XC9502系列
＆ QUOT ;
2通道DC / DC控制器（升压+降压）
＆ QUOT ;
输入电压范围为0.9V 10.0V
＆ QUOT ;
输出电压外部设定-UP
＆ QUOT ;
开关频率180kHz （ ± 15 ％ ）
升压
80 ％ （典型值）。
降压100 ％
＆ QUOT ;
PWM ， PWM / PFM切换控制
＆ QUOT ;
高效率
升压
85 ％ （ TYP 。 ）
降压92 ％ （典型值）。
＆ QUOT ;
小型MSOP -10封装
＆ QUOT ;
最大占空比
双声道。升压/降压DC / DC控制器IC
三月， 14 2003版。 2
!
应用
#
掌上电脑
#
掌上电脑
#
便携式音频系统
#
各种多功能电源
!
特点
2通道DC / DC控制器
输出1 ：升压型DC / DC控制器
输出2 ：降压型DC / DC控制器
电源电压范围
: 2.0V ~ 10V
输出电压范围
输出1 （升压） ： 1.5V 30.0V
能够自由地设定与0.9V
的基准电压源（ ± 2.0％）
和外部元件。
输出2 （降压） ： 0.9V 6.0V
能够自由地设定与0.9V
的基准电压源（ ± 2.0％）
和外部元件。
振荡频率
输出电流
待机功能
包
软启动时间
输出1
输出2
： 180kHz
±15%
!
概述
在XC9502系列是PWM控制， PWM / PFM自动
切换控制，多功能， 2通道升压和
降压DC / DC控制器IC 。与标准电压的0.9V
供给内部，并利用外部连接的组件，
输出1电压（升压DC / DC控制器）可以设定
内自由至30V的范围为1.5V 。由于输出2（步进
降压DC / DC控制器）具有一个内置的0.9V参考电压
（精度± 2 ％ ） ， 0.9V至6.0V可通过外部设置
组件。用180kHz的频率，的大小
外部组件可以减小。开关频率
对300kHz的& 500kHz的也可以作为定制设计
产品。
的XC9502系列的控制之间可切换
PWM控制和PWM / PFM自动切换控制使用
外部信号。控制开关从PWM到PFM时
当自动切换选择轻载和系
是轻载高效，通过以产量大
电流。
（为300kHz ， 500kHz的定制）
：超过300毫安
(V
IN
=1.8V, V
OUT
=3.3V)
：超过千毫安（ VIN = 3.3V ， VOUT = 1.8V）
： 3.0μA （最大值）
： MSOP - 10
： 10毫秒（内部设定）
!
典型性能特性
XC9502B093A （ 300kHz的， VOUT1 ： 3.3V ， VOUT2 ： 1.8V ）
L1=15H,L2=22H(CDRH5D28),C
L1,
C
L2
=92F(Tantalum)
SD1 ， SD2 ： CMS02 ， Tr1的： XP161A1355P ，TR2 ： XP162A12A6P
效率1,2- EFFI1,2 （％）
噪音很容易与PWM控制由于频率降低
是固定的。该系列提供的控制选择，这样的自由
控制适合于该应用程序可以被选择。软启动
时间在内部设定为10毫秒（输出1 ） ，并提供保护
针对浪涌电流时，电源接通。这也
防止电压过冲。
!
典型应用电路
XC9502B092A输入：
2细胞， VOUT1 ： 3.3V ， VOUT2 ： 1.8V
V
OUT
1:3.3V
SD1
： MA2Q737
L1 ： 22μH
CDRH5D28
TR2 ： P沟道
MOSFET
XP162A12A6P
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
PWM / PFM切换控制
V
OUT1
:3.3V
V
OUT2
:1.8V
PWM控制
V
IN
=2.7V
0.1
1
10
100
1000
输出电流1,2我
OUT1,2
（MA ）
L2 ： 22μH
CDRH5D28
V
OUT
2:1.8V
SD2
： MA2Q737
RFB11
:200k
CL1
： 47μFX2
CFB1
： 62pF
TR2 ：N沟道
MOSFET
： XP161A1355P
VIN
=2.0V
~3.0V
C
IN
:47F
CFB2
： 62pF
RFB21
:220k
CL2
： 47μFX2
1 EXT1 EXT2 / 10
2 VDD
3 FB1
9 GND
FB2 8
V
PW M1
RFB12
:75k
V
NE1
4 PW PW M1 M2 7
5 EN1
EN2 6
V
PW M2
V
NE2
RFB22
:220k
1
XC9502系列
双声道。升压/降压DC / DC控制器IC
!
引脚配置
1 EXT1
2 VDD
3 FB1
4 PWM1
5 EN1
EXT2 10
9 GND
FB2 8
PWM2 7
EN2 6
MSOP-10
（ TOP VIEW ）
!
引脚分配
引脚数
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
引脚名称
转1
V
DD
FB1
PWM1
EN1
EN2
PWM2
FB2
GND
EXT2/
功能
通道1 ：外部晶体管驱动引脚<Connected到N沟道功率MOSFET Gate>
电源电压
通道1 ：输出电压监视器反馈引脚<Threshold值： 0.9V 。输出电压
可通过连接VOUT1和Ground.>之间分割电阻自由设定
通道1 ： PWM / PFM开关引脚<Control输出1 PWM控制时，连接到
V
DD
， PWM / PFM自动切换连接到地面的时候。 >
通道1 ：使能引脚<Connected到地上的时候输出1在待机模式。
连接到VDD时，输出1有效。 EXT1为低电平时处于待机mode.>
通道2 ：使能引脚<Connected到地上的时候输出2处于待机模式。
连接到VDD时，输出2有效。 EXT2 /高时在待机mode.>
通道2 ：PWM / PFM开关引脚<Control 2.输出PWM控制时，连接到
VDD ， PWM / PFM自动切换连接到Ground.>时
通道2 ：输出电压监视器反馈引脚<Threshold值： 0.9V 。输出电压
可通过连接VOUT2和Ground.>之间分割电阻自由设定
地
通道2 ：外部晶体管驱动引脚<Connected到P沟道功率MOSFET Gate>
!
订购信息
XC9502
123456
代号
符号
描述
标准（ 10引脚）
FB电压
0.9V
开关频率
180kHz
300kHz的（自定义）
500kHz的（自定义）
包
压纹带
压纹带
MSOP-10
标准进
反向饲料
1
2
3
4
5
6
B
0
9
2
3
5
A
R
L
2
XC9502系列
!
电气特性
共同特征
参数
电源电压（注1 ）
马克斯。输入电压
输出电压范围
（注3）
符号
VDD
VIN
双声道。升压/降压DC / DC控制器IC
XC9502B092
(FOSC=180kHz)
条件
分钟。
2.0
10.0
0.9
0.9
2.0
0.9
-
-
-
-
-
-
-
153
0.65
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
70
60
50
70
60
60
1.0
180
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
10.0
-
-
VIN
10.0
VIN
160
120
110
160
130
130
3.0
207
-
0.20
0.50
-0.50
0.50
-0.50
0.50
-0.50
Ta=25
O
C
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
A
千赫
V
V
A
A
A
A
A
A
TEST
电路
1
1
1
2
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
VDD
≥
2.0V ， IOUT1 ， 2 = 1毫安
VOUTSET VDD ≠ VOUT1
VIN
≥
0.9V ， IOUT1 ， 2 = 1毫安
VDD=VOUT1
FB1 ，2 = 0V
电源电流1
IDD1
电源电流1-1
IDD1-1
EN1 = 3.0V ， EN2 = 0V ， FB1 = 0V
电源电流1-2
IDD1-2
EN2 = 3.0V ， EN1 = 0V ， FB2 = 0V
电源电流1-3
IDD1-3
FB1 = 0V ， FB2 = 1.0V
FB1 = 1.0V ， FB2 = 0V
IDD1-4
电源电流1-4
电源电流2
IDD2
FB1 ， 2 = 1.0V
待机电流
Istb
同IDD1 ， EN1 = EN2 = 0V
开关频率
FOSC
同IDD1
EN1,2 "High"电压
Venh
FB1,2=0V
EN1,2 "Low"电压
Venl
FB1,2=0V
EN1,2 "High"电流
IENH
EN1,2=3.0V
EN1,2 "Low"电流
IENL
EN1,2 = 0V ， FB1,2 = 3.0V
PWM1,2 "High"电流
IPWMH FB1 ， 2 = 3.0V ， PWM = 3.0V
PWM1,2 "Low"电流
ipwml
FB1 ， 2 = 3.0V ， PWM = 0V
IFBH
FB1 ，2 = 3.0V
FB1,2 "High"电流
FB1,2 "Low"电流
FB1 ， 2 = 1.0V
VFBL
除非另有说明， VDD = 3.0V ， PWM1,2 = 3.0V ， EN1 ， 2 = 3.0V
1输出特性
参数
FB1电压
符号
VFB1
升压控制器
条件
VOUT1
VOUT2
VOUT1
VOUT2
Ta=25
O
C
分钟。
典型值。
马克斯。
0.918
0.9
2.0
0.8
85
0
38
-
20.0
47
30
-
0.20
单位
V
V
V
V
%
%
%
%
mS
V
V
TEST
电路
0.882 0.900
VDD = 3.0V ， VIN = 1.5V ， IOUT1 = 10毫安
使用tr ： 2SD1628 ，
-
-
操作启动电压1
VST1-1 IOUT1 = 1.0毫安， RFB11 = 200kΩ的， RFB12 = 75KΩ
（注2 ）
VDD
≠
VOUT1 ： IOUT1 = 1毫安
-
-
振荡启动电压1
VST2-1 FB1 = 0V
-
-
最大占空比1
MAXDTY1同IDD1
75
80
-
最小占空比比1
MINDTY1同IDD2
-
PFM税比1
PFMDTY1空载， VPWM1 = 0V
22
30
IOUT=130mA
效率1 （注4 ）
EFFI1
-
85
N沟道MOSFET ： XP161A1355P
VOUT1
×
0.95V ， EN1 = 0V → 0.65V
软启动时间1
TSS1
5.0
10.0
28
EXT1 "High"导通电阻REXTBH1 FB1 = 0 ，外部1 = VDD - 0.4V
-
EXT1 "Low"导通电阻
REXTBL1 EN1 = FB2 = 0V ， EXT1 = 0.4V
-
22
0.65
PWM1 "High"电压
VPWMH1空载
-
-
-
PWM1 "Low"电压
VPWML1空载
除非另有说明， VDD = EN1 = PWM1 = 3.0V ， EN2 = PWM2 = GND ， EXT2 = OPEN ， FB2 = OPEN ， VIN = 1.8V
输出特性2
参数
FB2电压
最低工作电压
最大工作比率2
最小占空比比率2
PFM税比率2
符号
VFB2
VINMIN
MAXDTY2
MINDTY2
PFMDTY2
降压控制器
条件
VIN = 3.0V ， IOUT2 = 10毫安
分钟。
0.882
-
100
-
22
典型值。
0.900
-
-
-
30
4
2
1
3
3
3
5
5
5
6
6
5
5
Ta=25
O
C
马克斯。
0.918
2.0
-
0
38
单位
V
V
%
%
%
TEST
电路
同IDD1
同IDD2
无负载， VPWM2 = 0V
IOUT2=250mA
Efficiency2 （注4 ）
EFFI2
-
92
-
%
8
P沟道MOSFET ： XP162A12A6P
VOUT2
×
0.95V ， EN2 = 0V → 0.65V
软启动时间2
8
10.0
TSS2
20.0
mS
5.0
28
47
6
-
EXT2 "High"导通电阻REXTBH2 EN2 = 0 ， EXT2 = VDD - 0.4V
22
30
6
-
EXT2 "Low"导通电阻
REXTBL2 FB2 = 0V ， EXT2 = 0.4V
8
0.65
V
PWM2 "High"电压
-
-
VPWMH2空载
V
8
PWM2 "Low"电压
VPWML2空载
-
-
0.20
除非另有说明， VDD = EN2 = PWM2 = 3.0V ， PWM1 = EN1 = GND ，外部1 = OPEN ， FB1 = OPEN ， VIN = 5.0V
注1 ）虽然IC的升压操作从V开始
DD
0.8V ，输出电压和开关频率被稳定在V
DD
≥
2.0V 。因此，为V
DD
的建议超过2.0V时， V
DD
从V提供
IN
或其他电源。
7
1
3
3
8
2 ）尽管IC的开关操作从V开始
IN
0.9V时， IC的电源引脚（V
DD
）和输出电压监测引脚
（FB1 ）应该被连接到V
OUT1
。从V操作
IN
= 0.9V时，第二信道的（输出2） EN2引脚应设置为芯片
禁用。一旦输出中电压V
OUT1
大于2.0V ， EN2引脚应设置为芯片启动。
3 ）请注意不要超过周边零件的击穿电压水平。
4） EFFI = {[ （输出电压）×（输出电流） ] / [ （输入电压）×（输入电流） ] }×100
4
XC9502系列
!
电气特性
共同特征
参数
电源电压（注1 ）
马克斯。输入电压
输出电压范围
（注3）
符号
VDD
VIN
双声道。升压/降压DC / DC控制器IC
XC9502B093
(FOSC=300kHz)
条件
分钟。
2.0
10.0
0.9
0.9
2.0
0.9
-
-
-
-
-
-
-
255
0.65
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
100
80
60
100
70
70
1.0
300
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
10.0
-
-
VIN
10.0
VIN
190
150
120
190
150
150
3.0
345
-
0.20
0.50
-0.50
0.50
-0.50
0.50
-0.50
Ta=25
O
C
TEST
单位
电路
V
1
V
1
V
1
V
V
2
V
A
3
A
3
A
3
A
3
A
3
A
3
A
3
千赫
3
V
3
V
3
A
3
A
3
A
3
A
3
A
3
A
3
Ta=25
O
C
TEST
单位
电路
V
4
V
V
V
%
%
%
%
mS
V
V
2
1
3
3
3
5
5
5
6
6
5
5
VDD
≥
2.0V ， IOUT1 ， 2 = 1毫安
VOUTSET VDD ≠ VOUT1
VIN
≥
0.9V ， IOUT1 ， 2 = 1毫安
VDD=VOUT1
电源电流1
IDD1
FB1 ，2 = 0V
电源电流1-1
IDD1-1
EN1 = 3.0V ， EN2 = 0V ， FB1 = 0V
电源电流1-2
IDD1-2
EN2 = 3.0V ， EN1 = 0V ， FB2 = 0V
电源电流1-3
IDD1-3
FB1 = 0V ， FB2 = 1.0V
电源电流1-4
IDD1-4
FB1 = 1.0V ， FB2 = 0V
电源电流2
IDD2
FB1 ， 2 = 1.0V
Istb
同IDD1 ， EN1 = EN2 = 0V
待机电流
开关频率
FOSC
同IDD1
EN1,2 "High"电压
Venh
FB1,2=0V
EN1,2 "Low"电压
Venl
FB1,2=0V
IENH
FB1,2=3.0V
EN1,2 "High"电流
IENL
EN1,2 = 0V ， FB1,2 = 3.0V
EN1,2 "Low"电流
PWM1,2 "High"电流
IPWMH FB1 ， 2 = 3.0V ， PWM = 3.0V
PWM1,2 "Low"电流
ipwml
FB1 ， 2 = 3.0V ， PWM = 0V
IFBH
FB1 ，2 = 3.0V
FB1,2 "High"电流
VFBL
FB1 ， 2 = 1.0V
FB1,2 "Low"电流
除非另有说明， VDD = 3.0V ， PWM1,2 = 3.0V ， EN1 ， 2 = 3.0V
1输出特性
参数
FB1电压
符号
VFB1
升压控制器
条件
VOUT1
VOUT2
VOUT1
VOUT2
分钟。
典型值。
马克斯。
0.918
0.9
2.0
0.8
85
0
38
-
20.0
47
30
-
0.20
VDD = 3.0V ， VIN = 1.5V ， IOUT1 = 10毫安
0.882 0.900
使用tr ： 2SD1628 ，
操作启动电压1
-
-
VST1-1 IOUT1 = 1.0毫安， RFB11 = 200kΩ的， RFB12 = 75KΩ
（注2 ）
VDD
≠
VOUT1 ： IOUT1 = 1毫安
-
-
振荡启动电压1
VST2-1 FB1 = 0V
-
-
最大占空比1
MAXDTY1同IDD1
75
80
最小占空比比1
MINDTY1同IDD2
-
-
PFM税比1
PFMDTY1空载， VPWM1 = 0V
22
30
IOUT=130mA
85
效率1 （注4 ）
EFFI1
-
N沟道MOSFET ： XP161A1355P
VOUT1
×
0.95V ， EN1 = 0V → 0.65V
软启动时间1
TSS1
5.0
10.0
28
EXT1 "High"导通电阻REXTBH1 FB1 = 0 ，外部1 = VDD - 0.4V
-
22
EXT1 "Low"导通电阻
REXTBL1 EN1 = FB2 = 0V ， EXT1 = 0.4V
-
PWM1 "High"电压
VPWMH1空载
0.65
-
PWM1 "Low"电压
VPWML1空载
-
-
除非另有说明， VDD = EN1 = PWM1 = 3.0V ， EN2 = PWM2 = GND ， EXT2 = OPEN ， FB2 = OPEN ， VIN = 1.8V
输出特性2
参数
FB2电压
最低工作电压
最大工作比率2
最小占空比比率2
PFM税比率2
符号
VFB2
VINMIN
MAXDTY2
MINDTY2
PFMDTY2
降压控制器
条件
VIN = 3.0V ， IOUT2 = 10毫安
分钟。
0.900
-
100
-
22
典型值。
0.900
-
-
-
30
马克斯。
0.900
2.0
-
0
38
-
20.0
47
30
-
0.20
同IDD1
同IDD2
无负载， VPWM2 = 0V
IOUT2=250mA
Efficiency2
EFFI2
-
92
P沟道MOSFET ： XP162A12A6P
VOUT2
×
0.95V ， EN2 = 0V → 0.65V
软启动时间2
TSS2
5.0
10.0
28
EXT2 "High"导通电阻REXTBH2 EN2 = 0V ， EXT2 = VDD - 0.4V
-
22
EXT2 "Low"导通电阻
REXTBL2 FB2 = 0V ， EXT2 = 0.4V
-
PWM2 "High"电压
VPWMH2空载
0.7
-
PWM2 "Low"电压
VPWML2空载
-
-
除非另有说明， VDD = EN2 = PWM2 = 3.0V ， PWM1 = EN1 = GND ，外部1 = OPEN ， FB1 = OPEN ， VIN = 5.0V
Ta=25
O
C
TEST
单位
电路
V
7
V
1
%
3
%
3
%
8
%
mS
V
V
8
8
6
6
8
8
笔记
1 ）尽管IC的升压操作从V开始
DD
0.8V ，输出电压和开关频率被稳定在V
DD
≥
2.0V 。因此，为V
DD
的建议超过2.0V时， V
DD
从V提供
IN
或其他电源。
2 ）尽管IC的开关操作从V开始
IN
0.9V时， IC的电源引脚（V
DD
）和输出电压监测引脚
（FB1 ）应该被连接到V
OUT1.
从V操作
IN
= 0.9V时，第二信道的（输出2） EN2引脚应设置为芯片
禁用。一旦输出中电压V
OUT1
大于2.0V ， EN2引脚应设置为芯片启动。
3 ）请注意不要超过周边零件的击穿电压水平。
4） EFFI = {[ （输出电压）×（输出电流） ] / [ （输入电压）×（输入电流） ] }×100
5
QQ：2881677436 复制
