

电气特性

参数

集电极到发射极电压

发射器基极电压

收藏家Cuto FF电流

正向电流传输比

正向电流办理H

FE

比

集电极到发射极饱和电压

跃迁频率

集电极输出电容

*1

(Ta=25C)

符号

V

首席执行官

V

EBO

I

CBO

h

FE

h

FE

（小/大）

*1

V

CE （ SAT ）

f

T

C

ob

条件

I

C

= 100μA ，我

B

= 0

I

E

= 10μA ，我

C

= 0

V

CB

= 100V ，我

E

= 0

V

CE

= 5V ，我

C

= 10毫安

V

CE

= 5V ，我

C

= 10毫安

I

C

= 30mA时我

B

= 3毫安

V

CB

= 10V ，我

E

= -10mA ， F = 200MHz的

V

CB

= 10V ，我

E

= 0中，f = 1MHz的

150

2.3

90

0.5

0.99

1

V

兆赫

pF

民

150

5

1

450

典型值

最大

单位

V

V

A

2个元素之间的比例

+0.1

1.45±0.1

s

特点

1

复合晶体管

P

T

- TA

500

XN1507

I

C

— V

CE

120

Ta=25C

120

V

CE

=10V

100

25C

Ta=75C

80

–25C

I

C

— V

BE

总功耗P

T

（ mW）的

集电极电流I

C

（MA ）

80

300

60

集电极电流I

C

（MA ）

12

400

100

I

B

=2.0mA

1.8mA

1.6mA

1.4mA

1.2mA

1.0mA

0.8mA

0.6mA

0.4mA

60

200

40

0.2mA

20

40

100

20

0

0

40

80

120

160

0

0

2

4

6

8

10

0

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

环境温度Ta （C ）

集电极到发射极电压V

CE

(V)

基极至发射极电压V

BE

(V)

V

CE （ SAT ）

— I

C

100

h

FE

— I

C

I

C

/I

B

=10

600

V

CE

=10V

f

T

— I

E

200

V

CB

=10V

Ta=25C

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

正向电流传输比H

FE

500

过渡频率f

T

（兆赫）

30

10

3

1

0.3

0.1

–25C

0.03

0.01

0.1

160

400

120

300

Ta=75C

25C

80

25C

Ta=75C

200

–25C

100

40

0.3

1

3

10

30

100

0

0.1

0.3

1

3

10

30

100

0

–1

–2 –3 –5

–10

–20 –30 –50

–100

集电极电流I

C

（MA ）

集电极电流I

C

（MA ）

发射极电流I

E

（MA ）

C

ob

— V

CB

5

集电极输出电容C

ob

（PF ）

f=1MHz

I

E

=0

Ta=25C

4

3

2

1

0

1

2

3

5

10

20 30 50

100

集电极基极电压V

CB

(V)

2

复合晶体管

XN1507

NPN硅外延平面晶体管

单位：mm

对于高击穿电压和低噪声放大

2.8

-0.3

0.65±0.15

+0.2

+0.25

1.5

-0.05

5

0.65±0.15

1

0.95

2.9

-0.05

q

q

两个元素合并到一个包中。

（发射极耦合晶体管）

由一个半减少安装面积和装配成本。

1.9±0.1

+0.2

4

0.95

3

2

0.3

-0.05

0.4±0.2

0.16

-0.06

+0.1

1.1

-0.1

q

2SD814

×

2元

0.8

s

元素的基本型号

+0.2

s

绝对最大额定值

参数

集电极 - 基极电压

额定值集电极到发射极电压

of

发射器基极电压

元素

集电极电流

峰值集电极电流

总功耗

总体结温

储存温度

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CP

P

T

T

j

T

英镑

(Ta=25C)

评级

150

150

5

50

100

300

150

-55到+150

单位

V

V

V

mA

mA

mW

C

C

1 ：收藏家（ Tr1的）

2 ：收藏家（ TR2）

3 ：基地（ TR2）

0-0.1

为0.1 0.3

4 ：发射器

5 ：基地（ Tr1的）

EIAJ ： SC- 74A

迷你型PAKAGE （ 5针）

标记符号：

4O

内部连接

5

4

3

2

Tr1

1

Tr2

s

电气特性

参数

集电极到发射极电压

发射器基极电压

收藏家Cuto FF电流

正向电流传输比

正向电流办理H

FE

比

集电极到发射极饱和电压

跃迁频率

集电极输出电容

*1

(Ta=25C)

符号

V

首席执行官

V

EBO

I

CBO

h

FE

h

FE

（小/大）

*1

V

CE （ SAT ）

f

T

C

ob

条件

I

C

= 100μA ，我

B

= 0

I

E

= 10μA ，我

C

= 0

V

CB

= 100V ，我

E

= 0

V

CE

= 5V ，我

C

= 10毫安

V

CE

= 5V ，我

C

= 10毫安

I

C

= 30mA时我

B

= 3毫安

V

CB

= 10V ，我

E

= -10mA ， F = 200MHz的

V

CB

= 10V ，我

E

= 0中，f = 1MHz的

150

2.3

90

0.5

0.99

1

V

兆赫

pF

民

150

5

1

450

典型值

最大

单位

V

V

A

2个元素之间的比例

+0.1

1.45±0.1

s

特点

1

复合晶体管

P

T

- TA

500

XN1507

I

C

— V

CE

120

Ta=25C

120

V

CE

=10V

100

25C

Ta=75C

80

–25C

I

C

— V

BE

总功耗P

T

（ mW）的

集电极电流I

C

（MA ）

80

300

60

集电极电流I

C

（MA ）

12

400

100

I

B

=2.0mA

1.8mA

1.6mA

1.4mA

1.2mA

1.0mA

0.8mA

0.6mA

0.4mA

60

200

40

0.2mA

20

40

100

20

0

0

40

80

120

160

0

0

2

4

6

8

10

0

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

环境温度Ta （C ）

集电极到发射极电压V

CE

(V)

基极至发射极电压V

BE

(V)

V

CE （ SAT ）

— I

C

100

h

FE

— I

C

I

C

/I

B

=10

600

V

CE

=10V

f

T

— I

E

200

V

CB

=10V

Ta=25C

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

正向电流传输比H

FE

500

过渡频率f

T

（兆赫）

30

10

3

1

0.3

0.1

–25C

0.03

0.01

0.1

160

400

120

300

Ta=75C

25C

80

25C

Ta=75C

200

–25C

100

40

0.3

1

3

10

30

100

0

0.1

0.3

1

3

10

30

100

0

–1

–2 –3 –5

–10

–20 –30 –50

–100

集电极电流I

C

（MA ）

集电极电流I

C

（MA ）

发射极电流I

E

（MA ）

C

ob

— V

CB

5

集电极输出电容C

ob

（PF ）

f=1MHz

I

E

=0

Ta=25C

4

3

2

1

0

1

2

3

5

10

20 30 50

100

集电极基极电压V

CB

(V)

2

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