0.05-50.0 GHz的砷化镓MMIC
分布式放大器
2007年7月 - 修订版11月-07
D1002-BD
特点
宽带驱动放大器
9.0分贝小信号增益
5.0分贝噪声系数
15.0分贝增益控制
+9.0 dBm的P1dB压缩点
100 ％的晶片RF ， DC和输出功率测试
100 ％目视检查，以MIL -STD- 883
方法2010
芯片设备布局
概述
MIMIX宽带的0.05-50.0 GHz的砷化镓MMIC
分布式放大器具有9.0 dB的小信号增益
随着5.0分贝整个频带的噪声系数。该
器件还包括15.0分贝增益控制和9.0
dBm的P1dB压缩点。这MMIC采用MIMIX
宽带公司的0.15微米的GaAs PHEMT器件模型
技术，并且是基于电子束
光刻技术，以保证高可重复性和均匀性。
该芯片具有表面钝化保护和提供
通孔和黄金坚固的部分与背面
金属化，以允许任一导电环氧树脂或
共晶焊料芯片粘接工艺。此设备是井
适用于微波，毫米波，宽带
军事和光纤的应用程序。
绝对最大额定值
电源电压（ VD）
电源电流（ID）
栅极偏置电压（ VG）
输入功率（Pin ）
存储温度（ TSTG ）
工作温度（Ta ）
通道温度（ TCH）
+10.0 VDC
150毫安
+0.3 VDC
+18 dBm的
-65 + 165
O
C
-55到MTTF表
2
MTTF表
2
（ 2 ）通道温度会影响设备的平均无故障时间。这是
建议保持通道温度低至
可能的最大生命值。
电气特性（环境温度T = 25
o
C)
参数
频率范围（ F）
输入回波损耗（ S11 ）
输出回波损耗（ S22 ）
小信号增益（ S21 ）
增益平坦度（ S21 ）
增益控制
反向隔离（ S12 ）
噪声系数（ NF）
为1 dB压缩输出功率（ P1dB为）
1
漏极偏置电压（VD ）
增益控制偏置（ VG1 ）
栅极偏置电压（ VG2 ）
电源电流（ ID）（ VD = 8.5V ， VG1 = 0.0V ， VG2 = 1.0V典型）
（ 1 ）采用恒定电流测量。
单位
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
VDC
VDC
VDC
mA
分钟。
0.05
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-2.0
-
-
典型值。
-
14.0
14.0
9.0
+/-1.5
15.0
40.0
5.0
+9.0
+8.5
0.0
+1.0
120
马克斯。
50.0
-
-
-
-
-
-
-
-
+9.0
0.1
-
140
MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099
电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com
第1页6
特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。
2007
MIMIX宽带公司
出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
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分布式放大器
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分布式放大器测量
XD1002 -BD VD = 8.5 V n = 120毫安
70设备
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
0.05 2
4
6
8
10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48 50
频率（GHz ）
最大
MEDIAN
意味着
民
最大
0
-10
反向隔离度（dB ）
XD1002 -BD VD = 8.5 V n = 120毫安
70设备
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
0.05 2
4
6
8
10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48 50
频率（GHz ）
MEDIAN
意味着
民
增益（dB ）
XD1002 -BD VD = 8.5 V n = 120毫安
70设备
0
输出回波损耗（dB ）
XD1002 -BD VD = 8.5 V n = 120毫安
70设备
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-5
输入回波损耗（dB ）
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
-45
0.05
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48 50
频率（GHz ）
最大
MEDIAN
意味着
-3sigma
0.05
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48 50
频率（GHz ）
最大
MEDIAN
意味着
民
XD1002 -BD VD = 8.5 V n = 120毫安
30设备
13
12
输出功率的P1dB （ dBm的）
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 38 40 42 44 46 48 50
频率（GHz ）
最大
MEDIAN
意味着
民
MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099
电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com
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他们有义务要符合美国的出口法律。
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分布式放大器测量（续）
Sparams
16
14
12
10
8
6
4
2
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-14
-16
-18
-20
-22
-24
-26
-28
-30
0
5
10
12
11
噪声系数&增益从3个样品; VD = 8.5V ，ID = 120毫安， VG1 = 0V ， VG2 = 1V
噪声系数&增益（dB ）
S22
10
9
8
7
6
5
4
3
2
S21
S11
15
20
25
30 35 40 45
频率（GHz ）
50
55
60
65
70
1
0
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
频率（GHz ）
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机械制图
1.300
(0.051)
0.295
(0.012)
0.695
(0.027)
2
3
4
1.005
(0.040)
0.295
(0.012)
0.0
1
5
0.0
1.360
(0.054)
（注：工程代号是25LN6DA0522 ）
1.950
(0.077)
单位：毫米（英寸）粘接焊盘尺寸示于接合垫的中心。
厚度： 0.110 +/- 0.010 （ 0.0043 +/- 0.0004 ） ，背面是地面，邦德垫/背面金属：黄金
所有的DC接合焊盘是0.100 X 0.100 （ 0.004 X 0.004 ） 。所有RF接合焊盘是0.100 X 0.200 （ 0.004 X 0.008 ）
接合焊盘的中心大约0.109 （ 0.004 ），从芯片的边缘。
切割公差： +/- 0.005 （ +/- 0.0002 ） 。大约重量： 1.417毫克。
焊盘＃ 1 （ RF输入）
焊盘＃ 2 （ VG2 ）
焊盘＃ 3 （ VD）
焊盘＃ 4 （ RF输出）
焊盘＃ 5 （ VG1 ）
偏置安排
Vg2
Vd
旁路电容
- 参见应用笔记[ 2 ]
Vg2
Vd
2
3
4
RF OUT
RF OUT
XD1002-BD
在RF
在RF
1
5
Vg1
Vg1
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应用笔记[1]偏置
- 如图中接合图，该装置是用一个单一的漏极和栅极运行
电压，它也包括一个单独的增益控制电压。最大增益偏差名义上是VD = 8.5V ， VG1 = 0.0V ，
VG2 = 1.0V ，和Id = 120毫安。增益可通过改变VG1进行调整。它建议使用有源偏置，以保持
电流恒定的RF功率和温度而变化;这给出了最可重复的结果。根据不同的
可用的电源电压和功率耗散的限制，偏置电路可以是单个晶体管或低功率
运算放大器，用串联的用于感测电流的漏极供给的低值电阻。的门
pHEMT制被控制，以保持正确的漏极电流，因此漏极电压。所需的典型栅极电压来做到这一点
是0.0V 。典型地，栅极保护用硅二极管，以限制所施加的电压。此外，请务必测序
施加的电压，以确保负栅偏压可施加正的漏极供应之前。
应用笔记[2]偏置安排
- 每个DC垫（ VD和Vg1,2 ）需要有DC旁路电容（ 100200 pF）的作为
靠近器件成为可能。附加DC旁路电容（ 0.01 UF）还建议。
MTTF表（ TBD）
分别计算出这些数字的基础上加速寿命试验资料和热模型分析从制造代工好评。
背板
温度
55度摄氏
75度摄氏
95度摄氏
通道
温度
度摄氏
度摄氏
度摄氏
RTH
平均无故障时间
FITS
C / W
C / W
C / W
E+
E+
E+
E+
E+
E+
偏置条件：
VD = 8.5V ，ID = 120毫安
设备原理图
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