ETR1414_003
■一般
描述
在XC2164系列是高频率，低功耗的CMOS IC，内置的晶体振荡器和分频器电路。
对于基本振荡，输出是从任一项为f0的下列值中选择： / 2的f0 / 4/8的f0 / 1 ， f0的，和f0的。
与振荡电容器和内置反馈电阻器，它可以构成一个稳定的基本振荡器或第三
只使用一个外部晶体振荡器泛音。
同时该系列产品具有待机功能内置的类型，挂起
振荡完全（ XC2164A D型）或类型挂起只有一个输出端（ XC2164K N型）可供选择。在XC2164
系列都集成到采用SOT -26封装。该系列也是芯片形式提供。
■应用
水晶
振动模块
钟表
微型计算机， DSP的
通讯
设备
·各种
系统时钟
■特点
振荡频率
分频比
：为4MHz 30MHz的（基本）
为20MHz 125MHz的（第3个泛音）
：可从F0 / 1 ， F0 / 2 ， F0 / 4 ，
F0 / 8 （ F0 / 2 ， F0 / 4 ， F0 / 8顷
基本只）
：三态
: 3.3V
±
10%, 5.0V
±
10%
：待机功能包括
从芯片使能型可选
和输出使能型
产量
工作电压范围
低功耗
CMOS
内置振荡反馈电阻
内置的振荡电容CG ，镉
套餐
： SOT - 26片式结构（ 1.3x0.8mm ）
针
CON组fi guration
针
转让
引脚数
1
2
3
4
5
6
引脚名称
Q
0
V
SS
/ XT
XT
V
DD
/ INH
功能
时钟输出
地
晶体振荡器
连接（输出）
晶体振荡器
连接（输入）
电源
待机控制*
单位[微米]
*待机控制引脚有一个上拉电阻内置。
■ / INH ，
Q
0
引脚功能
/I
NH
“H”或开
“L”
H =高电平
L =低电平
Q
0
时钟输出
高阻抗
1/12
XC2164
系列
■ PAD
布局芯片FORM
■ PAD
尺寸
引脚数
1
2
3
4
5
6
针
名字
Q
0
V
SS
/ XT
XT
V
DD
/ INH
焊盘尺寸
X
Y
514
- 264
222
- 264
- 450
- 264
- 450
264
514
27
47
264
单位[微米]
1.3×0.8mm
XC2164xx1xxT ： 280 ± 20微米
XC2164xx1xxF ： 200 ± 20微米
V
DD
水平
100×100μm
■
产品分类
“订购
信息
XC2164
①②③④⑤⑥
代号
描述
符号
A
B
C
D
K
L
M
N
5
6
1
（表1）
（表2）
C
M
R
L
T
F
描述
：芯片使能： F0 / 1
：芯片使能： F0 / 2 （基本只）
：芯片使能： F0 / 4 （基本只）
：芯片使能： F0 / 8 （基本只）
：输出使能： F0 / 1
：输出使能： F0 / 2 （基本只）
：输出使能： F0 / 4 （基本只）
：输出使能： F0 / 8 （基本只）
：在芯片表面未聚酰亚胺涂层（SOT -26只）
：在芯片表面上的聚酰亚胺涂层（片状形式只）
： CMOS （V
DD
/ 2 ） * TTL ：基本4MHz至30MHz的
：第3次泛音，内置型
：基本，内置式
：芯片形式
： SOT- 26
：压纹带，标准饲料
：压纹带，反向饲料
：芯片托盘（晶片厚度： 280 ± 20微米）
：芯片托盘（晶片厚度： 200 ± 20微米）
①
分频比
＆放大器;
/ INH引脚功能
②
③
④
⑤
芯片的表面处理
税级
频率范围&的Rf ，
CG ， CD值
套餐
⑥
设备方向
表1 ： 3泛音，内置型
符号
A
B
C
D
E
F
H
K
L
频带
3.3V ±10%
5.0V ±10%
20MHz至30MHz的
20MHz至30MHz的
30MHz到40MHz的
30MHz到40MHz的
40MHz至50MHz的
40MHz至50MHz的
50MHz至65MHz的
50MHz至65MHz的
65MHz的以80MHz的
65MHz的以80MHz的
为80MHz到95MHz
为80MHz到95MHz
95MHz至为110MHz
95MHz至为110MHz
为110MHz到125MHz的
为110MHz到125MHz的
Rf
(kΩ)
9.0
6.5
5.0
3.5
2.8
2.5
2.2
2.0
2.3
Cg
（PF ）
21.5
20.0
16.0
14.0
12.5
10.0
8.0
7.0
5.5
Cd
（PF ）
21.5
20.0
16.0
14.0
12.5
10.0
8.0
7.0
5.5
表2 ：基本，内置型
符号
M，V
T
频带
3.3V ±10%
5.0V ±10%
4MHz至30MHz的
4MHz至30MHz的
4MHz至30MHz的
4MHz至30MHz的
Rf
（kΩ）
3.5/7.0
3.5/7.0
Cg
（PF ）
20.0
35.0
Cd
（PF ）
20.0
35.0
（ * ）的Rf = 3.5MΩ@V
DD
5.0V操作
RF = 7.0 MΩ @ V
DD
= 3.3V操作
2/12
XC2164
系列
块
图
“绝对
最大额定值
Ta=25℃
参数
电源电压
输入电压
功耗
工作温度范围
存储温度范围
符号
V
DD
V
IN
Pd
TOPR
TSTG
条件
V
SS
- 0.3 ~ V
SS
+ 7.0
V
SS
- 0.3 ~ V
DD
+ 0.3
250*
- 40 ~ + 85
- 65 + 150 （片表）
- 55 + 125 （ SOT- 26 ）
单位
V
V
mW
℃
℃
℃
**当在玻璃环氧印刷电路板来实现。 （ SOT- 26封装）
3/12
XC2164
系列
ⅵELECTRICAL
特征
ΔDC
电气特性
XC2164Ax1M ， T，V / XC2164Kx1M ， T，V （基本）
5.0V操作（除非另有说明，V
DD
= 5.0V ，无负载，TA = -30 + 80 ℃ ）
参数
工作电压
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;电平输入电压
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;电平输入电压
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;电平输出电压
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;电平输出电压
符号
V
DD
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
条件
分钟。
4.5
2.4
-
3.9
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
25
-
典型值。
5.0
-
-
4.2
0.3
11
11
11
11
5
5
马克斯。
5.5
-
0.4
-
0.4
(15)
(15)
(15)
(15)
(8)
(8)
单位
V
V
V
V
V
CMOS ： V
DD
= 4.5V ，我
OH
= - 16毫安
CMOS ： V
DD
= 4.5V ，我
OH
=16mA
/ INH =打开，
Q
0
→打开
f=30MHz
XC2164Ax1M ，V
XC2164Ax1T
XC2164Kx1M ，V
XC2164Kx1T
XC2164Ax1M ，V
/ INH = "L" ，
XC2164Ax1T
Q
0
→打开
XC2164Kx1M ，V
f=30MHz
XC2164Kx1T
/ INH = "L"
/INH=0.7 V
DD
电源电流1
I
DD1
mA
μA
mA
MΩ
kΩ
MΩ
μA
电源电流2
I
DD2
输入上拉电阻1
输入上拉电阻2
内部振荡
反馈电阻
输出禁用
漏电流
* T.B.D ：待定
R
UP1
R
UP2
Rf
I
OZ
（ T.B.D. *）（ T.B.D. *）
9
(14)
1.0
2.0
50
100
3.5
-
-
10
/ INH = "L"
-
XC2164Ax1M ， XC2164Kx1M （基本）
工作电压为3.3V （除非另有说明，V
DD
= 3.3V ，无负载，TA = -30 + 80 ℃ ）
参数
工作电压
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;电平输入电压
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;电平输入电压
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;电平输出电压
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;电平输出电压
电源电流1
电源电流2
输入上拉电阻1
输入上拉电阻2
内部振荡
反馈电阻
输出禁用
漏电流
* T.B.D ：待定
符号
V
DD
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
DD1
I
DD2
R
UP1
R
UP2
Rf
Id
条件
分钟。
2.97
2.4
-
2.5
-
-
-
-
-
1.0
35
-
典型值。
3.30
-
-
-
-
5
5
2
马克斯。
3.63
-
0.4
-
0.4
(8)
(8)
(4)
单位
V
V
V
V
V
mA
μA
mA
MΩ
kΩ
MΩ
μA
CMOS ： V
DD
= 2.97V ，我
OH
= - 8毫安
CMOS ： V
DD
= 2.97V ，我
OH
=8mA
XC2164Ax1M
/ INH =打开，
Q
0
=开， F = 30MHz的
XC2164Kx1M
/ INH = "L" ，
XC2164Ax1M
Q
0
=开， F = 30MHz的
XC2164Kx1M
/ INH = "L"
/INH=0.7 V
DD
（ T.B.D. *）（ T.B.D. *）
2.0
4.0
70
140
7.0
-
-
10
/ INH = "L"
-
4/12
XC2164
系列
■
电气特性（续）
ΔDC
电气特性（续）
XC2164Ax1T ，V / XC2164Kx1T ，V （基本）
工作电压为3.3V （除非另有说明，V
DD
= 3.3V ，无负载，TA = -30 + 80 ℃ ）
参数
工作电压
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;电平输入电压
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;电平输入电压
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;电平输出电压
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;电平输出电压
符号
V
DD
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
条件
分钟。
2.50
2.4
-
2.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.0
35
-
典型值。
3.30
-
-
-
-
4
5
4
5
2
2
马克斯。
3.63
-
0.4
-
0.4
(6.5)
(8)
(6.5)
(8)
(4)
(4)
单位
V
V
V
V
V
CMOS ： 2.97V ，我
OH
= - 8毫安
CMOS ： 2.97V ，我
OH
=8mA
/ INH =打开，
Q
0
= OPEN ，
f=30MHz
XC2164Ax1T
XC2164Ax1V
XC2164Kx1T
XC2164Kx1V
XC2164Ax1T
/ INH = "L" ，
XC2164Ax1V
Q
0
= OPEN ，
XC2164Kx1T
f=30MHz
XC2164Kx1V
/ INH = "L"
/INH=0.7 V
DD
电源电流1
I
DD1
mA
μA
mA
MΩ
kΩ
MΩ
μA
电源电流2
I
DD2
输入上拉电阻1
输入上拉电阻2
内部振荡
反馈电阻
输出禁用
漏电流
* T.B.D ：待定
R
UP1
R
UP2
Rf
I
OZ
（ T.B.D. *）（ T.B.D. *）
（ T.B.D. *）（ T.B.D. *）
2.0
4.0
70
140
7.0
-
-
10
/ INH = "L"
-
振荡频率随电源电压的比较图表，负电阻值
符号
M
V
T
振荡频率与电源电压
V
DD
=3.3V±10%
±
4.3ppm
±
1.2ppm
±
9.4ppm
负电阻值
V
DD
=3.3V
- 130Ω
- 150Ω
- 660Ω
V
DD
=5.0V
- 220Ω
- 250Ω
- 760Ω
V
DD
=5.0V±10%
±
4.5ppm
±
2.1ppm
±
7.0ppm
（当30MHz的晶体中所用的设计值）。
5/12
-CMOS
低功耗
Oscillation
频率： 4MHz时 125MHz的
：为4MHz 30MHz的
（基波振荡）
：为20MHz 125MHz的
（第3个泛音振荡）
◆3-State
产量
.Built式
电容CG ，镉
.Built式
反馈电阻
会使系统
形式
⑦Mini
模具采用SOT -26封装
■应用
水晶
振动模块
·微
计算机， DSP时钟
通讯
设备
·各种
系统时钟
■一般
描述
的XC2164系列是高频率，低电流
消费CMOS集成电路具有内置的晶体振荡器和
分频电路。
对于基本振荡，输出是从任何一个可选择
为f0的以下值：的f0 / 1中，f0 / 2，的f0 / 4中，f0 / 8 。
与振荡电容器和内置反馈电阻器，它是
可以构成一个稳定的基本振荡器或第三
只使用一个外部晶体振荡器泛音。
另外，
系列产品具有待机功能，内置的类型，
完全暂停振荡（C / E型）或类型
只有暂停输出（ O / E型）可供选择。该
XC2164系列都集成到采用SOT -26封装。该
系列也是在芯片的形式提供。
■特点
振荡频率
：为4MHz 30MHz的（基本）
为20MHz 125MHz的（第3个泛音）
分频比
：可从F0 / 1 ， F0 / 2 ， F0 / 4 ， F0 / 8
（ F0 / 2 ， F0 / 4 ， F0 / 8是基本只）
产量
：三态
工作电压范围
:3.3V
±
10%, 5.0V
±
10%
低功耗
展位包括-by功能
从C / E型和可选
O / E型
芯片形式
：芯片尺寸1.3
×
0.8 mm
超小型封装
： SOT- 26小型模具
针
CON组fi guration
针
转让
引脚数
1
2
3
4
5
6
引脚名称
Q0
V
SS
/ XT
XT
V
DD
/I
NH
功能
时钟输出
地
晶体振荡器
连接（输出）
晶体振荡器
连接（输入）
电源
待机控制*
单位[微米]
*待机控制引脚有一个上拉电阻内置。
■ / INH ，
Q0引脚功能
/I
NH
“H”或开
“L”
Q0
时钟输出
高阻抗
XC2164 ETR1404_001.doc
1683
XC2164
系列
■ PAD
布局芯片FORM
■ PAD
尺寸
引脚数
1
2
3
4
5
6
针
NANE
Q0
V
SS
/ XT
XT
V
DD
/ I
NH
焊盘尺寸
X
Y
514
222
- 450
- 450
514
47
- 264
- 264
- 264
264
27
264
■
产品分类
“订购
信息
XC2164
①②③④⑤⑥
代号
描述
符号
A
B
C
D
K
L
M
N
5
1
（表1）
（表2）
C
M
R
L
T
F
W
描述
：芯片使能： F0 / 1
：芯片使能： F0 / 2 （基本只）
：芯片使能： F0 / 4 （基本只）
：芯片使能： F0 / 8 （基本只）
：输出使能： F0 / 1
：输出使能： F0 / 2 （基本只）
：输出使能： F0 / 4 （基本只）
：输出使能： F0 / 8 （基本只）
:-
： CMOS （ VDD / 2 ） * TTL ：基本4MHz至30MHz的
：第3次泛音，内置型
：基本，内置式
：芯片形式
： SOT- 26
：压纹带，标准饲料
：压纹带，反向饲料
：芯片托盘（晶片厚度： 280 ± 20微米）
：芯片托盘（晶片厚度： 200 ± 20微米）
：晶圆
①
分频比
＆放大器;
待机模式
②
③
④
⑤
固定号码
税级
频率范围&的Rf ，
CG ， CD值
包
⑥
设备方向
表1 ： 3泛音，内置型
符号
A
B
C
D
E
F
H
K
L
频带
3.3V ±10%
5.0V ±10%
－
20MHz至30MHz的
20MHz至30MHz的
30MHz到40MHz的
30MHz到40MHz的
40MHz至50MHz的
40MHz至50MHz的
50MHz至65MHz的
50MHz至65MHz的
65MHz的以80MHz的
65MHz的以80MHz的
为80MHz到95MHz
为80MHz到95MHz
95MHz至为110MHz
95MHz至为110MHz
为110MHz到125MHz的
为110MHz到125MHz的
－
Rf
（kΩ）
9.0
6.5
5.0
3.5
2.8
2.5
2.2
2.0
2.3
Cg
（PF ）
21.5
20.0
16.0
14.0
12.5
10.0
8.0
7.0
5.5
Cd
（PF ）
21.5
20.0
16.0
14.0
12.5
10.0
8.0
7.0
5.5
表2 ：基本，内置型
符号
M，V
T
频带
3.3V ±10%
5.0V ±10%
4MHz至30MHz的
4MHz至30MHz的
4MHz至30MHz的
4MHz至30MHz的
Rf
（kΩ）
3.5/7.0
3.5/7.0
Cg
（PF ）
20.0
35.0
Cd
（PF ）
20.0
35.0
（ * ）的Rf = 3.5MΩ@V
DD
5.0V操作
RF = 7.0 MΩ @ V
DD
= 3.3V操作
1684
XC2164
系列
块
图
“绝对
最大额定值
参数
电源电压
输入电压
功耗
工作温度范围
存储温度范围
符号
V
DD
V
IN
Pd
TOPR
TSTG
条件
V
SS
- 0.3 ~ V
SS
+ 7.0
V
SS
- 0.3 ~ V
DD
+ 0.3
250*
- 40 ~ + 85
- 65 + 150 （片表）
- 55 + 125 （ SOT- 26 ）
Ta=25℃
单位
V
V
mW
℃
℃
℃
**当在玻璃环氧印刷电路板来实现。 （ SOT- 26封装）
1686
XC2164
系列
ⅵELECTRICAL
特征
ΔDC
电气特性
XC2164A51M ， T，V / XC2164K51M ， T，V （基本）
5.0V操作（除非另有说明，V
DD
= 5.0V ，无负载，TA = -30 + 80 ℃ ）
参数
工作电压
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;电平输入电压
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;电平输入电压
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;电平输出电压
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;电平输出电压
电源电流1
符号
V
DD
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
DD
1
条件
CMOS ： V
DD
= 4.5V ，我
OH
=-16mA
CMOS ： V
DD
= 4.5V ，我
OH
=16mA
/I
NH
= OPEN ，
Q0=Open
f=30MHz
XC2164A51M ，V
XC2164A51T
XC2164K51M ，V
XC2164K51T
XC2164A51M ，V
/I
NH
= "L" ，
XC2164A51T
Q0=Open
XC2164K51M ，V
f=30MHz
XC2164K51T
/I
NH
= "L"
/I
NH
=0.7 V
DD
电源电流2
I
DD
2
输入上拉电阻1
输入上拉电阻2
内部振荡
反馈电阻
输出禁用
漏电流
* T.B.D ：待定
Rup1
Rup2
Rf
I
OZ
分钟。
4.5
2.4
-
3.9
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
25
-
典型值。
5.0
-
-
4.2
0.3
11
11
11
11
5
5
马克斯。
5.5
-
0.4
-
0.4
(15)
(15)
(15)
(15)
(8)
(8)
单位
V
V
V
V
V
mA
μA
mA
MΩ
kΩ
MΩ
μA
（ T.B.D. *）（ T.B.D. *）
9
(14)
1.0
2.0
50
100
3.5
-
-
10
/I
NH
= "L"
-
XC2164A51M ， XC2164K51M （基本）
工作电压为3.3V （除非另有说明，V
DD
= 3.3V ，无负载，TA = -30 + 80 ℃ ）
参数
工作电压
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;电平输入电压
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;电平输入电压
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;电平输出电压
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;电平输出电压
电源电流1
电源电流2
输入上拉电阻1
输入上拉电阻2
内部振荡
反馈电阻
输出禁用
漏电流
* T.B.D ：待定
符号
V
DD
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
DD
1
I
DD
2
Rup1
Rup2
Rf
Id
条件
CMOS ： V
DD
= 2.97V ，我
OH
=-8mA
CMOS ： V
DD
= 2.97V ，我
OH
=8mA
/I
NH
= OPEN ，
XC2164A51M
Q0 =开， F = 30MHz的
XC2164K51M
/I
NH
= "L" ，
XC2164A51M
Q0 =开， F = 30MHz的
XC2164K51M
/I
NH
= "L"
/I
NH
=0.7 V
DD
分钟。
2.97
2.4
-
2.5
-
-
-
-
-
1.0
35
-
典型值。
3.30
-
-
-
-
5
马克斯。
3.63
-
0.4
-
0.4
(8)
单位
V
V
V
V
V
mA
μA
mA
MΩ
kΩ
MΩ
μA
（ T.B.D. *）（ T.B.D. *）
2
(4)
（ T.B.D. *）（ T.B.D. *）
2.0
4.0
70
140
7.0
-
-
10
/I
NH
= "L"
-
1687
XC2164系列
CMOS低功耗
振荡频率4MHz至125MHz的
4MHz至30MHz的
（基波振荡）
20MHz至125MHz的
（第3个泛音振荡）
3态输出
内置电容CG ，镉
内置反馈电阻
芯片形式
微型模具SOT- 26封装
概述
的XC2164系列是高频率，低电流
消费CMOS集成电路具有内置的晶体振荡器和
分频电路。
对于基本振荡，输出是从任何一个可选择
为f0的以下值：的f0 / 1中，f0 / 2，的f0 / 4中，f0 / 8 。
随着振荡电容和内置反馈电阻，它
可以构成一个稳定的基本振荡器或第三
只使用一个外部晶体振荡器泛音。
同时还提供外接振荡电容/外部
振荡反馈电阻式，这使得振荡
频率控制成为可能。
在XC2164系列都集成到采用SOT -26封装。
该系列也是芯片形式提供。
集成电路与晶体振荡器的使用
二〇〇三年七月三十〇日版本。五
应用
晶振模块
微型计算机， DSP时钟
通信设备
不同的系统时钟
特点
振荡频率：
分压比：
输出：
4MHz至30MHz的（基本）
20MHz至125MHz的（第3个泛音）
可选择从F0 / 1 ， F0 / 2 ， F0 / 4 ， F0 / 8 。
（ F0 / 2 ， F0 / 4 ， F0 / 8是基本只）
3-State
工作电压范围： 3.3V ± 10 ％ ， 5.0V ± 10 ％
低功耗：待机包括-by功能
从C / E型和O / E型可选
芯片形式：
超小型封装：
芯片尺寸1.3
×
0.8 mm
SOT- 26小型模具
引脚配置
引脚分配
Q0
V
SS
XT
1
2
3
6
5
4
INH
V
DD
XT
引脚数
引脚名称
功能
时钟输出
地
晶体振荡器连接（输出）
晶体振荡器连接（输入）
电源
待机控制*
1
2
3
4
5
6
SOT- 26 （ TOP VIEW ）
Q0
VSS
XT
XT
VDD
INH
*待机控制引脚有一个上拉电阻内置。
/ INH ， Q0引脚功能
/ INH
"H"或打开
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;
Q0
时钟输出
高阻抗
框图
V
DD
Cg
RUP
Rf
Cd
Q
O
V
DD
RUP
Q
O
XT
/ XT
/ INH
1/2
1/2
1/2
XT
V
SS
1/2
1/2
1/2
/ XT
/ INH
V
SS
内置振荡电容，振荡反馈电阻
外部振荡电容，振荡反馈电阻
1
半导体有限公司
XC2164系列
订购信息
XC2164
123456
代号
集成电路与晶体振荡器的使用
符号
A
B
C
D
描述
代号
符号
税级
1
描述
比除法&待机模式
f0/1
f0/2
f0/4
f0/8
f0/1
f0/2
f0/4
f0/8
芯片使能
芯片使能
芯片使能
芯片使能
OUTPUT ENABLE
OUTPUT ENABLE
OUTPUT ENABLE
OUTPUT ENABLE
包
内置型
3
CMOS（ VDD / 2）
注： TTL ：基本4MHz至30MHz的
推荐频率范围&的Rf ， CG ， CD值
（ 3 O / T ）
（基本面）
=参阅表1
=参阅表2
1
K
L
M
N
4
内置型
注： F0 / 2 ， F0 / 4 ， F0 / 8是基本只
5
C
M
R
L
T
W
芯片形式
SOT-26
压纹带：标准饲料
压纹带：反向送纸
芯片托盘
晶圆
2
5
固定号码
6
表1 ：内置型（ 3 O / T ）
符号
A
B
C
D
E
F
H
K
L
频带
3.3V ± 10%
-
20MHz至30MHz的
30MHz到40MHz的
40MHz至50MHz的
50MHz至65MHz的
65MHz的以80MHz的
为80MHz到95MHz
95MHz至为110MHz
为110MHz到125MHz的
5.0V ± 10%
20MHz至30MHz的
30MHz到40MHz的
40MHz至50MHz的
50MHz至65MHz的
65MHz的以80MHz的
为80MHz到95MHz
95MHz至为110MHz
为110MHz到125MHz的
-
Rf
(k)
9.0
6.5
5.0
3.5
2.8
2.5
2.2
2.0
2.3
Cg
（PF ）
21.5
20.0
16.0
14.0
12.5
10.0
8.0
7.0
5.5
Cd
（PF ）
21.5
20.0
16.0
14.0
12.5
10.0
8.0
7.0
5.5
表2 ：内置型（基本）
符号
M，V
T
频带
3.3V ± 10%
4MHz至30MHz的
4MHz至30MHz的
5.0V ± 10%
4MHz至30MHz的
4MHz至30MHz的
射频（*）
(M)
3.5
7.0
3.5
7.0
Cg
（PF ）
35.0
20.0
Cd
（PF ）
35.0
20.0
（ * ）的Rf = 3.5MΩ @V
DD
= 5.0V操作
RF = 7.0MΩ @V
DD
= 3.3V操作
2
半导体有限公司
XC2164系列
绝对最大额定值
参数
电源电压
输入电压
连续总功率
耗散
工作环境
温度
储存温度
符号
VDD
VIN
Pd
TOPR
TSTG
条件
VSS - 0.3 VSS + 7.0
VSS - 0.3 VDD + 0.3
250*
-40 ~ +85
-65 + 150 （片表）
-55 + 125 （ SOT- 26 ）
*当在玻璃环氧印刷电路板来实现（ SOT26封装）
集成电路与晶体振荡器的使用
二〇〇三年七月三十〇日版本。五
单位
V
V
mW
O
C
C
C
O
O
电气特性
XC2164A51M ， T，V基本
参数
工作电源电压
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;电平输入电压
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;电平输入电压
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;电平输出电压
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;电平输出电压
消耗电流1
消耗电流2
输入上拉电阻1
输入上拉电阻2
符号
VDD
VIH
VIL
VOH
VOL
IDD1
IDD2
Rup1
Rup2
Cg
内置振荡容量
Cd
内部振荡反馈电阻
输出禁止泄漏电流
Rf
IOZ
/ INH = "L"
(*)
CMOS ： VDD = - 4.5V ， IOH = - 16毫安
CMOS ： VDD = 4.5V ， IOH = 16毫安
/ INH =打开， Q0 =打开
f=30MHz
/ INH = " L " ， Q0 =打开
f=30MHz
/ INH = "L"
/INH=0.7VDD
(*)
XC2164A51M ，V
XC2164A51T
XC2164A51M ，V
XC2164A51T
XC2164A51M ，V
XC2164A51T
XC2164A51M ，V
XC2164A51T
0.5
25
3.9
4.2
0.3
11
11
5
5
1.0
50
35
20
35
20
3.5
10
M
A
pF
0.4
( 15 )
( 15 )
(8)
(8)
2.0
100
M
k
A
5.0V操作（除非另有说明， VDD = 5.0V ，无负载，TA = 30 + 80
O
C)
条件
分钟。
4.5
2.4
0.4
典型值。
5.0
马克斯。
5.5
单位
V
V
V
V
V
mA
注1：对于CG的值，镉是设计值。
XC2164A51M基础
参数
工作电源电压
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;电平输入电压
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;电平输入电压
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;电平输出电压
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;电平输出电压
消耗电流1
消耗电流2
输入上拉电阻1
输入上拉电阻2
符号
VDD
VIH
VIL
VOH
VOL
IDD1
IDD2
Rup1
Rup2
Cg
内置振荡容量
Cd
内部振荡反馈电阻
魔鬼的输出漏电流
Rf
IOZ
/ INH = "L"
(*)
(*)
f=30MHz
/ INH = " L " ， Q0 =打开
f=30MHz
/ INH = "L"
/INH=0.7VDD
XC2164A51M ，V
XC2164A51T
XC2164A51M ，V
XC2164A51T
CMOS ： 2.97V ， IOH = - 8毫安
CMOS ： 2.97V ， IOH = 8毫安
/ INH =打开， Q0 =打开
XC2164A51M ，V
XC2164A51T
XC2164A51M ，V
XC2164A51T
1.0
35
5
4
2
2
2.0
70
35
20
35
20
7.0
10
M
A
pF
2.5
0.4
(8)
( 6.5 )
(4)
(4)
4.0
140
M
k
A
3.3V操作（除非另有说明， VDD = 3.3V ，无负载，TA = 30 + 80
O
C)
条件
分钟。
2.97
2.4
0.4
典型值。
3.30
马克斯。
3.63
单位
V
V
V
V
V
mA
*注1：对于CG ，镉的值是设计值。
半导体有限公司
4
XC2164系列
电气特性（续）
XC2164A51T ，V基本
参数
工作电源电压
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;电平输入电压
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;电平输入电压
＆ QUOT ; H ＆ QUOT ;电平输出电压
\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;电平输出电压
消耗电流1
消耗电流2
输入上拉电阻1
输入上拉电阻2
符号
VDD
VIH
VIL
VOH
VOL
IDD1
IDD2
Rup1
Rup2
Cg
内置振荡容量
Cd
内部振荡反馈电阻
魔鬼的输出漏电流
Rf
IOZ
(*)
(*)
f=30MHz
/ INH = " L " ， Q0 =打开
f=30MHz
集成电路与晶体振荡器的使用
3.3V操作（除非另有说明， VDD = 3.3V ，无负载，TA = 30 + 80
O
C)
条件
分钟。
2.5
2.4
0.4
CMOS ： 2.97V ， IOH = - 8毫安
CMOS ： 2.97V ， IOH = 8毫安
/ INH =打开， Q0 =打开
XC2164A51M ，V
XC2164A51T
XC2164A51M ，V
XC2164A51T
/ INH = "L"
/INH=0.7VDD
XC2164A51M ，V
XC2164A51T
XC2164A51M ，V
XC2164A51T
/ INH = "L"
1.0
35
5
4
2
2
2.0
70
35
20
35
20
7.0
10
M
A
pF
2.5
0.4
(8)
( 6.5 )
(4)
(4)
4.0
140
M
k
A
典型值。
3.30
马克斯。
3.63
单位
V
V
V
V
V
mA
*注1：对于CG ，镉的值是设计值。
振荡频率随电源电压和负电阻值比较表（当300MHz的晶体被使用的设计值。 ）
符号
M
V
T
振荡频率与电源电压
VDD = 3.3 V ，
±10%
VDD = 5.0 V ，
±10%
±
4.3 PPM
±
1.2 PPM
±
9.4 PPM
±
4.5 PPM
±
2.1 PPM
±
7.0 PPM
负电阻值
VDD = 3.3V
- 130
- 150
- 660
VDD = 5.0V
- 220
- 250
- 760
5
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