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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符X型号页 > 首字符X的型号第103页 > XN0121M
复合晶体管
XN0121M
(XN121M)
NPN硅外延平面型
单位：mm
对于开关/数字电路
■
特点
两个元素合并到一个包
（发射极耦合晶体管具有内置电阻）
由一个半减少安装面积和装配成本的
3
2.90
+0.20
–0.05
1.9
±0.1
(0.95) (0.95)
4
5
0.16
+0.10
–0.06
1.50
+0.25
–0.05
2.8
+0.2
–0.3
2
0.30
+0.10
–0.05
10
1
■
基本型号
UNR221M （ UN221M ）
×
2
1.1
+0.2
–0.1
(0.65)
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
等级
50
50
100
300
150
55
to
+150
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
1 ：收藏家（ Tr1的）
2 ：收藏家（ TR2）
3 ：基地（ TR2）
EIAJ ： SC- 74A
0-0.1
■
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
4 ：发射器
5 ：基地（ Tr1的）
Mini5 -G1封装
标记符号： EM
内部连接
3
4
5
Tr2
1.1
+0.3
–0.1
Tr1
1
■
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
集电极 - 发射极截止电流（基地开）
发射极 - 基极截止电流（集电极开路）
正向电流传输比
h
FE
比
*
2
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
h
FE （小
/大）
条件
I
C
=
10
A,
I
E
=
0
I
C
=
2毫安，我
B
=
0
V
CB
=
50 V，I
E
=
0
V
CE
=
50 V，I
B
=
0
V
EB
=
6 V，I
C
=
0
V
CE
=
10 V，I
C
=
5毫安
V
CE
=
10 V，I
C
=
5毫安
I
C
=
10毫安，我
B
=
0.3毫安
V
CC
=
5 V, V
B
=
0.5 V ，R
L
=
1 k
V
CC
=
5 V, V
B
=
2.5 V ，R
L
=
1 k
民
50
50
典型值
最大
单位
V
V
A
A
mA
0.1
0.5
0.2
80
0.50
0.99
0.25
4.9
0.2
30%
2.2
0.047
+30%
集电极 - 发射极饱和电压
输出电压高级别
输出电压低级别
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
V
CE （ SAT ）
V
OH
V
OL
R
1
R
1
/ R
2
f
T
V
V
V
k
兆赫
V
CB
=
10 V，I
E
= 2
毫安，女
=
200兆赫
150
注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * ： 2个元素之间的比例
注）括号中的部分数字表示以往的零件号。
出版日期： 2003年6月
SJJ00026BED
0.4
±0.2
5
1
XN0121M
P
T
T
a
500
240
I
C
V
CE
T
a
=
25°C
I
B
=
1.0毫安
0.9毫安
0.8毫安
0.7毫安
0.6毫安
V
CE （ SAT ）
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
10
I
C
/ I
B
=
10
总功耗P
T
（ mW）的
400
200
集电极电流I
C
（MA ）
1
160
300
T
a
=
75°C
0.1
120
200
0.5毫安
0.4毫安
0.3毫安
0.2毫安
25°C
80
25C
0.01
100
40
0.1毫安
0
0
0
40
80
120
160
0
2
4
6
8
10
12
0.001
1
10
100
1 000
环境温度T
a
(
°C
)
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
h
FE
I
C
集电极输出电容
C（ pF）的
（共同的基础，输入开路）
ob
500
C
ob
V
CB
5
f
=
1兆赫
I
E
=
0
T
a
=
25°C
4
10
4
V
CE
=
10 V
I
O
V
IN
V
O
=
5 V
T
a
=
25°C
正向电流传输比H
FE
400
300
T
a
=
75°C
25°C
3
输出电流I
O
(A)
1
10
100
10
3
10
2
200
2
25°C
10
100
1
0
1
10
100
1 000
0
0.1
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
集电极电流I
C
（MA ）
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
V
IN
I
O
100
V
O
=
0.2 V
T
a
=
25°C
输入电压V
IN
(V)
10
1
0.1
0.01
0.1
1
10
100
输出电流I
O
（MA ）
2
SJJ00026BED
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
（ 1）出口许可证需要从日本政府主管部门获得的
如果在此材料的任何产品或技术的描述和控制下"Foreign
外汇及外贸Law"是要出口或带出日本。
（ 2 ）在本材料中描述的技术信息仅限于展示代表characteris-
抽搐和产品的应用电路示例。它既不保证不侵权的好知识
识产权权利或本公司或第三方，也不授予任何许可拥有的任何其他权利。
（ 3 ）我们不为权利所产生出使用的第三方拥有的侵权责任
产品或如在本材料中描述的技术。
（4）在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或一般
电子设备（如办公设备，通讯设备，测量仪器
ments和家用电器） 。
提前为下列应用程序的信息，请咨询我们的销售人员：
特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备，
燃烧设备，生命支持系统和安全装置），其中卓越的品质和
可靠性是必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或
对人体的危害。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
（ 5 ）在本材料中描述的产品和产品规格如有变更，恕不
通知进行修改和/或改进。在您的设计，采购，或使用的最后阶段
的产品，因此，要求的最先进的最新产品标准提前，以确保
最新的规格满足您的要求。
（ 6 ）在设计你的装备，符合保障的价值，特别是对马克西 -
妈妈等级，工作电源电压的范围内，和热辐射特性。其它 -
明智的，我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用，考虑到审议
分解，失效模式，可能的发病发生于半导体产品。措施
在系统上，如冗余设计，火势蔓延或预防干扰的
建议为了防止物理损伤，火灾，社会的损害，例如，通过使用
产品。
（7 ）在使用的量防潮包装是必需的产品，观察的条件（包括
保质期的时间，让站在非密封件）同意在规格表后，
单独交流。
（ 8 ）该材料可不能转载或复制全部或部分，未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2002年七月
复合晶体管
XN0121M
(XN121M)
NPN外延平面晶体管
单位：mm
对于开关/数字电路
2.8
-0.3
0.65±0.15
+0.2
+0.25
1.5
-0.05
5
0.65±0.15
1
0.95
2.9
-0.05
1.9±0.1
+0.2
G
G
两个元素合并到一个包中。
（发射极耦合晶体管具有内置电阻）
由一个半减少安装面积和装配成本。
4
0.95
3
2
0.3
-0.05
0.4±0.2
+0.1
0.16
-0.06
1.1
-0.1
G
UNR221M(UN221M)
×
2元
0.8
I
元素的基本型号
I
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
等级
集电极到发射极电压
of
元集电极电流
总功耗
总体结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
T
T
j
T
英镑
+0.2
(Ta=25C)
评级
50
50
100
300
150
-55到+150
单位
V
V
mA
mW
C
C
1 ：收藏家（ Tr1的）
2 ：收藏家（ TR2）
3 ：基地（ TR2）
0-0.1
为0.1 0.3
4 ：发射器
5 ：基地（ Tr1的）
EIAJ ： SC- 74A
迷你型PAKAGE （ 5针）
标记符号：
EM
内部连接
5
4
3
2
Tr1
1
Tr2
I
电气特性
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
正向电流传输比
正向电流办理H
FE
比
集电极到发射极饱和电压
输出电压较高水平
输出电压低的水平
输入阻抗
电阻率
跃迁频率
(Ta=25C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
h
FE
（小/大）
V
CE （ SAT ）
V
OH
V
OL
R
1
R
1
/R
2
f
T
V
CB
= 10V ，我
E
= -2mA ， F = 200MHz的
条件
I
C
= 10μA ，我
E
= 0
I
C
= 2毫安，我
B
= 0
V
CB
= 50V ，我
E
= 0
V
CE
= 50V ，我
B
= 0
V
EB
= 6V ，我
C
= 0
V
CE
= 10V ，我
C
= 5毫安
V
CE
= 10V ，我
C
= 5毫安
I
C
= 10毫安，我
B
= 0.3毫安
V
CC
= 5V, V
B
= 0.5V ，R
L
= 1k
V
CC
= 5V, V
B
= 2.5V ，R
L
= 1k
–30%
2.2
0.047
150
兆赫
4.9
0.2
+30%
80
0.5
0.99
0.06
0.25
V
V
V
k
民
50
50
0.1
0.5
0.2
典型值
最大
单位
V
V
A
A
mA
注）括号中的部分数字显示传统的零件编号。
+0.1
1.45±0.1
I
特点
1
复合晶体管
P
T
- TA
500
XN0121M
总功耗P
T
（ mW）的
400
300
200
100
0
0
40
80
120
160
环境温度Ta （C ）
I
C
— V
CE
240
10
V
CE （ SAT ）
— I
C
集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
Ta=25C
I
C
/I
B
=10
500
h
FE
— I
C
V
CE
=10V
3
1
0.3
Ta=75C
0.1
0.03
0.01
0.003
0.001
25C
200
集电极电流I
C
（MA ）
I
B
=1.0mA
0.9mA
0.8mA
0.7mA
正向电流传输比H
FE
400
160
0.6mA
0.5mA
0.4mA
0.3mA
0.2mA
300
Ta=75C
25C
200
–25C
120
80
–25C
40
0.1mA
100
0
0
2
4
6
8
10
12
0
1
3
10
30
100
300
1000
1
3
10
30
100
300
1000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
C
ob
— V
CB
5
10
4
I
O
— V
IN
f=1MHz
I
E
=0
Ta=25C
V
O
=5V
Ta=25C
V
IN
— I
O
100
30
V
O
=0.2V
Ta=25C
集电极输出电容C
ob
（PF ）
4
输出电流I
O
(
A
)
输入电压V
IN
(V)
10
3
10
3
1
0.3
0.1
0.03
3
10
2
2
10
1
1
0
0.1
0.3
1
3
10
30
100
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.01
0.1
0.3
1
3
10
30
100
集电极 - 基极电压
V
CB
(V)
输入电压V
IN
(V)
输出电流I
O
（MA ）
2
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
（ 1）出口许可证需要从日本Govern-主管部门获得的
换货如果有下这种材料描述和控制的产品或技术
＆ QUOT ;外汇及外国贸易法＆ QUOT ;要导出或带出日本。
（ 2 ）在本材料中描述的技术信息仅限于展示代表character-
istics和产品的应用电路示例。它不构成产业的值得
物业，给予相对权利，或者给予任何许可。
（3）在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或gen-
ERAL电子设备（如办公设备，通讯设备，测量IN-
struments和家用电器） 。
提前为下列应用程序的信息，请咨询我们的销售人员：
特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备，
燃烧设备，生命支持系统和安全装置），其中卓越的品质和
可靠性是必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或
对人体的危害。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
（ 4 ）在这种材料中描述的产品和产品规格如有变更，恕不
通知进行修改和/或改进的原因。在设计的最后阶段，采购
荷兰国际集团，或使用的产品，因此，事先要求的最先进的最新产品标准
确保最新的技术规格满足您的要求。
（ 5 ）在设计你的装备，符合保障的价值，特别是对马克西 -
妈妈等级，操作电源电压和热辐射特性的范围内。其它 -
明智的，我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用，多余的设计建议，
所以，这样的设备可能没有违反，因为功能的有关法律，法规我们
产品。
（ 6 ）使用了该干的包装要求的产品，观察条件（包括保质期
及后拆包待机时间）约定，当规格表被单独更换。
（ 7 ）本资料的任何部分，未经书面许可，不得转载或复制任何手段
从我们公司。
使用数据表之前，请仔细阅读下面的注意事项
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半导体产品最适合他们的应用程序。
由于变形或其他原因，本资料中的任何信息，如可用的
产品类型，技术参数等，如有更改，恕不另行通知。
建议客户联系我们的半导体销售办事处，并获得最新信息
在开始之前，精确的技术研究和/或采购活动。
B.松下正在努力不断改进这些材料的质量和可靠性，但
总是有进一步的纠正将被要求在未来的可能性。因此，
松下将不承担任何错误等，可能AP-而引起的任何损失承担任何责任
梨在这种材料。
C.这些材料仅适用于客户的个人使用。
因此，如果没有松下的事先书面同意，任何其他用途，如再现，
销售或分发该材料给第三方，通过互联网或以任何其他方式，是禁止的。
2001年MAR
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X20C05P-35
X24325V-2.7
XRD9814
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