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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符X型号页 > 首字符X的型号第170页 > XN05501
复合晶体管
XN05501
(XN5501)
NPN硅外延平面型
单位：mm
对于一般的放大
■
特点
两个元素合并到一个包
由一个半减少安装面积和装配成本的
4
2.90
+0.20
–0.05
1.9
±0.1
(0.95) (0.95)
5
6
0.16
+0.10
–0.06
1.50
+0.25
–0.05
2.8
+0.2
–0.3
3
2
1
0.30
+0.10
–0.05
■
基本型号
2SD0601A （ 2SD601A ）
×
2
0.50
+0.10
–0.05
10
1.1
+0.2
–0.1
0.65
±0.15
■
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极电流
峰值集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
T
T
j
T
英镑
等级
60
50
7
100
200
300
150
55
to
+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
Tr2
1 ：收藏家（ Tr1的）
2 ：发射器（ TR2）
3 ：收藏家（ TR2）
EIAJ ： SC- 74
0-0.1
标记符号： 5L
内部连接
4
5
6
1.1
+0.3
–0.1
4 ：基地（ TR2）
5 ：基地（ Tr1的）
6 ：发射器（ Tr1的）
Mini6 -G1封装
Tr1
3
2
1
■
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
集电极 - 发射极截止电流（基地开）
正向电流传输比
h
FE
比
*
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
I
首席执行官
h
FE
h
FE （小/
大）
条件
I
C
=
10
A,
I
E
=
0
I
C
=
2毫安，我
B
=
0
I
E
=
10
A,
I
C
=
0
V
CB
=
20 V，I
E
=
0
V
CE
=
10 V，I
B
=
0
V
CE
=
10 V，I
C
=
2毫安
V
CE
=
10 V，I
C
=
2毫安
I
C
=
百毫安，我
B
=
10毫安
V
CB
=
10 V，I
E
= 2
毫安，女
=
200兆赫
V
CB
=
10 V，I
E
=
0, f
=
1兆赫
民
60
50
7
典型值
最大
单位
V
V
V
A
A
0.1
100
160
0.50
0.99
0.1
150
3.5
0.3
460
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
（共同的基础，输入开路）
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
兆赫
pF
注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * ： 2个元素之间的比例
注）括号中的部分数字表示以往的零件号。
出版日期： 2003年8月
SJJ00089BED
0.4
±0.2
5
V
1
XN05501
P
T
T
a
500
60
I
C
V
CE
T
a
=
25°C
I
B
=
160
A
I
C
I
B
240
V
CE
=
10 V
T
a
=
25°C
200
总功耗P
T
（ mW）的
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
400
50
140
A
40
120
A
100
A
30
80
A
20
60
A
40
A
10
20
A
160
300
120
200
80
100
40
0
0
40
80
120
160
0
0
0
2
4
6
8
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
环境温度T
a
(
°C
)
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
基极电流I
B
（MA ）
I
B
V
BE
1.2
V
CE
=
10 V
T
a
=
25°C
1.0
240
I
C
V
BE
V
CE
=
10 V
V
CE （ SAT ）
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
10
2
I
C
/ I
B
=
10
200
0.8
集电极电流I
C
（MA ）
基极电流I
B
（MA ）
10
160
25°C
T
a
=
75°C
25°C
0.6
120
1
0.4
80
10
1
25°C
25°C
T
a
=
75°C
0.2
40
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
10
2
10
1
1
10
10
2
基极 - 发射极电压V
BE
(V)
基极 - 发射极电压V
BE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
h
FE
I
C
600
V
CE
=
10 V
300
f
T
I
E
V
CB
=
10 V
T
a
=
25°C
NV
I
C
240
V
CE
=
10 V
G
V
=
80分贝
200功能
=
平
T
a
=
25°C
正向电流传输比H
FE
过渡频率f
T
（兆赫）
500
240
400
T
a
=
75°C
25°C
噪声电压NV （MV ）
160
R
g
=
100 k
180
300
25°C
120
120
200
80
22 k
4.7 k
100
60
40
0
10
1
1
10
10
2
0
10
1
–1
–10
–10
2
0
10
10
2
10
3
集电极电流I
C
（MA ）
发射极电流I
E
（MA ）
集电极电流I
C
(
A
)
2
SJJ00089BED
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
（ 1）出口许可证需要从日本政府主管部门获得的
如果在此材料的任何产品或技术的描述和控制下"Foreign
外汇及外贸Law"是要出口或带出日本。
（ 2 ）在本材料中描述的技术信息仅限于展示代表characteris-
抽搐和产品的应用电路示例。它既不保证不侵权的好知识
识产权权利或本公司或第三方，也不授予任何许可拥有的任何其他权利。
（ 3 ）我们不为权利所产生出使用的第三方拥有的侵权责任
产品或如在本材料中描述的技术。
（4）在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或一般
电子设备（如办公设备，通讯设备，测量仪器
ments和家用电器） 。
提前为下列应用程序的信息，请咨询我们的销售人员：
特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备，
燃烧设备，生命支持系统和安全装置），其中卓越的品质和
可靠性是必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或
对人体的危害。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
（ 5 ）在本材料中描述的产品和产品规格如有变更，恕不
通知进行修改和/或改进。在您的设计，采购，或使用的最后阶段
的产品，因此，要求的最先进的最新产品标准提前，以确保
最新的规格满足您的要求。
（ 6 ）在设计你的装备，符合保障的价值，特别是对马克西 -
妈妈等级，工作电源电压的范围内，和热辐射特性。其它 -
明智的，我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用，考虑到审议
分解，失效模式，可能的发病发生于半导体产品。措施
在系统上，如冗余设计，火势蔓延或预防干扰的
建议为了防止物理损伤，火灾，社会的损害，例如，通过使用
产品。
（7 ）在使用的量防潮包装是必需的产品，观察的条件（包括
保质期的时间，让站在非密封件）同意在规格表后，
单独交流。
（ 8 ）该材料可不能转载或复制全部或部分，未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2002年七月
复合晶体管
XN05501
(XN5501)
NPN硅外延平面晶体管
单位：mm
对于一般的放大
0.65±0.15
+0.2
2.8
–0.3
1.5
–0.05
6
+0.25
0.65±0.15
1
0.95
2.9
–0.05
G
G
两个元素合并到一个包中。
由一个半减少安装面积和装配成本。
1.9±0.1
+0.2
5
2
0.95
4
3
G
2SD0601A(2SD601A)
×
2元
1.1
–0.1
0.4±0.2
I
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
等级
发射器基极电压
of
元集电极电流
峰值集电极电流
总功耗
总体结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
T
T
j
T
英镑
(Ta=25C)
评级
60
50
7
100
200
300
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
C
C
1 ：收藏家（ Tr1的）
2 ：发射器（ TR2）
3 ：收藏家（ TR2）
4 ：基地（ TR2）
5 ：基地（ Tr1的）
6 ：发射器（ Tr1的）
EIAJ ： SC- 74
迷你型包装（ 6针）
标记符号：
5L
内部连接
6
5
4
Tr1
1
2
3
Tr2
I
电气特性
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
收藏家Cuto FF电流
正向电流传输比
正向电流办理H
FE
比
集电极到发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
*1
(Ta=25C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
I
首席执行官
h
FE
h
FE
（小/大）
*1
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
条件
I
C
= 10μA ，我
E
= 0
I
C
= 2毫安，我
B
= 0
I
E
= 10μA ，我
C
= 0
V
CB
= 20V ，我
E
= 0
V
CE
= 10V ，我
B
= 0
V
CE
= 10V ，我
C
= 2毫安
V
CE
= 10V ，我
C
= 2毫安
I
C
= 100mA时我
B
= 10毫安
V
CB
= 10V ，我
E
= -2mA ， F = 200MHz的
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
160
0.5
0.99
0.1
150
3.5
0.3
V
兆赫
pF
民
60
50
7
0.1
100
460
典型值
最大
单位
V
V
V
A
A
2个元素之间的比例
注）括号中的部分数字显示传统的零件编号。
0 0.05
为0.1 0.3
0.8
0.16
–0.06
I
元素的基本型号
+0.2
+0.1
1.45±0.1
I
特点
0.3
–0.05
0.5
–0.05
+0.1
+0.1
1
复合晶体管
P
T
- TA
500
XN05501
I
C
— V
CE
60
Ta=25C
I
B
=160A
1200
V
CE
=10V
Ta=25C
1000
I
B
— V
BE
总功耗P
T
（ mW）的
集电极电流I
C
（MA ）
400
50
140A
40
120A
100A
30
80A
20
60A
40A
10
20A
基极电流I
B
(
A
)
800
300
600
200
400
100
200
0
0
40
80
120
160
0
0
2
4
6
8
10
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
环境温度Ta （C ）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
I
C
— V
BE
240
V
CE
=10V
200
I
C
— I
B
240
V
CE
=10V
Ta=25C
200
100
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
I
C
/I
B
=10
30
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.1
25C
Ta=75C
集电极电流I
C
（MA ）
160
集电极电流I
C
（MA ）
160
120
Ta=75C
80
25C
120
–25C
80
40
40
–25C
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
0
200
400
600
800
1000
0.3
1
3
10
30
100
基极至发射极电压V
BE
(V)
基极电流I
B
(
A
)
集电极电流I
C
（MA ）
h
FE
— I
C
600
V
CE
=10V
300
f
T
— I
E
240
V
CB
=10V
Ta=25C
NV - 我
C
V
CE
=10V
G
V
=80dB
200功能= FLAT
Ta=25C
160
正向电流传输比H
FE
500
过渡频率f
T
（兆赫）
400
Ta=75C
25C
180
噪声电压NV （MV ）
240
300
–25C
120
R
g
=100k
120
200
80
22k
4.7k
100
60
40
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
0
–0.1 –0.3
–1
–3
–10
–30
–100
0
10
20 30 50
100
200 300 500 1000
集电极电流I
C
（MA ）
发射极电流I
E
（MA ）
集电极电流I
C
(
A
)
2
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
（ 1）出口许可证需要从日本Govern-主管部门获得的
换货如果有下这种材料描述和控制的产品或技术
＆ QUOT ;外汇及外国贸易法＆ QUOT ;要导出或带出日本。
（ 2 ）在本材料中描述的技术信息仅限于展示代表character-
istics和产品的应用电路示例。它不构成产业的值得
物业，给予相对权利，或者给予任何许可。
（3）在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或gen-
ERAL电子设备（如办公设备，通讯设备，测量IN-
struments和家用电器） 。
提前为下列应用程序的信息，请咨询我们的销售人员：
特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备，
燃烧设备，生命支持系统和安全装置），其中卓越的品质和
可靠性是必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或
对人体的危害。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
（ 4 ）在这种材料中描述的产品和产品规格如有变更，恕不
通知进行修改和/或改进的原因。在设计的最后阶段，采购
荷兰国际集团，或使用的产品，因此，事先要求的最先进的最新产品标准
确保最新的技术规格满足您的要求。
（ 5 ）在设计你的装备，符合保障的价值，特别是对马克西 -
妈妈等级，操作电源电压和热辐射特性的范围内。其它 -
明智的，我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用，多余的设计建议，
所以，这样的设备可能没有违反，因为功能的有关法律，法规我们
产品。
（ 6 ）使用了该干的包装要求的产品，观察条件（包括保质期
及后拆包待机时间）约定，当规格表被单独更换。
（ 7 ）本资料的任何部分，未经书面许可，不得转载或复制任何手段
从我们公司。
使用数据表之前，请仔细阅读下面的注意事项
A.这些材料的目的是作为参考，以帮助客户松下的选择
半导体产品最适合他们的应用程序。
由于变形或其他原因，本资料中的任何信息，如可用的
产品类型，技术参数等，如有更改，恕不另行通知。
建议客户联系我们的半导体销售办事处，并获得最新信息
在开始之前，精确的技术研究和/或采购活动。
B.松下正在努力不断改进这些材料的质量和可靠性，但
总是有进一步的纠正将被要求在未来的可能性。因此，
松下将不承担任何错误等，可能AP-而引起的任何损失承担任何责任
梨在这种材料。
C.这些材料仅适用于客户的个人使用。
因此，如果没有松下的事先书面同意，任何其他用途，如再现，
销售或分发该材料给第三方，通过互联网或以任何其他方式，是禁止的。
2001年MAR
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XC4013XL-2HT144C
X5043V14IZ-2.7A
XPGWHT-01-0000-00GF5
XB6CA42B
XC6109C15ANR
XC17S10SO20C
XC2V2000-5FF896C
X9511WSIZT1
X356M
XCV812E-7FG900C
X25649S14-1.8
XC6204C49BDL
X28C64PMB-15
XC6204B522DR
XC4002XL-1PQ100I
XRT75R03D
XC6204B281DL
XC2V250-6CS144C
XCS05-3PC84
XC9104D093ML
供货商
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    XN05501
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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