复合晶体管
XN04402
(XN4402)
PNP硅外延平面型
单位：mm
对于一般的放大
■
特点
两个元素合并到一个包
由一个半减少安装面积和装配成本的
4
2.90
+0.20
–0.05
1.9
±0.1
(0.95) (0.95)
5
6
0.16
+0.10
–0.06
1.50
+0.25
–0.05
2.8
+0.2
–0.3
3
2
1
0.30
+0.10
–0.05
■
基本型号
2SB0710 （ 2SB710 ）
×
2
0.50
+0.10
–0.05
10
1.1
+0.2
–0.1
(0.65)
■
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极电流
峰值集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
T
T
j
T
英镑
等级
60
50
5
500
1
300
150
55
to
+150
单位
V
V
V
mA
A
mW
°C
°C
1 ：收藏家（ Tr1的）
2 ：基地（ TR2）
3 ：发射器（ TR2）
EIAJ ： SC- 74
0-0.1
标记符号： OH
内部连接
4
5
6
Tr2
1.1
+0.3
–0.1
4 ：收藏家（ TR2）
5 ：基地（ Tr1的）
6 ：发射器（ Tr1的）
Mini6 -G1封装
Tr1
3
2
1
■
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
正向电流传输比
*
集电极 - 发射极饱和电压
*
基射极饱和电压
*
跃迁频率
集电极输出电容
（共同的基础，输入开路）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
h
FE1
h
FE2
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
C
ob
条件
I
C
= 10 A,
I
E
=
0
I
C
= 2
妈，我
B
=
0
I
E
= 10 A,
I
C
=
0
V
CB
= 20
V，I
E
=
0
V
CE
= 10
V，I
C
= 150
mA
V
CE
= 10
V，I
C
= 500
mA
I
C
= 300
妈，我
B
= 30
mA
I
C
= 300
妈，我
B
= 30
mA
V
CB
= 10
V，I
E
=
50毫安，女
=
200兆赫
V
CB
= 10
V，I
E
=
0, f
=
1兆赫
85
40
0.35
0.60
1.1
200
6
15
1.5
V
V
兆赫
pF
民
60
50
5
0.1
340
典型值
最大
单位
V
V
V
A
注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * ：脉冲测量
注）括号中的部分数字表示以往的零件号。
出版日期： 2004年2月
SJJ00072BED
0.4
±0.2
5
1
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并在此材料中描述的半导体
（ 1）出口许可证需要从日本政府（如果有）的主管当局获得的
下"Foreign交易所在这种材料中描述和控制的产品或技术信息
外贸Law"是要出口或带出日本。
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该产品的应用电路的例子。它既不保证不侵犯知识产权
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在本材料中描述的信息。
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TRONIC设备（如办公设备，通讯设备，测量仪器及住户
持设备） 。
提前为下列应用程序的信息，请咨询我们的销售人员：
特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备， combus-
化设备，生命支持系统和安全装置），其中出色的质量和可靠性
必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或损害人类
体。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
（ 5 ）在本材料中描述的产品和产品规格如有变更，恕不另行通知
修改和/或改进。在您的设计，采购，或者使用的产品的最后阶段，
因此，要求最先进的最新产品标准提前，以确保最新的规范
系统蒸发散满足您的要求。
（ 6 ）在设计你的装备，顺应保证值，尤其是最大额定的
荷兰国际集团，工作电源电压，以及热辐射特性的范围内。否则，我们不会
对于可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用，考虑到发病的代价
分解和破坏模式，可能发生对半导体产品。在这样的制度措施
作为冗余设计，阻止火灾或防止毛刺的蔓延，建议为了防止
物理损伤，火灾，社会的损害，例如，通过使用产品。
（7 ）在使用的量防潮包装是必需的产品，观察的条件（包括货架寿命
和时间量，让站在密封的物品）约定，当规格表被单独
交换。
（ 8 ）该材料可不能转载或复制全部或部分，未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2003年九月
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