复合晶体管
XN0C301 （ XN1C301 ）
PNP硅外延平面晶体管（ Tr1的）
NPN硅外延平面晶体管（ TR2）
单位：mm
对于一般的放大
2.90
+0.20
–0.05
1.9
±0.1
(0.95) (0.95)
0.16
+0.10
–0.06
1.50
+0.25
–0.05
s
特点
q
q
3
4
5
10
1.1
+0.2
–0.1
q
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
Tr1
发射器基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
Tr2
发射器基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
总功耗
总体结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
T
T
j
T
英镑
(Ta=25C)
评级
–60
–50
–7
–100
–200
60
50
7
100
200
300
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
V
V
V
mA
mA
mW
C
C
1 ：收藏家（ Tr1的）
2 ：收藏家（ TR2）
3 ：基地（ TR2）
4 ：基地（ Tr1的）
发射器（ TR2）
5 ：发射器（ Tr1的）
EIAJ ： SC- 74A
Mini5 -G1封装
标记符号：
4R
内部连接
5
4
3
2
Tr1
1
Tr2
注）括号中的部分数字表示以往的零件号。
0-0.1
2SB709A （ 2SB0709A ） + 2SD601A （ 2SD0601A ）
1.1
+0.3
–0.1
s
元素的基本型号
(0.65)
两个元素合并到一个包中。
（ Tr1的基极连接到Tr2的发射极）。
由一个半减少安装面积和装配成本。
2.8
+0.2
–0.3
2
0.30
+0.10
–0.05
1
0.4
±0.2
5
1
复合晶体管
共同的特征图
P
T
- TA
500
XN0C301
总功耗P
T
（ mW）的
400
300
200
100
0
0
40
80
120
160
环境温度Ta （C ）
Tr1的特性图
I
C
— V
CE
–60
Ta=25C
–50
I
B
= –300A
–50
–60
V
CE
=–5V
Ta=25C
I
C
— I
B
–400
–350
I
B
— V
BE
V
CE
=–5V
Ta=25C
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
–250A
–40
–200A
–30
–40
–150A
–30
–20
–100A
–20
基极电流I
B
(
A
)
–300
–250
–200
–150
–100
–50
–10
–50A
–10
0
0
–2 –4 –6 –8 –10 –12 –14 –16 –18
0
0
–100
–200
–300
–400
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极电流I
B
(
A
)
基极至发射极电压V
BE
(V)
I
C
— V
BE
–240
–10
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
V
CE
=–5V
I
C
/I
B
=10
h
FE
— I
C
600
V
CE
= –10V
–200
25C
Ta=75C
–25C
–3
–1
–0.3
–25C
–0.1
–0.03
–0.01
Ta=75C
25C
正向电流传输比H
FE
500
集电极电流I
C
（MA ）
–160
400
Ta=75C
300
25C
–25C
200
–120
–80
–40
100
–0.003
–0.001
–1
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
0
–1
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
基极至发射极电压V
BE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
3
复合晶体管
XN0C301 （ XN1C301 ）
PNP硅外延平面晶体管（ Tr1的）
NPN硅外延平面晶体管（ TR2）
单位：mm
对于一般的放大
2.90
+0.20
–0.05
1.9
±0.1
(0.95) (0.95)
0.16
+0.10
–0.06
1.50
+0.25
–0.05
s
特点
q
q
3
4
5
10
1.1
+0.2
–0.1
q
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
Tr1
发射器基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
Tr2
发射器基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
总功耗
总体结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
T
T
j
T
英镑
(Ta=25C)
评级
–60
–50
–7
–100
–200
60
50
7
100
200
300
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
V
V
V
mA
mA
mW
C
C
1 ：收藏家（ Tr1的）
2 ：收藏家（ TR2）
3 ：基地（ TR2）
4 ：基地（ Tr1的）
发射器（ TR2）
5 ：发射器（ Tr1的）
EIAJ ： SC- 74A
Mini5 -G1封装
标记符号：
4R
内部连接
5
4
3
2
Tr1
1
Tr2
注）括号中的部分数字表示以往的零件号。
0-0.1
2SB709A （ 2SB0709A ） + 2SD601A （ 2SD0601A ）
1.1
+0.3
–0.1
s
元素的基本型号
(0.65)
两个元素合并到一个包中。
（ Tr1的基极连接到Tr2的发射极）。
由一个半减少安装面积和装配成本。
2.8
+0.2
–0.3
2
0.30
+0.10
–0.05
1
0.4
±0.2
5
1
复合晶体管
共同的特征图
P
T
- TA
500
XN0C301
总功耗P
T
（ mW）的
400
300
200
100
0
0
40
80
120
160
环境温度Ta （C ）
Tr1的特性图
I
C
— V
CE
–60
Ta=25C
–50
I
B
= –300A
–50
–60
V
CE
=–5V
Ta=25C
I
C
— I
B
–400
–350
I
B
— V
BE
V
CE
=–5V
Ta=25C
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
–250A
–40
–200A
–30
–40
–150A
–30
–20
–100A
–20
基极电流I
B
(
A
)
–300
–250
–200
–150
–100
–50
–10
–50A
–10
0
0
–2 –4 –6 –8 –10 –12 –14 –16 –18
0
0
–100
–200
–300
–400
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极电流I
B
(
A
)
基极至发射极电压V
BE
(V)
I
C
— V
BE
–240
–10
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
V
CE
=–5V
I
C
/I
B
=10
h
FE
— I
C
600
V
CE
= –10V
–200
25C
Ta=75C
–25C
–3
–1
–0.3
–25C
–0.1
–0.03
–0.01
Ta=75C
25C
正向电流传输比H
FE
500
集电极电流I
C
（MA ）
–160
400
Ta=75C
300
25C
–25C
200
–120
–80
–40
100
–0.003
–0.001
–1
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
0
–1
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
基极至发射极电压V
BE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
3
QQ：2881677436 复制
