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XC7SET86
2输入异或门
版本01 - 2009年9月7日
产品数据表
1.概述
XC7SET86是一个高速硅栅CMOS器件。它提供了一个2输入异或
功能。
2.特点
I
对称的输出阻抗
I
高噪声抗扰度
I
ESD保护:
N
HBM JESD22 - A114E :超过2000 V
N
MM JESD22 - A115 -A :超过200 V
N
CDM JESD22 - C101C :超过1000 V
I
低功耗
I
平衡传输延迟
I
SOT353-1和SOT753封装选项
I
从特定网络版
40 °C
+125
°C
3.订购信息
表1中。
订购信息
温度范围
XC7SET86GW
XC7SET86GV
40 °C
+125
°C
40 °C
+125
°C
名字
TSSOP5
SC-74A
描述
塑料薄小外形封装; 5线索;
体宽1.25毫米
塑料表面贴装封装; 5线索
VERSION
SOT353-1
SOT753
类型编号
恩智浦半导体
XC7SET86
2输入异或门
4.标记
表2中。
标记代码
标识代码
[1]
gH
g86
类型编号
XC7SET86GW
XC7SET86GV
[1]
销1指示符位于该装置的左下角,下面的标记代码。
5.功能图
1
2
B
A
Y
4
1
2
=1
mna039
4
mna038
图1.逻辑符号
图2. IEC逻辑符号
B
Y
A
mna040
图3.逻辑图
6.管脚信息
6.1钢钉
XC7SET86
B
A
1
2
5
V
CC
GND
3
001aak134
4
Y
图4.引脚CON组fi guration SOT353-1和SOT753
XC7SET86_1
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
版本01 - 2009年9月7日
2 11
恩智浦半导体
XC7SET86
2输入异或门
6.2引脚说明
表3中。
符号
B
A
GND
Y
V
CC
引脚说明
1
2
3
4
5
描述
数据输入
数据输入
接地( 0 V )
数据输出
电源电压
7.功能描述
表4 。
功能表
H =高电压电平; L =低电压电平
输入
A
L
L
H
H
B
L
H
L
H
产量
Y
L
H
H
L
8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。电压参考GND(地= 0V)。
符号
V
CC
V
I
I
IK
I
OK
I
O
I
CC
I
GND
T
英镑
P
合计
[1]
[2]
参数
电源电压
输入电压
输入钳位电流
输出钳位电流
输出电流
电源电流
地电流
储存温度
总功耗
条件
0.5
0.5
最大
+7.0
+7.0
-
±20
±25
75
-
+150
250
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
°C
mW
V
I
& LT ;
0.5
V
V
O
& LT ;
0.5
V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5 V
0.5
V < V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5 V
[1]
20
-
-
-
75
65
T
AMB
=
40 °C
+125
°C
[2]
-
如果输入和输出电流额定值是所观察到的输入和输出电压额定值可能被超过。
对于这两种TSSOP5和SC - 74A封装: 87.5以上
°C
P的值
合计
减额线性4.0毫瓦/ K 。
XC7SET86_1
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版本01 - 2009年9月7日
3 11
恩智浦半导体
XC7SET86
2输入异或门
9.推荐工作条件
表6 。
推荐工作条件
电压参考GND(地= 0V)。
符号参数
V
CC
V
I
V
O
T
AMB
ΔT/ ΔV
电源电压
输入电压
输出电压
环境温度
输入过渡上升和下降率
条件
4.5
0
0
40
-
典型值
5.0
-
-
+25
-
最大
5.5
5.5
V
CC
+125
20
单位
V
V
V
°C
NS / V
10.静态特性
表7中。
静态特性
电压参考GND(地= 0V)。
符号参数
V
IH
V
IL
V
OH
高位
输入电压
低电平
输入电压
条件
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
2.0
-
25
°C
典型值
-
-
最大
-
0.8
40 °C
+85
°C 40 °C
+125
°C
单位
2.0
-
最大
-
0.8
2.0
-
最大
-
0.8
V
V
高位
V
I
= V
IH
或V
IL
; V
CC
= 4.5 V
输出电压
I
O
=
50 A
I
O
=
8.0
mA
低电平
V
I
= V
IH
或V
IL
; V
CC
= 4.5 V
输出电压
I
O
= 50
A
I
O
= 8.0毫安
输入漏
当前
V
I
= 5.5 V或GND ;
V
CC
= 0 V至5.5 V
4.4
3.94
-
-
-
-
-
4.5
-
0
-
-
-
-
-
-
0.1
0.36
0.1
1.0
1.35
4.4
3.8
-
-
-
-
-
-
-
0.1
0.44
1.0
10
1.5
4.4
3.70
-
-
-
-
-
-
-
0.1
0.55
2.0
40
1.5
V
V
V
V
A
A
mA
V
OL
I
I
I
CC
I
CC
电源电流V
I
= V
CC
或GND ;我
O
= 0 A;
V
CC
= 5.5 V
另外
每个输入引脚; V
I
= 3.4 V;
电源电流等输入在V
CC
或GND ;
I
O
= 0 ; V
CC
= 5.5 V
输入
电容
C
I
-
1.5
10
-
10
-
10
pF
XC7SET86_1
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4 11
恩智浦半导体
XC7SET86
2输入异或门
11.动态特性
表8 。
动态特性
GND = 0 V.对于波形见
图5中。
测试电路见
图6 。
符号参数
t
pd
传播
延迟
条件
A和B为Y
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
C
L
= 15 pF的
C
L
= 50 pF的
C
PD
动力
每个缓冲区;
耗散
C
L
= 50 pF的; F = 1兆赫;
电容V
I
= GND到V
CC
t
pd
是相同为T
PLH
和T
PHL
.
典型值是在V测量
CC
= 5.0 V.
C
PD
被用于确定所述动态功耗P
D
(W).
P
D
= C
PD
×
V
CC2
×
f
i
+
∑(C
L
×
V
CC2
×
f
o
)其中:
f
i
=以MHz输入频率;
f
o
=以MHz输出频率;
C
L
=以pF输出负载电容;
V
CC
在五=电源电压
[3]
[1]
[2]
25
°C
典型值
最大
40 °C
+85
°C 40 °C
+125
°C
单位
最大
最大
-
-
-
3.5
5.0
11
6.9
7.9
-
1.0
1.0
-
8.0
9.0
-
1.0
1.0
-
9.0
10.5
-
ns
ns
pF
[1]
[2]
[3]
XC7SET86_1
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5 11
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XC7SET86GV
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24+
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60000
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