XM20C64
64K
XM20C64
高速自动存储
NOVRAM
8K ×8
特点
描述
该XM20C64是高速非易失性RAM模块。
它是由四个Xicor公司X20C16高速
NOVRAMs ，高速解码和去耦
电容器安装在共烧多层陶瓷
基材。该XM20C64配置8K ×8和完全
解码。该模块是一个28引脚DIP符合
工业标准引脚的SRAM 。
该XM20C64完全支持自动存储功能，
RAM中的数据提供无人值守的自动存储
为E体
2
PROM当V
CC
低于自动存储
门槛。
该XM20C64是高度可靠的存储器组件，
支持无限的写入RAM ，最低百万
存储周期和至少100年的数据保存。
高速：吨
AA
= 55ns
没有电池！
低功耗CMOS
自动存储
NOVRAM
- 自动存储RAM数据到E
2
舞会
在电源失效检测
漏极开路自动存储输出引脚
- 提供中断信息或状态信息
-Linkable到系统复位电路
汽车召回
- 自动召回ê
2
PROM数据在
POWER- ON
完全解码模块
整个军用温度范围
— –55
°
C至+ 125
°
C
高可靠性
-Endurance ：100万非易失性存储周期
- 数据保存： 100年
ESD保护
—
≥
2KV所有引脚
此外，在66引脚PUMA封装
工作原理图
2
25
31
23
引脚配置
NE
A0–A10
NE
OE
WE
NE
OE
WE
CE
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE
AS
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/04
I/O3
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
VSS
I / O
30
2
A11
A12
2
3
A0
A1
Y0
Y1
Y2
Y3
CE
1
4
5
6
7
2
25
31
23
25
31
23
NE
OE
WE
CE
A0–A10
I / O
30
NE
OE
WE
CE
A0–A10
I / O
30
2
25
31
23
自动存储
自动存储 NOVRAM是Xicor公司，公司的商标。
Xicor公司，公司1991年， 1995年， 1996年专利待定
3874-1.6 96年6月20日T0 / C2 / D0 NS
3874 FHD F02.1
NE
OE
WE
CE
A0–A10
A0–A10
I / O
30
I/O0–I/O7
3874 FHD F01
1
特性如有变更，恕不另行通知
XM20C64
绝对最大额定值*
高温下偏置.................. -65 ° C至+ 125°C
存储温度....................... -65 ° C至+ 125°C
任何引脚的电压
对于V
SS ............................................
-1V至+ 7V
焊接温度
（焊接， 10秒） .............................. 300℃
* COMMENT
注意，超出上述绝对最大的“上市
“，可能会导致模块永久性损坏。
这是一个额定值只和功能操作
这些模块或高于任何其他条件
在业务部门所标明的本规范是
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响模块的可靠性。
推荐工作条件
温度
军事
分钟。
–55°C
马克斯。
+125°C
3874 PGM T06
电源电压
XM20C64
范围
5V
±10%
3874 PGM T07
直流工作特性
（在推荐工作条件，除非另有规定编）
范围
符号
l
CC1
参数
V
CC
工作电流
分钟。
马克斯。
100
单位
mA
测试条件
NE
=
WE
+ V
IH
,
CE
=
OE
= V
白细胞介素，
地址输入= TTL输入@ F = 20MHz的
所有I / O =打开
所有输入= V
IH ，
所有I / O =打开
所有输入= V
CC
-0.3V所有I / O =打开
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
IN
= V
SS
到V
CC
,
CE
= V
IH
I
CC2
I
SB
I
LI
I
LO
V
IL(1)
V
IH(1)
V
OL
V
OLAS
V
OH
V
CC
工作电流
（自动存储）
V
CC
待机电流
输入漏电流
输出漏电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
自动存储输出
电压
输出高电压
10
1.5
10
10
0.8
V
CC
+ 0.5
0.4
0.4
mA
mA
A
A
V
V
V
V
V
–0.5
2
I
OL
= 5毫安
I
OLAS
= 1毫安
I
OH
= -4mA
3874 PGM T08.2
2.4
上电时序
符号
t
PUR
t
普斯特
参数
电（Ⅴ
CC
分钟）到RAM运行
电（Ⅴ
CC
分钟）来存储操作
马克斯。
500
5
单位
s
ms
3874 PGM T09
电容
T
A
= + 25 ° C，F = 1MHz时， V
CC
= 5V.
符号
C
I/O(2)
C
IN(2)
TEST
输入/输出电容
输入电容
马克斯。
40
24
单位
pF
pF
条件
V
I / O
= 0V
V
IN
= 0V
3874 PGM T10.1
注意事项：
(1) V
IL
分钟。和V
IH
最大。仅供参考，未经测试。
（ 2 ）该参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
4
QQ：2880707522 复制
