XC6109
系列
电压检测器与外部延迟型电容器
ETR0206_005
■一般
描述
的XC6109系列是高精度，低功耗电压检测器，采用CMOS和激光微调制
技术。
用内置的延迟电路，连接延迟电容引脚到电容使集成电路来提供任意
解除延迟时间。
采用超小型封装（ SSOT - 24 ） ，该系列产品适用于高密度安装。
CMOS和N沟道开漏输出配置可供选择。
■应用
●微处理器
复位电路
↓费
电压监测器
内存
备用电池切换电路
“权力
故障检测电路
■特点
高精度
:
+2%
（设定电压Accuracy>1.5V ）
： + 30mV的
（设定电压Accuracy<1.5V ）
低功耗
检测电压范围
工作电压范围
: 0.9μA
（ TYP。 ，V
DF
=1.9V, V
IN
= 2.0V)
: 0.8V ~ 5.0V
在100mV的增量
: 0.7V ~ 6.0V
： ± 100ppm的/
O
C（典型值）。
检测电压的温度特性
输出CON组fi guration
： CMOS或
N沟道开漏
工作温度范围
: -40
O
C ~ +85
O
C
CMOS
内置延迟电路，延时引脚可用
超小型封装
： SSOT- 24
Typical
应用电路
Typical
性能
特征
●发布
延迟时间 - 电容延迟
XC6109xxxA
VIN(MIN.)=0.7V,VIN(MAX.)=6.0V
TR = 5μs的，TA = 25
℃
解除延迟时间： TDR （毫秒）
10000
1000
100
10
1
0.1
0.0001
（无电阻的需要
CMOS输出产品）
0.001
0.01
0.1
延时电容：镉（ μF ）
延时电容：镉（ μF ）
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XC6109
系列
ⅵELECTRICAL
特征
参数
工作电压
检测电压
滞后幅度
电源电流1
符号
V
IN
V
DF
V
HYS
I
SS1
条件
V
DF （ T） =
0.8~5.0V
(*1)
V
DF （ T） =
0.8~5.0V
V
IN
=1.0~6.0V
V
DF （ T） =
0.8~1.9V
V
IN
=V
DF
x 0.9
V
DF （ T） =
2.0~3.9V
V
DF （ T） =
4.0~5.0V
V
DF （ T） =
0.8~1.9V
V
IN
=V
DF
x 1.1
V
DF （ T） =
2.0~3.9V
V
DF （ T） =
4.0~5.0V
V
IN
=0.7V
V
DS
=0.5V(Nch)
V
IN
=1.0V
(*2)
V
DS
=0.5V(Nch)
V
IN
=2.0V
(*3)
V
DS
=0.5V(Nch)
(*4)
V
IN
=3.0V
V
DS
=0.5V(Nch)
(*5)
V
IN
=4.0V
V
DS
=0.5V(Nch)
V
IN
=V
DF
x1.1
V
DS
= 0.5V （ P沟道）
分钟。
0.7
V
DF
x 0.02
-
-
-
-
-
-
0.01
0.1
0.8
1.2
1.6
典型值。
-
E-1
V
DF
x 0.05
0.80
0.90
1.00
0.90
1.10
1.20
0.36
0.7
1.6
2.0
2.3
E-2
-
I
泄漏
V
DF
TA ×V
DF
RDELAY
I
CD
V
TCD
V
UNS
T
DF0
T
DR0
V
IN
=6.0V, V
OUT
= 6.0V ， CD：打开
-
-40
O
C
<Ta<85
O
C
V
IN
= 6.0V ， CD = 0V
CD = 0.5V ，V
IN
=0.7V
V
IN
=1.0V
V
IN
=6.0V
V
IN
=0~0.7V
V
IN
= 6.0下降到0.7V
CD：打开
V
IN
=0.7~6.0V
CD：打开
-
1.6
8
0.4
2.9
-
-
-
0.20
±100
2.0
60
0.5
3.0
0.3
30
30
0.40
-
2.4
-
0.6
3.1
0.4
230
200
PPM /
O
C
MΩ
μA
V
V
μs
μs
①
⑤
⑤
⑥
⑦
⑧
⑧
0.20
-
μA
③
mA
④
-
mA
③
马克斯。
6.0
V
DF
x 0.08
1.70
1.90
2.00
1.80
2.00
2.20
单位
V
V
V
TA = 25
O
C
电路
-
①
①
μA
②
电源电流2
I
SS2
μA
②
I
OUT1
输出电流
I
OUT2
(*6)
CMOS
产量
泄漏
N沟道开
当前
漏
产量
温度
特征
延迟性
(*7)
延迟引脚吸收电流
延时电容引脚
阈值电压
未指定的操作
电压
(*8)
检测延迟时间
(*9)
解除延迟时间
(*10)
注意：
*1: V
DF （T ） ：
设定检测电压
*2: V
DF （T ）
＞1.0V
*3: V
DF （T ）
＞2.0V
*4: V
DF （T ）
＞3.0V
*5: V
DF （T ）
＞4.0V
* 6 ：此数值仅适用于XC6109C系列（CMOS输出） 。
* 7 ：从所述电压值和所述电阻器两端的电流值进行计算。
* 8 ：在V的最大电压
OUT
在V的范围
IN
0至0.7V 。这个数值仅适用于XC6109C系列
（ CMOS输出） 。
* 9 ：时间从v的状态范围
IN
=V
DF
于V
OUT
达到0.6V时，在V
IN
瀑布无需连接到CD端子。
* 10 ：时间从v的状态范围
IN
= V
DF
+V
HYS
于V
OUT
达到5.4V时，在V
IN
上升，而无需连接到CD端子。
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XC6109
系列
●电压
图表
符号
参数
检测电压
(*1)
(V)
输出电流
(*2)
（MA ）
E-1
E-2
设定DETECT
电压
V
DF
(T)
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
2.0
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
2.6
2.7
2.8
2.9
3.0
3.1
3.2
3.3
3.4
3.5
3.6
3.7
3.8
3.9
4.0
4.1
4.2
4.3
4.4
4.5
4.6
4.7
4.8
4.9
5.0
分钟。
0.770
0.870
0.970
1.070
1.170
1.270
1.370
1.470
1.568
1.666
1.764
1.862
1.960
2.058
2.156
2.254
2.352
2.450
2.548
2.646
2.744
2.842
2.940
3.038
3.136
3.234
3.332
3.430
3.528
3.626
3.724
3.822
3.920
4.018
4.116
4.214
4.321
4.410
4.508
4.606
4.704
4.802
4.900
V
DF
典型值。
0.800
0.900
1.000
1.100
1.200
1.300
1.400
1.500
1.600
1.700
1.800
1.900
2.000
2.100
2.200
2.300
2.400
2.500
2.600
2.700
2.800
2.900
3.000
3.100
3.200
3.300
3.400
3.500
3.600
3.700
3.800
3.900
4.000
4.100
4.200
4.300
4.400
4.500
4.600
4.700
4.800
4.900
5.000
I
OUT
2
马克斯。
0.830
0.930
1.030
1.130
1.230
1.330
1.430
1.530
1.632
1.734
1.836
1.938
2.040
2.142
2.244
2.346
2.448
2.550
2.652
2.754
2.856
2.958
3.060
3.162
3.264
3.366
3.468
3.570
3.672
3.774
3.876
3.978
4.080
4.182
4.284
4.386
4.488
4.590
4.692
4.794
4.896
4.998
5.100
分钟。
-0.40
典型值。
-0.20
-0.60
-0.30
-0.80
-0.40
-1.00
-0.50
-1.20
-0.60
-1.30
-0.65
注意：
* 1：当V
DF （T ）
≦1.4V,
的检测精度是
±30mV.
当V
DF （T ）
≧1.5V,
的检测精度是
±2%.
* 2：该数值仅适用于XC6109C系列（CMOS输出） 。
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