模型XC2100A -05
REV C
5分贝定向耦合器
描述
该XC2100A -05是一种低姿态，高性能5分贝定向耦合器
在新的易于使用的，制造型表面贴装封装。这是
专为UMTS等3G频段应用。该XC2100A - 05
特别是对于非二进制分割的设计和结合在高功率
放大器，例如用于连同一个3dB得到一个3路，加上其它信号
分发应用在需要低插入损耗。它可用于
在高功率应用中高达175瓦。
部分已经经过了严格的资格测试，他们是
使用的材料的热膨胀系数。制造（ CTE）的
与普通基材如FR4， G-10 ， RF -35， RO4350兼容
和聚酰亚胺。可在5 6锡铅均（ XC2100A - 05P ）和6 6
浸锡（ XC2100A - 05S ）符合RoHS完成。
电气规格
**
意味着
插入
相
频率
VSWR
耦合
损失
平衡
兆赫
dB
最大分贝
马克斯： 1
度
产品特点：
二○○○年至2300年兆赫
UMTS等3G
高功率
损耗非常低
紧耦合
高指向性
生产场所
磁带和卷轴
可提供无铅（如
示出）或锡 - 铅
可靠， FIT = 0.53
2000-2300
2110-2170
5.0 ± 0.22
5.0 ± 0.19
频率
灵敏度
最大分贝
0.15
0.12
1.15
1.12
θJC
° C /瓦
90±2.0
90±2.0
操作
温度。
C
指向性
分贝分钟
动力
平均。 CW瓦
23
25
± 0.05
± 0.03
125
175
19
19
-55到+95
-55到+95
**规格的基础上正确地安装在安伦测试板58481-0001小的机组性能
信号应用。规格如有变更，恕不另行通知。请参阅参数定义的详细资料。
顶视图（近边）
SIDE VIEW
底部视图（远端）
销1
方向
标记表示
销1
.560
±.010
[14.22
±0.25
]
.064
±.006
[1.62
±0.15
]
销2
销2
4X .040
±.004
[1.02
±0.10
]
销1
GND
.350
±.010
[8.89
±0.25
]
.220
±.004
[5.59
±0.10
]
4X .059
±.004
SQ
[1.50
±0.10
]
引脚4
表示
序列号
GND
3脚
3脚
.430
±.004
[10.92
±0.10
]
引脚4
外形尺寸为英寸[毫米]
XC2100A -05 *机械大纲
*对于符合RoHS版本责令带S后缀
公差非累积
可在磁带
和卷轴于拾
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模型XC2100A -05
REV C
定向耦合器引脚配置
该XC2100A -05有一个方向的标记来表示引脚1.一旦端口1已确定的其他端口
自动众所周知的。请参阅下面的说明图表：
销1
输入
隔离
直接
再加
销2
隔离
输入
再加
直接
3脚
直接
再加
输入
隔离
引脚4
再加
直接
隔离
输入
注：直接端口具有直流连接至输入端口和耦合端口具有直流连接至所述
隔离端口。
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可在磁带和
卷于拾放
制造业。
模型XC2100A -05
REV C
插入损耗和功率降额曲线
典型插入损耗降额曲线XC2100A -05
0
-0.02
-0.04
-0.06
I N发E RT IO N L O 2 S S（ D B ）
P 2 O宽E R（W一吨吨S）
-0.08
-0.1
-0.12
-0.14
-0.16
-0.18
-0.2
-100
-50
0
50
100
150
200
该部分的温度（ ℃）
250
300
350
典型插入损耗（ F = 2170MHz频率）
典型插入损耗（ F = 2300MHz ）
250
225
200
175
150
125
100
75
50
25
0
0
25
50
功率降额曲线XC2100A -05
功率处理，在2170MHz频率
功率处理在2300MHz
75
100 125 150 175 200 225 250 275 300
基板温度（℃ ）
插入损耗降额：
插入损耗的一组中，在给定的频率，
成色剂是在25 ℃，然后取平均值。该
测量是在小信号进行
条件（即使用矢量网络分析仪） 。该
过程重复进行，在95℃ ， 150 ℃， 200℃。一个best-
拟合线的测量数据被计算，然后
从-55 ° C至300 ℃的绘制。
额定功率降低：
功率处理和相应的功率降额
情节是热电阻的函数，安装
表面温度（基板温度） ，
最大持续工作温度
成色剂，和热插入损耗。热
插入损耗的功率处理部分定义
数据表。
作为安装界面温度接近
最大连续工作温度时，电源
处理减少到零。
可在磁带
和卷轴于拾
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模型XC2100A -05
REV C
典型性能（ -55°C ， 25 ° C和95 ° C） ： 2000-2300兆赫
回波损耗XC2100A -05 （进料口1 ）
0
-5
-10
-15
- [R （E T） ü RN 1。· S S小（ D B ）
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-50
2000
2050
2100
2150
2200
频率（MHz）
2250
2300
- [R （E T） ü RN 1。· S S小（ D B ）
- 55C
25C
95C
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-50
2000
2050
回波损耗XC2100A -05 （进料口2 ）
- 55C
25C
95C
2100
2150
2200
频率（MHz）
2250
2300
回波损耗XC2100A -05 （进料口3 ）
0
-5
-10
-15
- [R （E T） ü RN 1。· S S小（ D B ）
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-50
2000
2050
2100
2150
2200
频率（MHz）
2250
2300
- [R （E T） ü RN 1。· S S小（ D B ）
- 55C
25C
95C
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-50
2000
2050
回波损耗XC2100A -05 （进料口4 ）
- 55C
25C
95C
2100
2150
2200
频率（MHz）
2250
2300
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模型XC2100A -05
REV C
典型性能（ -55°C ， 25 ° C和95 ° C） ： 2000-2300兆赫
耦合XC2100A -05 （进料口1 ）
-4.5
-4.6
-4.7
牛逼岭 S M是S IO N L O 2 S S（ D B ）
-4.8
C 0 P u，林G（D B）
-4.9
-5
-5.1
-5.2
-5.3
-5.4
-5.5
2000
2050
2100
2150
2200
频率（MHz）
2250
2300
- 55C
25C
95C
-1.5
-1.55
-1.6
-1.65
-1.7
-1.75
-1.8
-1.85
-1.9
-1.95
-2
2000
传输损耗XC2100A -05 （进料口1 ）
- 55C
25C
95C
2050
2100
2150
2200
频率（MHz）
2250
2300
对于XC2100A -05相位平衡（进料口1 ）
93
- 55C
25C
95C
0
-5
-10
-15
愤怒（C T）四是Y（ D B ）
-20
-25
-30
-35
-40
-45
87
2000
2050
2100
2150
2200
频率（MHz）
2250
2300
-50
2000
2050
方向性XC2100A -05 （进料口1 ）
- 55C
25C
95C
92
P h的发E B一拉N c个E（ D E克重（E S） ）
91
90
89
88
2100
2150
2200
频率（MHz）
2250
2300
可在磁带
和卷轴于拾
将制造。
美国/加拿大：
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