XC61F
系列
电压检测器，延时电路内置
ETR0202_002
■一般
描述
该XC61F系列是高精度，低功耗电压检测器，采用CMOS工艺和激光制造
微调技术。延迟电路被内置于每个检测器。
检测电压非常准确，最小的温度漂移。
CMOS和N沟道开漏输出配置可供选择。
因为该延迟电路是内置的，外围设备是不必要的，高密度安装是可能的。
■应用
●微处理器
复位电路
内存
电池备份电路
“上电
复位电路
“权力
故障检测
“系统
电池寿命和充电电压监控器
↑延迟
电路
■特点
高精度
: ± 2%
低功耗
： 1.0μA （ TYP 。 ） [V
IN
=2.0V ]
:
1.6V 6.0V在100mV的增量
检测电压范围
工作电压范围
: 0.7V ~ 10.0V
检测电压的温度特性
： ± 100ppm的/ ℃ （ TYP 。 ）
内置延迟电路
:
①
1毫秒 50毫秒
②
50毫秒 200毫秒
③
80毫秒 400毫秒
输出CON组fi guration
： N沟道开漏输出或CMOS
小包装
： SOT - 23 （ 250mW的）
:
SOT- 89 （ 500毫瓦）
： TO- 92 （ 300mW的）
*无份可为±1 ％的精度
Typical
应用电路
Typical
性能
特征
●发布
延迟时间与环境温度
解除延迟时间：吨
DLY
（女士）
环境温度： TA（ ℃ ）
1/14
XC61F
系列
“绝对
最大额定值
参数
输入电压
输出电流
CMOS
N沟道开漏
SOT-23
功耗
SOT-89
TO-92
工作温度范围
存储温度范围
输出电压
符号
V
IN
I
OUT
V
OUT
评级
12.0
50
V
SS
-0.3 ~ V
IN
+ 0.3
V
SS
-0.3 ~ 9
250
500
300
-30½+85
-40½+125
TA = 25°
单位
V
mA
V
Pd
TOPR
TSTG
mW
℃
℃
ⅵELECTRICAL
特征
参数
检测电压
滞后幅度
符号
V
DF
V
HYS
V
IN
= 1.5V
V
IN
= 2.0V
V
IN
= 3.0V
V
IN
= 4.0V
V
IN
= 5.0V
V
DF
= 1.6V至6.0V
V
IN
= 1.0V
V
IN
= 2.0V
N沟道V
DS
=0.5V
V
IN
= 3.0V
V
IN
= 4.0V
V
IN
= 5.0V
P- CH V
DS
=2.1V
V
IN
= 8.0V
（ CMOS输出）
V
IN
= 10.0V，V
OUT
= 10.0V
-
ΔV
DF
ΔTopr½V
DF
-
50
80
1
0.01
±100
-
0.1
-
200
400
50
PPM /
℃
条件
分钟。
V
DF （T ）
x 0.98
V
DF
x 0.02
-
-
-
-
-
0.7
1.0
3.0
5.0
6.0
7.0
-
-
ILEAK
典型值。
V
DF （T ）
V
DF
x 0.05
0.9
1.0
1.3
1.6
2.0
-
2.2
7.7
10.1
11.5
13.0
-10.0
0.01
马克斯。
V
DF （T ）
x 1.02
V
DF
x 0.08
2.6
3.0
3.4
3.8
4.2
10.0
-
-
-
-
-
-2.0
-
μA
单位
V
V
TA = 25°
电路
①
①
电源电流
I
SS
μA
②
工作电压
V
IN
V
①
③
mA
输出电流
I
OUT
④
CMOS
产量
泄漏
当前
N沟道开路
漏
检测电压
温度
特征
解除延迟时间
(V
DR
→
V
OUT
反转）
③
-
T
DLY
＊
V
IN
变化范围为0.6V至10V
ms
⑤
V
DF
（T ） ：设定检测电压值
释放电压： V
DR
= V
DF
+ V
HYS
*解除延迟时间： 1毫秒到50毫秒& 80毫秒到400毫秒版本也可以。
注：在上电期间开始时的功率消耗，以输出是稳定的（释放操作）是2μA大于它是在该周期之后
由于延迟电路（完成释放操作的） ，通过电流。
4/14
XC61F
系列
●操作
解释
-CMOS
产量
①
当电压低于释放电压（ V
DR
）被施加到电压输入端子（Ⅵ
N
） ，该电压将
逐渐回落。当电压低于检测电压（ V
DF
）被施加到VIN ，输出（Ⅴ
OUT
）将等于该
输入在V
IN
.
需要注意的是高阻抗存在在V
OUT
与N沟道开漏配置。如果该引脚被上拉，V
OUT
将
等于上拉电压。
当V
IN
低于V
DF
, V
OUT
将等于地电压（V
SS
）的水平（状态检测） 。注意，这也
适用于N沟道开漏配置。
当VI
N
下降到低于最小工作电压的电平（V
民
）输出将变得不稳定。因为
输出引脚一般拉了N沟道开漏配置，输出将等于上拉电压。
当V
IN
上升的V以上
SS
水平（除了水平高于最低工作电压低） ，V
OUT
将等于
V
SS
直到V
IN
到达V
DR
的水平。
虽然V
IN
将上升到一个更高的水平比V
DR
, V
OUT
保持通过延迟电路接地电压电平。
继短暂的延迟时间，V
IN
将在V输出
OUT
。注意存在的N沟道开高阻抗
漏配置和电压将取决于上拉。
②
③
④
⑤
⑥
注意事项：
1. V之间的差
DR
和V
DF
表示滞后范围。
2.解除延迟时间（
t
DLY
）表示它需要为V时
IN
出现在V
OUT
一旦所述电压超过
V
DR
的水平。
*定时
图表
(t
DLY
)
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XC61F
系列
电压检测器，延时电路内置
ETR0202_001
■一般
描述
该XC61F系列是高精度，低功耗电压检测器，采用CMOS工艺和激光制造
微调技术。延迟电路被内置于每个检测器。
检测电压非常准确，最小的温度漂移。
CMOS和N沟道开漏输出配置可供选择。
因为该延迟电路是内置的，外围设备是不必要的，高密度安装是可能的。
■应用
●微处理器
复位电路
内存
电池备份电路
“上电
复位电路
“权力
故障检测
“系统
电池寿命和充电电压监控器
↑延迟
电路
■特点
高精度
: ± 2%
低功耗
： 1.0μA （ TYP 。 ） [V
IN
=2.0V ]
检测电压范围
:
1.6V 6.0V在100mV的增量
工作电压范围
: 0.7V ~ 10.0V
检测电压的温度特性
： ± 100ppm的/ ℃ （ TYP 。 ）
内置延迟电路
:
①
1毫秒 50毫秒
②
50毫秒 200毫秒
③
80毫秒 400毫秒
输出CON组fi guration
： N沟道开漏输出或CMOS
CMOS
微型模具套餐
超小型封装
： SOT - 23 （ 150毫瓦）小模
:
SOT- 89 （ 500mW的）小功率模
： TO- 92 （ 300mW的）
*无份可为±1 ％的精度
Typical
应用电路
Typical
性能
特征
环境温度： TA（ ℃ ）
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XC61F
系列
块
图表
（ 1 ） CMOS输出
（ 2 ） N沟道开漏输出
“绝对
最大额定值
参数
输入电压
输出电流
CMOS
N沟道开漏
SOT-23
功耗
SOT-89
TO-92
工作温度范围
存储温度范围
输出电压
符号
V
IN
I
OUT
V
OUT
评级
12.0
50
V
SS
-0.3 ~ V
IN
+ 0.3
V
SS
-0.3 ~ 9
150
500
300
-30½+85
-40½+125
TA = 25°
单位
V
mA
V
Pd
TOPR
TSTG
mW
℃
℃
ⅵELECTRICAL
特征
参数
检测电压
迟滞范围
符号
V
DF
V
HYS
V
IN
= 1.5V
V
IN
= 2.0V
V
IN
= 3.0V
V
IN
= 4.0V
V
IN
= 5.0V
V
DF
= 1.6V至6.0V
V
IN
= 1.0V
V
IN
= 2.0V
N沟道V
DF
=0.5V
V
IN
= 3.0V
V
IN
= 4.0V
V
IN
= 5.0V
CMOS ， P沟道V
DF
=2.1V
V
IN
= 8.0V
条件
分钟。
V
DF （T ）
x 0.98
V
DF
x 0.02
-
-
-
-
-
0.7
-
-
-
-
-
-
-
V
IN
变化范围为0.6V至10V
50
典型值。
V
DF （T ）
V
DF
x 0.05
0.9
1.0
1.3
1.6
2.0
-
2.2
7.7
10.1
11.5
13.0
-10.0
±100
-
Ta=25℃
马克斯。
V
DF （T ）
x 1.02
V
DF
x 0.08
2.6
3.0
3.4
3.8
4.2
10.0
-
-
-
-
-
-
-
200
单位
V
V
电源电流
I
SS
μA
工作电压
V
IN
V
输出电流
I
OUT
mA
检测电压
温度
特征
短暂的延迟时间
(V
DR
→
V
OUT
反转）
ΔV
DF
ΔTopr½
V
DF
T
DLY
＊
PPM / °
ms
V
DF
（T ） ：设定检测电压值
释放电压： V
DR
= V
DF
+ V
HYS
*瞬态延迟时间： 1毫秒到50毫秒& 80毫秒到400毫秒版本也可以。
注：在上电期间开始时的功率消耗，以输出是稳定的（释放操作）是2μA大于它是在该周期之后
由于延迟电路（完成释放操作的） ，通过电流。
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XC61F
系列
●操作
解释
-CMOS
产量
①
当电压低于释放电压（ V
DR
）被施加到电压输入端子（Ⅵ
N
） ，该电压将
逐渐回落。当电压低于检测电压（ V
DF
）被施加到VIN ，输出（Ⅴ
OUT
）将等于该
输入在V
IN
.
需要注意的是高阻抗存在在V
OUT
与N沟道开漏配置。如果该引脚被上拉，V
OUT
将
等于上拉电压。
②
当V
IN
低于V
DF
, V
OUT
将等于地电压（V
SS
）的水平（状态检测） 。注意，这也
适用于N沟道开漏配置。
③
当VI
N
下降到低于最小工作电压的电平（V
民
）输出将变得不稳定。因为
输出引脚一般拉了N沟道开漏配置，输出将等于上拉电压。
④
当V
IN
上升的V以上
SS
水平（除了水平高于最低工作电压低） ，V
OUT
将等于
V
SS
直到V
IN
到达V
DR
的水平。
⑤
虽然V
IN
将上升到一个更高的水平比V
DR
, V
OUT
保持通过延迟电路接地电压电平。
⑥
继短暂的延迟时间，V
IN
将在V输出
OUT
。注意存在的N沟道开高阻抗
漏配置和电压将取决于上拉。
注意事项：
1. V之间的差
DR
和V
DF
表示滞后范围。
2.传播延迟时间（ TDLY ）表示它需要为V时
IN
出现在V
OUT
一旦该电压有
超过V
DR
的水平。
*定时
图表
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XC61F
系列
●路线
对于使用
注意事项
在使用
1.请在规定的最大额定值范围内使用该芯片。该IC容易出现故障应收视率超过。
2.当电阻器被连接在V之间
IN
脚和输入与CMOS输出配置，振荡可能
发生的电压的结果，下降为R
IN
如果负载电流（I
OUT
）存在。因此，建议在无电阻器被加入。
（参考振荡描述（1）所示）
3.当一个电阻器连接在V之间
IN
脚和输入与CMOS输出配置，无论N沟道的
输出配置，振荡可能出现的结果，通过电流电压脱扣器的时间，即使负载
电流（I
OUT
）不存在。 （参考振荡描述（2）所示）
4.通过连接V之间的电阻
IN
脚和输入，检测和释放电压会上升，因为IC的结果
的电源电流流过V
IN
引脚。
5.如果一个电阻器（R
IN
）必须使用，那么请用输入阻抗尽可能小的程度，才能用它来控制
振荡的发生如上所述的。
此外，请确保是R
IN
小于10kΩ的，以及对C
IN
大于0.1μF （图1） 。在这种情况下，检测
和释放电压将上升，由于电压下降为R
IN
通过在IC的电源电流带来的。
Oscillation
描述
（1）振动的输出电流与输出的CMOS构造的结果是：
当施加在IN的电压上升，释放操作开始，检测器的输出电压升高。负载
电流（I
OUT
）将流过R
L
。因为电压降（R
IN
X我
OUT
）被制作在R
IN
电阻器，定位
在输入（IN）和V之间
IN
销，负载电流将经由IC的V流
IN
引脚。上的电压降也将导致
在在V的电压电平的下降
IN
引脚。当V
IN
引脚电平低于检测电压，检测
行动开始。下面的检测操作，负载电流流将停止，因为为R的电压降
IN
将
消失，在V的电压电平
IN
引脚将上升，释放操作将开始一遍。
振荡可能会与此"版本出现 - 检测 - 释放"重复。
此外，这种情况也会出现通过的过程中检测到的动作的类似机制的手段。
（2）振动，作为通过电流的结果：
由于XC61F系列CMOS IC
S
通过电流时，该IC的内部电路的开关动作会流向
（在释放和检测操作） 。因此，振动易于发生时释放电压操作
作为输出电流，其通过电流（图3）受本的结果。
由于存在滞后期间检测操作，振荡不太可能发生。
图1.当使用输入电阻
5/12
QQ：2881677436 复制
