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复合晶体管
XN04382
NPN硅外延平面晶体管（ Tr1的）
PNP硅外延平面晶体管（ TR2）
单位：mm
对于开关/数字电路
0.65±0.15
6
2.8
–0.3
+0.2
+0.25
1.5
–0.05
0.65±0.15
1
0.3
–0.05
0.5
–0.05
0.95
特点
2.9
–0.05
q
q
两个元素合并到一个包中。
（晶体管具有内置电阻）
由一个半减少安装面积和装配成本。
1.9±0.1
+0.2
5
2
0.95
4
3
s
元素的基本型号
q
1.1
–0.1
0.4±0.2
s
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
Tr1
集电极到发射极电压
集电极电流
集电极 - 基极电压
Tr2
集电极到发射极电压
集电极电流
总功耗
总体结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
(Ta=25C)
评级
50
50
100
–50
–50
–500
300
150
-55到+150
单位
V
V
mA
V
V
mA
mW
C
1 ：收藏家（ Tr1的）
2 ：基地（ TR2）
3 ：发射器（ TR2）
4 ：收藏家（ TR2）
5 ：基地（ Tr1的）
6 ：发射器（ Tr1的）
EIAJ ： SC- 74
迷你型包装（ 6针）
标记符号：
HL
内部连接
6
5
4
Tr1
1
2
3
C
Tr2
0 0.05
UN1213+UN1121
为0.1 0.3
0.8
0.16
–0.06
+0.2
+0.1
1.45±0.1
s
+0.1
+0.1
1
复合晶体管
XN04382
(Ta=25C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
OH
V
OL
R
1
R
1
/R
2
f
T
V
CB
= 10V ，我
E
= -2mA ， F = 200MHz的
条件
I
C
= 10μA ，我
E
= 0
I
C
= 2毫安，我
B
= 0
V
CB
= 50V ，我
E
= 0
V
CE
= 50V ，我
B
= 0
V
EB
= 6V ，我
C
= 0
V
CE
= 10V ，我
C
= 5毫安
I
C
= 10毫安，我
B
= 0.3毫安
V
CC
= 5V, V
B
= 0.5V ，R
L
= 1k
V
CC
= 5V, V
B
= 3.5V ，R
L
= 1k
–30%
0.8
47
1.0
150
4.9
0.2
+30%
1.2
兆赫
80
0.25
V
V
V
k
民
50
50
0.1
0.5
0.1
典型值
最大
单位
V
V
A
A
mA
s
电气特性
q
Tr1
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
输出电压较高水平
输出电压低的水平
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
q
Tr2
参数
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
OH
V
OL
R
1
R
1
/R
2
f
T
V
CB
= -10V ，我
E
= 50mA时F = 200MHz的*
条件
I
C
= -10μA ，我
E
= 0
I
C
= -2mA ，我
B
= 0
V
CB
= -50V ，我
E
= 0
V
CE
= -50V ，我
B
= 0
V
EB
= -6V ，我
C
= 0
V
CE
= -10V ，我
C
= -100mA *
I
C
= -100mA ，我
B
= - 5毫安
V
CC
= –5V, V
B
= - 0.5V ，R
L
= 500
V
CC
= –5V, V
B
= -3.5V ，R
L
= 500
–30%
0.8
2.2
1.0
200
–4.9
– 0.2
+30%
1.2
兆赫
*脉冲测量
40
– 0.25
V
V
V
k
民
–50
–50
–1
–1
–5
典型值
最大
单位
V
V
A
A
mA
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
正向电流传输比
集电极到发射极饱和电压
输出电压较高水平
输出电压低的水平
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
2
复合晶体管
共同的特征图
P
T
- TA
500
XN04382
总功耗P
T
（ mW）的
400
300
200
100
0
0
40
80
120
160
环境温度Ta （C ）
Tr1的特性图
I
C
— V
CE
160
100
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
I
C
/I
B
=10
400
Ta=25C
h
FE
— I
C
V
CE
=10V
集电极电流I
C
（MA ）
120
100
80
0.9mA
0.8mA
0.7mA
0.6mA
0.5mA
0.4mA
0.3mA
30
10
3
1
0.3
25C
0.1
0.03
0.01
0.1
–25C
Ta=75C
正向电流传输比H
FE
140
I
B
=1.0mA
350
300
250
200
150
100
50
0
Ta=75C
25C
–25C
60
40
20
0
0
2
4
6
8
10
12
0.2mA
0.1mA
0.3
1
3
10
30
100
1
3
10
30
100
300
1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
C
ob
— V
CB
6
I
O
— V
IN
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
10000
3000
V
O
=5V
Ta=25C
100
30
V
IN
— I
O
V
O
=0.2V
Ta=25C
集电极输出电容C
ob
（PF ）
5
输出电流I
O
(
A
)
4
输入电压V
IN
(V)
1000
300
100
30
10
3
10
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.1
3
2
1
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.3
1
3
10
30
100
集电极 - 基极电压
V
CB
(V )
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
3
复合晶体管
Tr2的特性图
I
C
— V
CE
–240
–100
XN04382
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
Ta=25C
I
C
/I
B
=10
400
h
FE
— I
C
V
CE
=–10V
–200
–30
–10
–3
–1
Ta=75C
–0.3
25C
–0.1
–0.03
–0.01
–1
正向电流传输比H
FE
集电极电流I
C
（MA ）
300
Ta=75C
–160
I
B
=–1.0mA
–0.9mA
–0.8mA
–0.7mA
–0.6mA
–0.5mA
–0.4mA
–0.3mA
–120
200
–80
100
25C
–40
–0.2mA
–0.1mA
–25C
–25C
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
0
–1
–3
–10
–30
–100 –300 –1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
C
ob
— V
CB
12
I
O
— V
IN
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
–10000
–3000
V
O
=–5V
Ta=25C
–100
–30
V
IN
— I
O
V
O
=–0.2V
Ta=25C
集电极输出电容C
ob
（PF ）
10
输出电流I
O
(
A
)
8
输入电压V
IN
(V)
–1000
–300
–100
–30
–10
–3
–10
–3
–1
–0.3
–0.1
–0.03
–0.01
–0.1 –0.3
6
4
2
0
–0.1 –0.3
–1
–3
–10
–30
–100
–1
–0.4
–0.6
–0.8
–1.0
–1.2
–1.4
–1
–3
–10
–30
–100
集电极 - 基极电压
V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
4
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