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20.0-38.0 GHz的砷化镓MMIC
平衡混频器
2007年2月 - 修订版26 -FEB -07
M1004-BD
特点
基本平衡混频器
8.0分贝变频损耗
25.0 dBm输入三阶截取（ IIP3 ）
35.0分贝LO至RF隔离
100 ％的晶片RF测试
100 ％目视检查，以MIL -STD- 883
方法2010
芯片设备布局
概述
MIMIX宽带的20.0-38.0 GHz的砷化镓MMIC
基本平衡混频器进行了优化，使用
作为升压转换器。该设备具有一个转换损耗
8.0分贝了25.0 dBm的输入三阶截点。
IF和IF混频器输入通过一个外部提供
180度的混合。这MMIC采用MIMIX宽带的
0.15
m
砷化镓PHEMT器件模型技术，并且是
基于电子束光刻，以确保高
重复性和均匀性。该芯片具有表面
钝化保护，并提供一个坚固的部分与
通孔和镀金擦屁股，让无论是
导电环氧树脂或共晶焊料芯片粘接工艺。
这个装置是非常适用于毫米波
点至点收音机， LMDS ， SATCOM和VSAT
应用程序。
XM1004-BD
绝对最大额定值
栅极偏置电压（ VG）
输入功率（ IF引脚）
存储温度（ TSTG ）
工作温度（Ta ）
+0.3 VDC
20.0 dBm的
-65 + 165
O
C
-55到+125
O
C
电气特性（环境温度T = 25
o
C)
参数
频率范围（ RF ）上边带
频率范围（ RF ）下边带
频率范围（ LO ）
频率范围（ IF ）
RF回波损耗（ S11 ）
IF回波损耗（ S22 ）
LO回波损耗（ S33 ）
转换损耗（ S21 ）
LO输入驱动器（P
LO
)
隔离LO / RF
隔离LO / IF
隔离射频/中频
输入三阶截取（ IIP3 ）
栅极偏置电压（ VG1 ）
单位
GHz的
GHz的
GHz的
GHz的
dB
dB
dB
dB
DBM
dB
dB
dB
DBM
VDC
分钟。
20.0
20.0
15.0
DC
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-1.2
典型值。
-
-
-
-
10.0
10.0
10.0
8.0
+12.0
35.0
待定
待定
+25.0
-0.5
马克斯。
38.0
38.0
43.0
3.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
+0.1
第1页5
MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099
电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com
特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。
2007
MIMIX宽带公司
出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
20.0-38.0 GHz的砷化镓MMIC
平衡混频器
2007年2月 - 修订版26 -FEB -07
M1004-BD
混频器测量
XM1004 -BD ：转换增益（dB ）与RF频率（千兆赫）
IF = 1.8 GHz时，若PIN = -10 dBm时， LO = +12 dBm的
0
XM1004 -BD ： LO至RF隔离度（dB ）与LO频率（千兆赫）
LO = +12 dBm时， V G = -0.5 V
0
-2
-4
转换增益（dB ）
LO至RF隔离度（dB ）
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-50
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
-6
-8
-10
-12
-14
-16
-18
-20
RF （千兆赫）
RF在USB
RF在LSB
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
LO （千兆赫）
XM1004 -BD ： IIP3 （ dBm的）与射频USB（ GHz）的
IF = 2 ，每音-13 dBm的千兆赫
30
30
XM1004 -BD ： IIP3 （ dBm的）与射频LSB（ GHz）的
IF = 2 ，每音-13 dBm的千兆赫
25
25
20
20
15
IIP3 （ dBm的）
LO = 9 dBm的
IIP3 （ dBm的）
15
10
10
LO = 9 dBm的
5
LO = 12 dBm的
LO = 15 dBm的
5
LO = 12 dBm的
LO = 15 dBm的
0
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
0
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
RF USB （千兆赫）
RF LSB （千兆赫）
MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099
电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com
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特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。
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MIMIX宽带公司
出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
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平衡混频器
2007年2月 - 修订版26 -FEB -07
M1004-BD
机械制图
2.000
(0.079)
0.316
(0.012)
2
3
1
1.594
(0.063)
1.460
(0.057)
4
0.995
(0.039)
XM1004-BD
0.0
0.0
5
0.316
(0.012)
1.250
(0.049)
（注：工程代号是26BAM0545 ）
单位：毫米（英寸）粘接焊盘尺寸示于接合垫的中心。
厚度： 0.110 +/- 0.010 （ 0.0043 +/- 0.0004 ） ，背面是地面，邦德垫/背面金属：黄金
所有接合焊盘是0.100 X 0.100 （ 0.004 X 0.004 ） 。
接合焊盘的中心大约0.109 （ 0.004 ），从芯片的边缘。
切割公差： +/- 0.005 （ +/- 0.0002 ） 。大约重量： 1.550毫克。
焊盘＃ 1 （ RF ）
焊盘＃ 2 （ IF1 ）
焊盘＃ 3 （ LO ）
焊盘＃ 4 （ VG）
焊盘＃ 5 （ IF2 ）
偏置安排
IF1
2
3
RF
LO
旁路电容
- 参见应用笔记[ 2 ]
1
4
Vg
XM1004-BD
5
IF2
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出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
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M1004-BD
应用笔记[1]偏置
- 如图中接合图，该装置是由偏压VG1 = -0.5V操作。栅极电流
消费是<为1mA。
应用笔记[2]偏置安排
- 每个DC垫（ VG）需要有DC旁路电容（ 100200 pF）的接近
该装置成为可能。附加DC旁路电容（ 0.01 UF）还建议。
应用笔记[3] USB / LSB选择
-
IF1和IF2通过一个180度的混合耦合器，以获得最佳的性能进料。 IF1可以
可单独使用IF2喂终止的50欧姆的易用性。这将导致大约2 dB的衰减中的IP3和
转换增益性能。
最低位
USB
对上边带操作（ USB） ：
与IF1和IF2连接到
直接端口（ 0 ）和耦合端口（ 180° ）
分别如该图所示，
将USB信号将驻留在
隔离端口。输入端口必须是
装载有50欧姆。
IF2
IF1
对于下边带操作（ LSB ） ：
与IF1和IF2连接到
直接端口（ 0 ）和耦合端口（ 180° ）
分别如该图所示，
LSB的信号将驻留在所述输入
端口。隔离端口必须被加载
用50欧姆。
选择USB或LSB的另一种方法：
USB
最低位
在第二阶段合
在第二阶段合
-180
-180
IF2
IF1
IF2
IF1
第4 5
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M1004-BD
搬运和装配信息
注意！
- MIMIX宽带MMIC产品包含砷化镓（GaAs ），这会危害人体和
环境。为安全起见，请遵循以下步骤：
不要摄取。
不要改变这个产品通过焚烧的形式转化为气体，粉末或液体，破碎或化学
处理这些副产品是危险的，如果吸入，食入，或吞食人体。
废弃本产品时，应遵守政府法律和公司章程。该产品必须是
丢弃按照适用的有害废物的程序所指定的方法。
生命支持政策
- MIMIX宽带的产品不得用于生命支持设备或使用的关键部件
系统没有总裁兼总法律顾问MIMIX宽带的明确书面认可。如本文所用： （1 ）寿命
支持设备或系统指：（ a）打算通过外科手术移植到体内，或（b ）支持或维持设备或系统
生命，而其不履行时，按照标示中提供的使用说明正确使用，可以
合理预期造成显著伤害到用户。 （ 2 ）关键部件是在生命支持设备的任何部件或
系统，其不履行可以合理预期造成的生命支持设备或系统故障，或影响其
安全性和有效性。
ESD
- 砷化镓（GaAs ）器件易受静电和机械损伤。死在抗静电提供
容器，应在无尘室条件下被打开，在适当的接地防静电工作站。设备需要
谨慎处理使用正确设计夹头，真空或皮卡，小心，锋利的镊子。
芯片连接
- 从MIMIX宽带砷化镓产品有0.100毫米（ 0.004" ）厚，通过对背部有孔，使
接地至所述电路。微带基片应使尽可能靠近模具成为可能。安装面应
干净，平整。如果使用导电环氧树脂，环氧树脂建议是田中TS3332LD ，模垫DM6030HK或DM6030HK铂治愈的
按照制造商的固化时间在氮气气氛。适用的环氧谨慎，以避免上模的上表面得到任何。
环氧角应在总芯片周边可见。有关更多信息，请参见MIMIX "Epoxy规格
对于裸Die"应用笔记。若共晶的安装是优选的，然后无焊剂的金 - 锡（金锡）预型件，约0.001
2
厚，
放置在模具和固定表面之间应使用。一个贴片机，利用加热夹套，并提供擦洗
建议采取行动以确保总的润湿，以防止空隙形成，在氮气氛。金 - 锡共晶
（80％的Au 20％ Sn）的具有大约280 C的熔点（注：金锗应避免） 。工作站
温度应在310 C +/- 10℃ 。暴露于这些极端的温度应保持在最低限度。夹头应
加热，模具预热，以避免过度的热冲击。空中桥梁和影响力的是避免在关键
放置。
引线键合
- 窗的表面钝化上面键合焊盘被提供以允许引线键合到管芯的键合金
垫。推荐使用引线键合过程使用0.076毫米X 0.013毫米（ 0.003" X 0.0005" ） 99.99 ％的纯金丝带0.5-2 ％
伸长率，以减少RF端口债券电感。黄金0.025毫米（ 0.001" ）直径的楔形或债券球是可以接受的DC偏置
连接。应避免使用铝线。热压粘合建议虽然热超声键合可
可用于提供所述键的超声波含量最小化。粘结力，时间和超声波都是至关重要的参数。债券
应当在管芯在封装或基板上而制成的键合焊盘。所有键应该是尽可能地短。
符合RoHS标准，
- 所有MIMIX产品均符合RoHS标准，除非专门锡铅完成订购。
订购信息
如需订购部件号
XM1004-BD-000V
XM1004-BD-EV1
描述
“V” - 真空释放凝胶帕克什
XM1004 -BD芯片评估模块
MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099
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XCV400-6FG676C
XCS10-4VQ100I
XC3130-4PC84I
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    XM1004-BD
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电话：13910052844（微信同步）
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