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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符X型号页 > 首字符X的型号第125页 > XC61CN0801PR
XC61C
系列
低电压检测器（V
DF
= 0.8V½1.5V)
标准电压检测器（V
DF
1.6V½6.0V)
ETR0201_006
■一般
描述
该XC61C系列是高精度，低功耗电压检测器，采用CMOS和激光制
微调技术。
检测电压非常准确，最小的温度漂移。
CMOS和N沟道开漏输出配置可供选择。
■应用
●微处理器
复位电路
内存
电池备份电路
“上电
复位电路
“权力
故障检测
“系统
电池寿命和充电电压监控器
■特点
高精度
: ± 2%
（低电压Vd ： 0.8V 1.5V ）
（标准电压Vd ： 1.6V 6.0V ）
± 1%
（标准电压Vd ： 2.6V 5.0V ）
低功耗
： 0.7μA （ TYP 。 ） [V
IN
=1.5V]
检测电压范围
： 0.8V 6.0V在100mV的增量
工作电压范围
： 0.7V 6.0V （低电压）
0.7V½10.0V (Standard Voltage)
检测电压的温度特性
:
±100ppm/℃
（ TYP 。 ） @ TA = 25
O
C
输出CON组fi guration
： N沟道开漏输出或CMOS
CMOS
超小型封装
： SSOT - 24 （ 150毫瓦）
SOT- 23 （ 250mW的）
SOT- 89 （ 500毫瓦）
TO- 92 （ 300mW的）
Typical
应用电路
Typical
性能特点
1/17
XC61C
系列
针
CON组fi guration
针
转让
引脚数
SSOT-24
2
4
1
3
SOT-23
3
2
1
-
SOT-89
2
3
1
-
TO- 92 （ T）
TO-92 （L）的
引脚名称
V
IN
V
SS
V
OUT
NC
功能
电源电压
t
I
t
地
产量
无连接
2
3
1
-
1
2
3
-
“产品
分类
“订购
信息
XC61C①②③④⑤⑥⑦
代号
①
② ③
④
⑤
描述
输出CON组fi guration
检测电压
输出延迟
检测精度
符号
C
N
08 ~ 60
0
1
2
N
M
P
T
L
R
L
H
B
描述
： CMOS输出
： N沟道开漏输出
： e.g.0.9V
→ ②0, ③9
： e.g.1.5V
→ ②1, ③5
：无延迟
：在
±1%
：在
±2%
： SSOT - 24 （ SC- 82 ）
： SOT -23
： SOT- 89
： TO- 92 （标准）
： TO- 92 （自定义引脚配置）
：压纹带，标准饲料
：压纹带，反向饲料
：纸张类型（ TO- 92 ）
：袋（ TO- 92 ）
⑥
包
⑦
设备方向
2/17
XC61C
系列
块
图表
（ 1 ） CMOS输出
（ 2 ） N沟道开漏输出
“绝对
最大额定值
TA = 25
O
C
参数
输入电压
输出电流
CMOS
输出电压
N沟道开漏输出* 1
N沟道开漏输出* 2
SSOT-24
功耗
SOT-23
SOT-89
TO-92
工作温度范围
存储温度范围
Pd
V
OUT
*1
*2
符号
V
IN
I
OUT
评级
9.0
12.0
50
V
SS
-0.3 ~ V
IN
+0.3
V
SS
-0.3 ~ 9.0
V
SS
-0.3 ~ 12.0
150
250
500
300
-40½+85
-40½+125
mW
V
单位
V
mA
TOPR
TSTG
O
O
C
C
* 1 ：低电压： V
DF （T ）
=0.8V~1.5V
* 2 ：标准电压： V
DF （T ）
=1.6V~6.0V
3/17
XC61C
系列
ⅵELECTRICAL
特征
V
DF （ T）
= 0.8V至6.0V ± 2 ％
V
DF （ T）
= 2.6V至5.0V ± 1 ％
参数
检测电压
符号
V
DF
分钟。
V
DF （T ）
x 0.98
V
DF （T ）
V
DF （T ）
=2.6V~5.0V *2
x 0.99
V
DF
x 0.02
V
IN
= 1.5V
-
V
IN
= 2.0V
-
V
IN
= 3.0V
-
V
IN
= 4.0V
-
V
IN
= 5.0V
-
V
DF （T ）
= 0.8V至1.5V
0.7
0.7
V
DF （T ）
= 1.6V至6.0V
0.10
V
IN
= 0.7V
N沟道V
DS
= 0.5V
V
IN
= 1.0V
0.85
CMOS ， P沟道V
DS
= 2.1V
V
IN
= 6.0V
-
1.0
V
IN
= 1.0V
V
IN
= 2.0V
3.0
N沟道V
DS
= 0.5V
V
IN
= 3.0V
5.0
V
IN
= 4.0V
6.0
V
IN
= 5.0V
7.0
CMOS ， P沟道V
DS
= 2.1V
V
IN
= 8.0V
-
V
IN
=6.0V, V
OUT
=6.0V*1
CMOS
-
V
IN
=10.0V, V
OUT
=10.0V*2
N沟道开漏
-
-40℃
≦
TOPR
≦
85℃
从V反转
DR
到V
OUT
-
-
条件
V
DF （T ）
=0.8V~1.5V *1
V
DF （T ）
=1.6V~6.0V *2
典型值。
V
DF （T ）
V
DF （T ）
V
DF
x 0.05
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
-
-
0.80
2.70
-7.5
2.2
7.7
10.1
11.5
13.0
-10.0
10
10
±100
0.03
马克斯。
V
DF （T ）
x 1.02
V
DF （T ）
x 1.01
V
DF
x 0.08
2.3
2.7
3.0
3.2
3.6
6.0
10.0
-
-
-1.5
-
-
-
-
-
-2.0
-
100
-
0.20
Ta=25℃
单位
电路
V
V
V
1
1
1
迟滞范围
V
HYS
电源电流
I
SS
μA
2
工作电压* 1
工作电压* 2
输出电流* 1
V
IN
V
1
3
4
I
OUT
输出电流* 2
mA
3
4
nA
PPM /
℃
ms
3
-
5
漏电流
I
泄漏
温度
ΔV
DF
特征
ΔTopr½V
DF
延迟时间
TDLY
(V
DR
→V
OUT
反转）
注意：
* 1 ：低电压： V
DF （T ）
=0.8V~1.5V
* 2 ：标准电压： V
DF （T ）
=1.6V~6.0V
V
DF （ T）
：设定检测电压
释放电压： V
DR
= V
DF
+ V
HYS
4/17
XC61C
系列
●操作
解释
（特别是CMOS输出产品制作）
①
当输入电压（V
IN
）高于检测电压（V
DF
） ，输出电压（V
OUT
）将等于V
IN
.
（高阻抗的状态存在着N沟道开漏输出配置。 ）
②
当输入电压（V
IN
）低于检测电压（V
DF
） ，输出电压（V
OUT
）将等于地电压
(V
SS
）的水平。
③
当输入电压（V
IN
）下降到低于最小工作电压的电平（V
民
） ，输出将变得
不稳定。在这种条件下，V
IN
将等于向上拉动的输出（输出应该是拉式）。
④
当输入电压（V
IN
）上升到高于接地电压（V
SS
）电平时，输出将是不稳定的，在下面的水平
最低工作电压（V
民
） 。在V之间
民
检测释放电压（V
DR
）的水平，接地电压（V
SS
)
电平将保持不变。
⑤
当输入电压（V
IN
）高于检测释放电压（V
DR
） ，输出电压（V
OUT
）将等于V
IN
.
（高阻抗的状态存在着N沟道开漏输出配置。 ）
⑥
V之间的差
DR
和V
DF
表示滞后范围。
*定时
图表
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