复合晶体管
XN0B301
(XN1B301)
PNP硅外延平面晶体管（ Tr1的）
NPN硅外延平面晶体管（ TR2）
对于一般的放大
2.90
+0.20
–0.05
1.9
±0.1
(0.95) (0.95)
3
4
5
单位：mm
0.16
+0.10
–0.06
1.50
+0.25
–0.05
2.8
+0.2
–0.3
s
q
q
特点
两个元素合并到一个包中。
（ Tr1的发射极连接到Tr2的基极）。
由一个半减少安装面积和装配成本。
2
0.30
+0.10
–0.05
10
1
1.1
+0.2
–0.1
(0.65)
s
元素的基本型号
q
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
Tr1
发射器基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
Tr2
发射器基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
总功耗
总体结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
T
T
j
T
英镑
(Ta=25C)
评级
–60
–50
–7
–100
–200
60
50
7
100
200
300
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
V
V
V
mA
mA
mW
C
C
1 ：收藏家（ Tr1的）
2 ：收藏家（ TR2）
3 ：发射器（ TR2）
4 ：基地（ TR2）
发射器（ Tr1的）
5 ：基地（ Tr1的）
EIAJ ： SC- 74A
Mini5 -G1封装
标记符号：
4Q
内部连接
5
4
3
2
Tr1
1
Tr2
注）括号中的部分数字表示以往的零件号。
0-0.1
2SB709A （ 2SB0709A ） + 2SD601A （ 2SD0601A ）
1.1
+0.3
–0.1
0.4
±0.2
5
1
复合晶体管
共同的特征图
P
T
- TA
500
XN0B301
总功耗P
T
（ mW）的
400
300
200
100
0
0
40
80
120
160
环境温度Ta （C ）
Tr1的特性图
I
C
— V
CE
–60
Ta=25C
–50
I
B
= –300A
–50
–60
V
CE
=–5V
Ta=25C
I
C
— I
B
–400
–350
I
B
— V
BE
V
CE
=–5V
Ta=25C
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
–250A
–40
–200A
–30
–40
–150A
–30
–20
–100A
–20
基极电流I
B
(
A
)
–300
–250
–200
–150
–100
–50
–10
–50A
–10
0
0
–2 –4 –6 –8 –10 –12 –14 –16 –18
0
0
–100
–200
–300
–400
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极电流I
B
(
A
)
基极至发射极电压V
BE
(V)
I
C
— V
BE
–240
–10
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
V
CE
= – 5V
I
C
/I
B
=10
h
FE
— I
C
600
V
CE
= –10V
–200
25C
Ta=75C
–25C
–3
–1
–0.3
–25C
–0.1
–0.03
–0.01
Ta=75C
25C
正向电流传输比H
FE
500
集电极电流I
C
（MA ）
–160
400
Ta=75C
300
25C
–25C
200
–120
–80
–40
100
–0.003
–0.001
–1
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
0
–1
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
基极至发射极电压V
BE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
3
XN0B301
■
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
Tr1
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
集电极 - 发射极截止电流（基地开）
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
（共同的基础，输入开路）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
I
首席执行官
h
FE
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
条件
I
C
= 10 A,
I
E
=
0
I
C
= 2
妈，我
B
=
0
I
E
= 10 A,
I
C
=
0
V
CB
= 20
V，I
E
=
0
V
CE
= 10
V，I
B
=
0
V
CE
= 10
V，I
C
= 2
mA
I
C
= 100
妈，我
B
= 10
mA
V
CB
= 10
V，I
E
=
1毫安，女
=
200兆赫
V
CB
= 10
V，I
E
=
0, f
=
1兆赫
160
0.3
80
2.7
民
60
50
7
0.1
100
460
0.5
典型值
最大
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
pF
注）的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
Tr2
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
集电极 - 发射极截止电流（基地开）
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
（共同的基础，输入开路）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
I
首席执行官
h
FE
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
条件
I
C
=
10
A,
I
E
=
0
I
C
= 2
妈，我
B
=
0
I
E
=
10
A,
I
C
=
0
V
CB
=
20 V，I
E
=
0
V
CE
=
10 V，I
B
=
0
V
CE
=
10 V，I
C
=
2毫安
I
C
= 100
妈，我
B
= 10
mA
V
CB
=
10 V，I
E
= 2
毫安，女
=
200兆赫
V
CB
=
10 V，I
E
=
0, f
=
1兆赫
160
0.1
150
3.5
民
60
50
7
0.1
100
460
0.3
典型值
最大
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
pF
注）的测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法的晶体管。
共同的特征图
P
T
T
a
500
总功耗P
T
（ mW）的
400
300
200
100
0
0
40
80
120
160
环境温度T
a
(
°C
)
2
SJJ00117CED
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
（ 1）出口许可证需要从日本政府（如果有）的主管当局获得的
下"Foreign交易所在这种材料中描述和控制的产品或技术信息
外贸Law"是要出口或带出日本。
（ 2 ）在本材料中描述的技术信息仅限于展示有代表性的特点和
该产品的应用电路的例子。它既不保证不侵犯知识产权
或拥有本公司或第三方，也没有授予任何许可的任何其他权利。
（ 3 ）我们不为权利所因使用该技术的第三方拥有的侵权责任
在本材料中描述的信息。
（4）在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或一般elec-
TRONIC设备（如办公设备，通讯设备，测量仪器及住户
持设备） 。
提前为下列应用程序的信息，请咨询我们的销售人员：
特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备， combus-
化设备，生命支持系统和安全装置），其中出色的质量和可靠性
必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或损害人类
体。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
（ 5 ）在本材料中描述的产品和产品规格如有变更，恕不另行通知
修改和/或改进。在您的设计，采购，或者使用的产品的最后阶段，
因此，要求最先进的最新产品标准提前，以确保最新的规范
系统蒸发散满足您的要求。
（ 6 ）在设计你的装备，顺应保证值，尤其是最大额定的
荷兰国际集团，工作电源电压，以及热辐射特性的范围内。否则，我们不会
对于可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用，考虑到发病的代价
分解和破坏模式，可能发生对半导体产品。在这样的制度措施
作为冗余设计，阻止火灾或防止毛刺的蔓延，建议为了防止
物理损伤，火灾，社会的损害，例如，通过使用产品。
（7 ）在使用的量防潮包装是必需的产品，观察的条件（包括货架寿命
和时间量，让站在密封的物品）约定，当规格表被单独
交换。
（ 8 ）该材料可不能转载或复制全部或部分，未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2003年九月
QQ：2880707522 复制
