複合トランジスタ
XN04381
(XN4381)
シリコンNPN エピタキシャルプレーナ½(Tr1 部)
シリコンPNPエピタキシャルプレーナ½(Tr2部)
スイッチング用
/
デジタル回路用
■
特長
1
パッケージに
2
素子内蔵(抵抗内蔵トランジスタ)
実装面積とアセンブリコストの半減が可½
4
单位：mm
2.90
+0.20
–0.05
1.9
±0.1
(0.95) (0.95)
5
6
0.16
+0.10
–0.06
1.50
+0.25
–0.05
2.8
+0.2
–0.3
UNR2213 （ UN2213 ）
+
UNR2122 （ UN2122 ）
0.30
+0.10
–0.05
0.50
+0.10
–0.05
10
■
絶対最大定格
T
a
=
25°C
項目
Tr1
コレクタ ベース間電圧
(E
開放時)
コレクタ エミッタ間
電圧(B 開放時)
コレクタ電流
Tr2
コレクタ ベース間電圧
(E
開放時)
コレクタ エミッタ間
電圧(B 開放時)
コレクタ電流
総合
全許容損失
接合温度
保存温度
記号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
定格
50
50
100
50
50
500
300
150
55 +150
単½
V
V
mA
V
V
mA
mW
°C
°C
1.1
+0.2
–0.1
(0.65)
■
基本品種
3
2
1
1 ：收藏家（ Tr1的）
2 ：基地（ TR2）
3 ：发射器（ TR2）
EIAJ ： SC- 74
0-0.1
½名表示記号
： CW
内部接続図
4
Tr2
Tr1
3
2
1
5
6
注) ½名の(
)内は，
従来品番です
発行年月
: 2003年7月
SJJ00068BJD
1.1
+0.3
–0.1
4 ：收藏家（ TR2）
5 ：基地（ Tr1的）
6 ：发射器（ Tr1的）
Mini6 -G1封装
0.4
±0.2
5
1
本資料に記載の技術情報および半導½のご½用にあたってのお願いと注意事項
(1)
本資料に記載の½品および技術で、外½為替及び外½貿易法」
「
に該½するものを輸出する時、
ま
たは、
½外に持ち出す時は、
日本政府の許可が必要です。
本資料に記載の技術情報は½品の代表特性および応用回路例などを示したものであり、
弊社もし
くは第三者の知的財産権その他の権利に対する保証または実½権の許諾を意味するものではあり
ません。
上記に起因する第三者所有の権利にかかわる問題が発生した場合、
½社はその責を負うものでは
ありません。
本資料に記載されている½品は、
標準用途
—
一般電子機器(事務機器、
通信機器、
計測機器、
家電
½品など)に½用されることを意図しております。
特別な品質、
信頼性が要求され、
その故障や誤動½が直接人½を脅かしたり、
人½に危害を及ぼす
恐れのある用途
—
特定用途(航空 宇宙用、
交通機器、
燃焼機器、
生½維持装½、
安全装½など)に
ご½用をお考えのお客様および½社が意図した標準用途以外にご½用をお考えのお客様は、
事前に
弊社営業窓口までご相談願います。
本資料に記載しております½品および½品仕様は、
改良などのために予告なく変更する場合があ
りますのでご了承ください。
したがって、
最終的な設計、
ご購入、
ご½用に際しましては、
事前に最新
の½品規格書または仕様書をお求め願い、
ご確認ください。
設計に際して、
特に最大定格、
動½電源電圧範囲、
放熱特性については保証範囲内でご½用いただ
きますようお願い致します。
保証値を超えてご½用された場合、
その後に発生した機器の欠陥につ
いては弊社として責任を負いません。
また、
保証値内のご½用であっても、
半導½½品について通常予測される故障発生率、
故障モード
をご考慮の上、
弊社½品の動½が原因でご½用機器が人身事故、
火½事故、
社会的な損害などを生じ
させない冗長設計、
延焼対策設計、
誤動½防止設計などのシステム上の対策を講じて頂きますよう
お願い致します。
防湿包装を必要とする½品につきましては、
個々の仕様書取り交わしの折、
取り決めた条件
(保存
期間、
開封後の放½時間など)を守ってご½用ください。
本資料の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに、
転載または複½することを堅くお断り
いたします。
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
2002年七月
QQ：2880707522 复制
