系列
升压稳压器
NCMOS
低功耗
NSmall
输入输出电压差
： 0.1V @百毫安
NMaximum
输出电流：千毫安
NOutput
电压范围
: 2V~6V
NOutput
电压精度： ± 2 ％
■应用
GPortable
相机和录像机
GBattery
供电设备
GPalmtops
GReference
电压源
3
■概述
该XC62E系列是一组正输出电压稳压器
可以使用外部晶体管提供高达1A的输出电流。低
功耗和高精度是通过CMOS工艺和激光实现
微调技术。
该系列由一个高精度基准电压源，误差
校正电路和短路保护输出驱动器。
在待机模式下，电源电流可以大幅削减。自从
小的输入输出电压差是失控的效率还是不错的。
该XC62E特别适合用于电池供电的便携式
产品，产品的地方供应的电流调节是必需的。
该系列有超小型SOT- 25封装。
在从负逻辑与CE连接功能，除了
XC62EP系列，正逻辑XC62ER系列（自定义）也
可用。
■特点
超小的输入输出电压差
： 100mA的输出电流为
可用0.1V的差分。
（性能依赖于
外部晶体管的特性。 ）
最大输出电流
：千毫安
输出电压范围
： 2V 6V的0.1V递增
高精度
：设置向上电压± 2％
低功耗
： Typ.50μA （V
OUT
=5.0V)
： Typ.0.2μA （待机）
输出电压的温度特性
：典型值± 100ppm的/ ℃。
INPUT稳定性
： Typ.0.1 ％ / V
超小型封装
： SOT- 25小型模具
■典型应用电路
PNP Tr的
■典型性能
特征
XC62EP3302
（3.3V）
1.0
（钽）
C
L
＝10F
R
BE
输入/输出的Diff ： VDIF
（V）
R
B
EXT
C
IN
（钽）
V
IN
V
OUT
C
L
（钽）
0.8
0.6
Topr＝25℃
0.4
0.2
30℃
0.0
0
200
400
600
800
1000
80℃
V
IN
R
Ｌ
P
CE
VSS
输出电流：我
OUT
毫安）
（
347
XC62E
系列
.Electrical特点
XC62EP3002
V
OUT
(T)=3.0V
(Note1)
参数
输出电压
最大输出电流*
负载稳定度*
输入OutputVoltage
迪FF erential
(Note3)
供应当前1
供应电流2
输入稳定性*
输入电压
输出电压
温度特性*
EXT输出电压
EXT泄漏电流
CE "High"电平电压
CE "Low"电平电压
CE "High"级电流
CE "Low"级电流
符号
V
OUT
(E)
(Note2)
I
OUT
马克斯。
V
OUT
VDIF
I
SS
1
I
SS
2
V
OUT
V
IN =
V
OUT
V
IN
V
OUT
T
OPR ×
V
OUT
V
EXT
I
泄漏
V
CEH
V
CEL
I
CEH
I
CEL
V
CE
=V
IN
V
CE
=V
SS
–0.2
–0.05
1.5
0.25
0.1
0
I
OUT
=10mA
–30°C
≤
TOPR
≤
80°C
±100
8
0.5
条件
I
OUT
=50mA
V
IN
=4.0V
V
IN
=4.0V
V
IN
=4.0V
1mA
≤
I
OUT
≤
100mA
I
OUT
=100mA
V
IN
=4.0V, V
CE
=V
SS
V
IN
=8.0V,V
CE
=V
IN
I
OUT
=50mA
4.0V
≤
V
IN
≤
8.0V
0.1
-60
民
2.940
典型值
3.000
1000
60
最大
3.060
Ta=25°C
单位
V
mA
mV
100
50
80
0.6
0.3
8
mV
A
A
%/V
V
PPM /°C的
V
A
V
V
A
A
3
的特性为XC62ER系列是与上述相同的除了CE操作系统逻辑是相反的。
注：1， V
OUT
（ T） =额定输出电压。
2. V
OUT
（ E） =有效输出电压（即输出电压时"V
OUT
（ T） + 1.0V"是在V提供
IN
销，同时保持一定的余
OUT
值）。
3. VDIF = {V
IN
1
(Note5)
-V
OUT
1
(Note4)
}
4. V
OUT
1 =电压等于98 ％的输出电压时的充分稳定下来我
OUT
{V
OUT
（T）的+ 1.0V }是输入。
5. V
IN
1 =输入电压时， V
OUT
1表现为输入电压逐渐减小。
6.特征对于那些标有星号*的参数，均可根据该晶体管用于改变。
请用一个晶体管具有低的饱和电压电平以及h
FE
等于100或更多。
7.最大输出电流值不表示连续输出的值由于2AS1213晶体管的功率的限制
耗散。
351
XC62E
系列
升压稳压器
ETR0311_002
■一般
描述
该XC62E系列是一组正输出电压稳压器，可使用提供高达1A的输出电流
外部晶体管。低功耗和高精度是通过CMOS工艺和激光微调技术实现的。
该系列由一个高精度基准电压源，一个误差校正电路和短路保护输出驱动器。
在待机模式下，电源电流可以大幅削减。因为小的输入输出电压差，损失控制
效率良好。
该XC62E特别适合用于使用电池供电的便携式产品，产品在哪里电源电流
监管是必需的。
该系列采用超小型SOT- 25封装。
在与CE的功能方面，除了从负逻辑XC62EP系列中，正逻辑XC62ER系列（自定义）是
也可提供。
■应用
便携式
相机和录像机
电池
供电设备
●掌上电脑
参考
电压源
■特点
输入输出电压差
： 0.1A@100mA
（性能依赖于
外部晶体管的特性。 ）
最大输出电流
：千毫安
输出电压范围
高精度
： 1.5V 6.0V在100mV的增量
：设定电压
±2%
： 0.2μA （待机） （ TYP 。 ）
输出电压的温度特性
:
± 100ppm的/ ℃
（典型值）。
线路调整
超小型封装
： 0.1 ％ / V （ TYP 。 ）
： SOT- 25小型模具
CMOS低功耗
低功耗
： 50μA （V
OUT
= 5.0V） （ TYP 。 ）
Typical
应用电路
Typical
性能
特征
1/12
XC62E
系列
ⅵELECTRICAL
特征
XC62EP3002
VOUT(T)=3.0V
(*1)
Ta=25℃
符号
V
OUT （ E）
(*2)
I
OUT MAX
△V
OUT
VDIF
I
SS1
I
SS2
△V
OUT
△V
IN
V
OUT
△V
IN
△V
OUT
△范围Topr ·V
OUT
V
EXT
I
泄漏
V
CEH
V
CEL
I
CEH
I
CEL
V
CE
=V
IN
V
CE
=V
SS
条件
I
OUT
=50mA
V
IN
=4.0V
V
IN
=4.0V
V
IN
=4.0V
1mA≦I
OUT
≦100mA
I
OUT
=100mA
V
IN
=4.0V, V
CE
=V
SS
V
IN
=8.0V,V
CE
=V
IN
I
OUT
=50mA
4.0V≦V
IN
≦8.0V
I
OUT
=10mA
-30℃≦Topr≦80℃
分钟。
2.940
-
-60
-
-
-
-
-
-
-
-
1.5
-
-
-0.2
典型值。
3.000
1000
-
100
50
-
0.1
-
±100
-
-
-
-
-
-0.05
马克斯。
3.060
-
60
-
80
0.6
0.3
8.0
-
8.0
0.5
-
0.25
0.1
0
单位
V
mA
mV
mV
μA
μA
%V
V
PPM / °
V
μA
V
V
μA
μA
参数
输出电压
最大输出电流*
负载调整率
(*6)
输入输出电压差
(*3)
电源电流1
电源电流2
线路调整
(*6)
输入电压
输出电压
温度特性
(*6)
EXT输出电压
EXT泄漏电流
CE "High"电平电压
CE "Low"电平电压
CE "High"级电流
CE "Low"级电流
的特性为XC62ER系列是与上述相同的除了CE操作系统逻辑，这是相反的。
注意：
*1: V
OUT （T）=
额定输出电压。
*2: V
OUT （ E） =
有效输出电压（即输出电压时"V
OUT （T ）+。
1.0V"是在V提供
IN
同时保持引脚
一定我
OUT
值）。
* 3 ： VDIF = {V
IN1
(*5)
-V
OUT1
(*4)
}
*4: V
OUT1
= A的电压等于98％的输出电压的每当一个充分稳定的我
OUT
{V
OUT （T ）+。
1.0V }输入。
*5: V
IN1
：输入电压在V
OUT1
显示为输入电压逐渐减小。
* 6：特性参数是容易，这取决于晶体管用于改变。
请用一个晶体管具有低的饱和电压电平与hFE参数等于100或更多。
* 7：最大输出电流值不表示连续输出的值由于2AS1213的局限
晶体管的功耗。
4/12
XC62E
系列
ⅵELECTRICAL
特性（续）
XC62EP4002
VOUT(T)=4.0V(*1)
符号
V
OUT （ E）
(*2)
I
OUT MAX
△V
OUT
VDIF
I
SS1
I
SS2
△V
OUT
△V
IN
V
OUT
V
IN
△V
OUT
△范围Topr ·V
OUT
V
EXT
I
泄漏
V
CEH
V
CEL
I
CEH
I
CEL
条件
I
OUT
=50mA
V
IN
=5.0V
V
IN
=5.0V
V
IN
=5.0V
1mA≦I
OUT
≦100mA
I
OUT
=100mA
V
IN
=5.0V, V
CE
=V
SS
V
IN
=8.0V,V
CE
=V
IN
I
OUT
=50mA
5.0V≦V
IN
≦8.0V
I
OUT
=10mA
-30℃≦Topr≦80℃
分钟。
3.920
-
-60
-
-
-
-
-
-
-
-
1.5
-
-
-0.2
典型值。
4.000
1000
-
100
50
-
0.1
-
±100
-
-
-
-
-
-0.05
马克斯。
4.080
-
60
-
80
0.6
0.3
8.0
-
8.0
0.5
-
0.25
0.1
0
参数
输出电压
最大输出电流（ * 6 ）
负载调整率（ * 6 ）
输入输出电压差（ * 3 ）
电源电流1
电源电流2
线路调整（ * 6 ）
输入电压
输出电压
温度特性（ * 6 ）
EXT输出电压
EXT泄漏电流
CE "High"电平电压
CE "Low"电平电压
CE "High"级电流
CE "Low"级电流
XC62EP4002
V
OUT （T）=
5.0V(*1)
符号
V
OUT （ E）
(*2)
I
OUT MAX
△V
OUT
VDIF
I
SS1
I
SS2
△V
OUT
△V
IN
V
OUT
V
IN
△V
OUT
△范围Topr ·V
OUT
V
EXT
I
泄漏
V
CEH
V
CEL
I
CEH
I
CEL
条件
I
OUT
=50mA
V
IN
=6.0V
V
IN
=6.0V
V
IN
=6.0V
1mA≦I
OUT
≦100mA
I
OUT
=100mA
V
IN
=6.0V, V
CE
=V
SS
V
IN
=8.0V,V
CE
=V
IN
I
OUT
=50mA
6.0V≦V
IN
≦8.0V
I
OUT
=10mA
-30℃≦Topr≦80℃
分钟。
4.940
-
-60
-
-
-
-
-
-
-
-
1.5
-
-
-0.2
典型值。
5.000
1000
-
100
50
-
0.1
-
±100
-
-
-
-
-
-0.05
马克斯。
5.100
-
60
-
80
0.6
0.3
8.0
-
8.0
0.5
-
0.25
0.1
0
Ta=25℃
单位
V
mA
mV
mV
μA
μA
%V
V
PPM / °
V
μA
V
V
μA
μA
Ta=25℃
单位
V
mA
mV
mV
μA
μA
%V
V
PPM / °
V
μA
V
V
μA
μA
V
CE
=V
IN
V
CE
=V
SS
参数
输出电压
最大输出电流（ * 6 ）
负载调整率（ * 6 ）
输入输出电压差（ * 3 ）
电源电流1
电源电流2
线路调整（ * 6 ）
输入电压
输出电压
温度特性（ * 6 ）
EXT输出电压
EXT泄漏电流
CE "High"电平电压
CE "Low"电平电压
CE "High"级电流
CE "Low"级电流
V
CE
=V
IN
V
CE
=V
SS
的特性为XC62ER系列是与上述相同的除了CE操作系统逻辑，这是相反的。
注： * 1 。 V
OUT （T）=
额定输出电压。
*2. V
OUT （ E） =
有效输出电压（即输出电压时"V
OUT （T ）+。
1.0V"是在V提供
IN
销，同时保持
肯定我
OUT
值）。
* 3 。 VDIF = {V
IN1
(*5)
-V
OUT1
(*4)
}
*4. V
OUT1
= A的电压等于98％的输出电压的每当一个充分稳定的我
OUT
{V
OUT （T ）+。
1.0V }输入。
*5. V
IN1
=输入电压在V
OUT1
显示为输入电压逐渐减小。
* 6 。的特性为参数易于取决于哪个晶体管用于改变。
请用一个晶体管具有低的饱和电压电平与hFE参数等于100或更多。
* 7 。最大输出电流值不表示连续输出的值由于2AS1213的局限
晶体管的功耗。
5/12
系列
升压稳压器
NCMOS
低功耗
NSmall
输入输出电压差
： 0.1V @百毫安
NMaximum
输出电流：千毫安
NOutput
电压范围
: 2V~6V
NOutput
电压精度： ± 2 ％
■应用
GPortable
相机和录像机
GBattery
供电设备
GPalmtops
GReference
电压源
3
■概述
该XC62E系列是一组正输出电压稳压器
可以使用外部晶体管提供高达1A的输出电流。低
功耗和高精度是通过CMOS工艺和激光实现
微调技术。
该系列由一个高精度基准电压源，误差
校正电路和短路保护输出驱动器。
在待机模式下，电源电流可以大幅削减。自从
小的输入输出电压差是失控的效率还是不错的。
该XC62E特别适合用于电池供电的便携式
产品，产品的地方供应的电流调节是必需的。
该系列有超小型SOT- 25封装。
在从负逻辑与CE连接功能，除了
XC62EP系列，正逻辑XC62ER系列（自定义）也
可用。
■特点
超小的输入输出电压差
： 100mA的输出电流为
可用0.1V的差分。
（性能依赖于
外部晶体管的特性。 ）
最大输出电流
：千毫安
输出电压范围
： 2V 6V的0.1V递增
高精度
：设置向上电压± 2％
低功耗
： Typ.50μA （V
OUT
=5.0V)
： Typ.0.2μA （待机）
输出电压的温度特性
：典型值± 100ppm的/ ℃。
INPUT稳定性
： Typ.0.1 ％ / V
超小型封装
： SOT- 25小型模具
■典型应用电路
PNP Tr的
■典型性能
特征
XC62EP3302
（3.3V）
1.0
（钽）
C
L
＝10F
R
BE
输入/输出的Diff ： VDIF
（V）
R
B
EXT
C
IN
（钽）
V
IN
V
OUT
C
L
（钽）
0.8
0.6
Topr＝25℃
0.4
0.2
30℃
0.0
0
200
400
600
800
1000
80℃
V
IN
R
Ｌ
P
CE
VSS
输出电流：我
OUT
毫安）
（
347
XC62E
系列
.Electrical特点
XC62EP3002
V
OUT
(T)=3.0V
(Note1)
参数
输出电压
最大输出电流*
负载稳定度*
输入OutputVoltage
迪FF erential
(Note3)
供应当前1
供应电流2
输入稳定性*
输入电压
输出电压
温度特性*
EXT输出电压
EXT泄漏电流
CE "High"电平电压
CE "Low"电平电压
CE "High"级电流
CE "Low"级电流
符号
V
OUT
(E)
(Note2)
I
OUT
马克斯。
V
OUT
VDIF
I
SS
1
I
SS
2
V
OUT
V
IN =
V
OUT
V
IN
V
OUT
T
OPR ×
V
OUT
V
EXT
I
泄漏
V
CEH
V
CEL
I
CEH
I
CEL
V
CE
=V
IN
V
CE
=V
SS
–0.2
–0.05
1.5
0.25
0.1
0
I
OUT
=10mA
–30°C
≤
TOPR
≤
80°C
±100
8
0.5
条件
I
OUT
=50mA
V
IN
=4.0V
V
IN
=4.0V
V
IN
=4.0V
1mA
≤
I
OUT
≤
100mA
I
OUT
=100mA
V
IN
=4.0V, V
CE
=V
SS
V
IN
=8.0V,V
CE
=V
IN
I
OUT
=50mA
4.0V
≤
V
IN
≤
8.0V
0.1
-60
民
2.940
典型值
3.000
1000
60
最大
3.060
Ta=25°C
单位
V
mA
mV
100
50
80
0.6
0.3
8
mV
A
A
%/V
V
PPM /°C的
V
A
V
V
A
A
3
的特性为XC62ER系列是与上述相同的除了CE操作系统逻辑是相反的。
注：1， V
OUT
（ T） =额定输出电压。
2. V
OUT
（ E） =有效输出电压（即输出电压时"V
OUT
（ T） + 1.0V"是在V提供
IN
销，同时保持一定的余
OUT
值）。
3. VDIF = {V
IN
1
(Note5)
-V
OUT
1
(Note4)
}
4. V
OUT
1 =电压等于98 ％的输出电压时的充分稳定下来我
OUT
{V
OUT
（T）的+ 1.0V }是输入。
5. V
IN
1 =输入电压时， V
OUT
1表现为输入电压逐渐减小。
6.特征对于那些标有星号*的参数，均可根据该晶体管用于改变。
请用一个晶体管具有低的饱和电压电平以及h
FE
等于100或更多。
7.最大输出电流值不表示连续输出的值由于2AS1213晶体管的功率的限制
耗散。
351
QQ：2880707522 复制
