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复合晶体管
XN1216
NPN硅外延平面晶体管
单位：mm
对于开关/数字电路
2.8
-0.3
0.65±0.15
+0.2
+0.25
1.5
-0.05
5
0.65±0.15
1
0.95
2.9
-0.05
q
q
两个元素合并到一个包中。
（发射极耦合晶体管具有内置电阻）
由一个半减少安装面积和装配成本。
1.9±0.1
+0.2
4
0.95
3
2
0.3
-0.05
0.4±0.2
0.16
-0.06
+0.1
1.1
-0.1
q
UN1216
×
2元
0.8
s
元素的基本型号
+0.2
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
等级
集电极到发射极电压
of
元集电极电流
总功耗
总体结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
(Ta=25C)
评级
50
50
100
300
150
-55到+150
单位
V
V
mA
mW
C
C
1 ：收藏家（ Tr1的）
2 ：收藏家（ TR2）
3 ：基地（ TR2）
0-0.1
为0.1 0.3
4 ：发射器
5 ：基地（ Tr1的）
EIAJ ： SC- 74A
迷你型PAKAGE （ 5针）
标记符号：
9N
内部连接
5
4
3
2
Tr1
1
Tr2
s
电气特性
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
正向电流传输比
正向电流办理H
FE
比
集电极到发射极饱和电压
输出电压较高水平
输出电压低的水平
跃迁频率
输入阻抗
*1
(Ta=25C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
h
FE
（小/大）
*1
V
CE （ SAT ）
V
OH
V
OL
f
T
R
1
条件
I
C
= 10μA ，我
E
= 0
I
C
= 2毫安，我
B
= 0
V
CB
= 50V ，我
E
= 0
V
CE
= 50V ，我
B
= 0
V
EB
= 6V ，我
C
= 0
V
CE
= 10V ，我
C
= 5毫安
V
CE
= 10V ，我
C
= 5毫安
I
C
= 10毫安，我
B
= 0.3毫安
V
CC
= 5V, V
B
= 0.5V ，R
L
= 1k
V
CC
= 5V, V
B
= 2.5V ，R
L
= 1k
V
CB
= 10V ，我
E
= -2mA ， F = 200MHz的
–30%
150
4.7
+30%
4.9
0.2
160
0.5
0.99
0.25
V
V
V
兆赫
k
民
50
50
0.1
0.5
0.01
460
典型值
最大
单位
V
V
A
A
mA
2个元素之间的比例
+0.1
1.45±0.1
s
特点
1
复合晶体管
P
T
- TA
500
XN1216
总功耗P
T
（ mW）的
400
300
200
100
0
0
40
80
120
160
环境温度Ta （C ）
I
C
— V
CE
160
V
CE （ SAT ）
— I
C
100
h
FE
— I
C
I
C
/I
B
=10
400
V
CE
=10V
Ta=25C
140
I
B
=1.0mA
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
30
10
3
1
0.3
Ta=75C
0.1
0.03
0.01
0.1
25C
正向电流传输比H
FE
350
Ta=75C
300
250
–25C
200
150
100
50
0
25C
集电极电流I
C
（MA ）
120
100
0.9mA
0.8mA
0.7mA
0.6mA
0.5mA
80
60
40
20
0
0
2
4
6
8
0.4mA
0.3mA
0.2mA
0.1mA
–25C
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
300
1000
10
12
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
C
ob
— V
CB
6
I
O
— V
IN
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
10000
3000
V
O
=5V
Ta=25C
V
IN
— I
O
100
30
V
O
=0.2V
Ta=25C
集电极输出电容C
ob
（PF ）
5
输出电流I
O
(
A
)
4
输入电压V
IN
(V)
1000
300
100
30
10
3
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.1
3
2
1
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.3
1
3
10
30
100
集电极 - 基极电压
V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
2
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