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14.0-30.0 GHz的砷化镓MMIC
缓冲放大器
2007年2月 - 修订版于05-Feb -07
B1009-BD
芯片设备布局
特点
优秀发送LO /输出缓冲级
片上ESD保护
18.0分贝小信号增益
22.0 dBm的P1dB压缩点
100 ％的晶片RF ， DC和输出功率测试
100 ％目视检查，以MIL -STD- 883方法2010
概述
MIMIX宽带的三级14.0-30.0 GHz的砷化镓
MMIC缓冲放大器具有18.0的小信号增益
分贝与22.0 dBm的P1dB的输出压缩点。
这MMIC采用MIMIX宽带的0.15微米的GaAs
PHEMT器件的模型技术，并基于
电子束光刻，以确保高
重复性和均匀性。该芯片具有表面
钝化保护，并提供一个坚固的部分与
通孔和镀金允许擦屁股
无论是导电环氧树脂或共晶焊死
重视过程。这个装置是非常适合
毫米波点至点收音机， LMDS ，卫星通信
和VSAT应用。
绝对最大额定值
电源电压（ VD）
电源电流（ Id1,2 ）
栅极偏置电压（ VG）
输入功率（Pin ）
存储温度（ TSTG ）
工作温度（Ta ）
通道温度（ TCH）
+6.0伏
110 ， 340毫安
+0.3 VDC
12.0 dBm的
-65 + 165
O
C
-55到MTTF图
1
MTTF图
1
（ 1 ）信道的温度会影响设备的平均无故障时间。这是
建议保持通道温度低至
可能的最大生命值。
电气特性（环境温度T = 25
o
C)
参数
频率范围（ F）
输入回波损耗（ S11 ）
输出回波损耗（ S22 ）
小信号增益（ S21 ）
增益平坦度（ S21 ）
反向隔离（ S12 ）
输出功率的1dB压缩（ P1dB为）
2
漏极偏置电压（ Vd1,2 ）
栅极偏置电压（ Vg1,2 ）
电源电流（ ID1） （VD = 5.0V ， V G = -0.6V典型）
电源电流（ ID2） （VD = 5.0V ， V G = -0.6V典型）
（ 2 ）使用恒定电流测量。
单位
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
VDC
VDC
mA
mA
分钟。
14.0
-
-
-
-
-
-
-
-1.0
-
-
典型值。
-
7.0
8.0
18.0
+/-4.0
40.0
+22.0
+5.0
-0.6
80
240
马克斯。
30.0
-
-
-
-
-
-
+5.5
0.0
95
290
MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099
电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com
第1页7
特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。
2007
MIMIX宽带公司
出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
14.0-30.0 GHz的砷化镓MMIC
缓冲放大器
2007年2月 - 修订版于05-Feb -07
B1009-BD
缓冲放大器测量
XB1009 -BD Vd1,2 = 5.0 V ，ID1 = 80毫安，ID2 = 240毫安
28
26
24
22
反向隔离度（dB ）
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
10.0 12.0 14.0 16.0 18.0 20.0 22.0 24.0 26.0 28.0 30.0 32.0 34.0 36.0
频率（GHz ）
0
XB1009 -BD Vd1,2 = 5.0 V ，ID1 = 80毫安，ID2 = 240毫安
20
18
增益（dB ）
16
14
12
10
8
6
4
2
10.0 12.0 14.0 16.0 18.0 20.0 22.0 24.0 26.0 28.0 30.0 32.0 34.0 36.0
频率（GHz ）
XB1009 -BD Vd1,2 = 5.0 V ，ID1 = 80毫安，ID2 = 240毫安
0
0
XB1009 -BD Vd1,2 = 5.0 V ，ID1 = 80毫安，ID2 = 240毫安
-5
-5
-10
输出回波损耗（dB ）
频率（GHz ）
输入回波损耗（dB ）
-10
-15
-15
-20
-20
-25
10.0 12.0 14.0 16.0 18.0 20.0 22.0 24.0 26.0 28.0 30.0 32.0 34.0 36.0
-25
10.0 12.0 14.0 16.0 18.0 20.0 22.0 24.0 26.0 28.0 30.0 32.0 34.0 36.0
频率（GHz ）
MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099
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缓冲放大器
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B1009-BD
S-参数
了典型的S参数数据XB1009 -BD
Vd1,2 = 5.0 V ，ID1 = 80毫安，ID2 = 240毫安
频率
（千兆赫）
10.0
11.0
12.0
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
19.0
20.0
21.0
22.0
23.0
24.0
25.0
26.0
27.0
28.0
29.0
30.0
31.0
32.0
33.0
34.0
35.0
36.0
S11
（ MAG ）
0.866
0.849
0.833
0.806
0.732
0.624
0.487
0.327
0.215
0.213
0.291
0.340
0.376
0.401
0.405
0.405
0.407
0.395
0.378
0.327
0.292
0.168
0.231
0.479
0.670
0.793
0.855
S11
（ ANG）
162.16
145.75
128.87
110.27
90.51
71.60
51.81
33.04
-8.09
-167.70
144.90
128.44
116.95
107.20
101.42
96.64
91.85
86.30
82.93
77.70
76.71
90.04
150.73
145.59
131.41
117.57
107.03
S21
（ MAG ）
2.608
4.747
7.301
9.283
10.024
10.809
11.778
12.072
12.912
13.450
10.757
9.159
8.069
7.259
6.847
6.529
6.226
5.971
5.821
5.916
5.560
5.565
5.054
4.050
2.985
1.957
1.282
S21
（ ANG）
30.53
-30.65
-89.65
-147.04
161.26
118.79
77.28
36.18
1.81
-49.05
-86.54
-118.20
-146.95
-174.19
159.58
132.91
105.85
79.38
52.32
24.06
-9.22
-42.35
-81.80
-120.19
-157.36
170.20
145.43
S12
（ MAG ）
0.0030
0.0032
0.0040
0.0038
0.0032
0.0029
0.0029
0.0027
0.0083
0.0126
0.0085
0.0065
0.0065
0.0070
0.0067
0.0062
0.0053
0.0044
0.0041
0.0014
0.0038
0.0024
0.0008
0.0018
0.0030
0.0013
0.0009
S12
（ ANG）
-154.75
166.25
155.09
135.97
123.06
133.61
135.74
162.17
177.42
112.53
93.17
89.01
81.94
78.23
73.41
60.44
60.41
57.95
42.47
56.44
58.26
61.77
92.87
97.43
90.04
87.50
91.57
S22
（ MAG ）
0.761
0.679
0.582
0.523
0.458
0.392
0.352
0.329
0.222
0.309
0.326
0.313
0.308
0.314
0.318
0.326
0.359
0.393
0.430
0.456
0.497
0.532
0.558
0.597
0.634
0.651
0.682
S22
（ ANG）
162.07
145.04
132.21
121.65
109.87
104.03
100.26
93.71
86.81
115.45
100.62
96.01
92.99
91.37
90.75
92.39
91.55
88.92
86.33
80.22
78.77
73.51
68.12
63.18
57.91
52.25
47.79
MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099
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缓冲放大器
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B1009-BD
0.483
(0.019)
1.084
(0.043)
机械制图
1.330
(0.052)
2
3
0.620
(0.024)
1
4
0.498
(0.020)
0.0
0.0
6
0.468
(0.018)
5
1.070
(0.042)
1.600
(0.063)
（注：工程代号是20MPA5007 ）
单位：毫米（英寸）粘接焊盘尺寸示于接合垫的中心。
厚度： 0.110 +/- 0.010 （ 0.0043 +/- 0.0004 ） ，背面是地面，邦德垫/背面金属：黄金
所有的DC焊垫（ Vd3的除外）都是0.100 X 0.100 （ 0.004 X 0.004 ） 。所有RF焊垫（维生素D3 ）是0.100 X 0.200 （ 0.004 X 0.008 ）
接合焊盘的中心大约0.109 （ 0.004 ），从芯片的边缘。
切割公差： +/- 0.005 （ +/- 0.0002 ） 。大约重量： 1.319毫克。
焊盘＃ 1 （ RF输入）
焊盘＃ 2 （ Vd1的）
焊盘＃ 3 （ Vd2的）
焊盘＃ 4 （ RF输出）
Vd2
焊盘＃ 5 （ VG1 ）
焊盘＃ 6 （ VG2 ）
偏置安排
Vd1
旁路电容
- 参见应用笔记[ 2 ]
2
3
在RF
1
4
RF OUT
6
5
Vg1
Vg2
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B1009-BD
应用笔记[1]偏置 -
建议通过Vd2的在Vd的分别地偏置每个放大器级Vd1的（1,2） = 5.0V同为Id1 = 80 mA和
ID2 = 240 mA的电流。单独的偏置，建议如果放大器是在高水平的饱和度，其中栅极精馏将改变要使用的
有效的栅极控制电压。对于非关键应用是可能的平行所有阶段和调整公共栅极电压，共漏极
电流Id （总） = 320毫安。此外，还建议使用有源偏置，以保持电流恒定的RF功率和温度而变化;这
给出了最可重复的结果。取决于可用的电源电压和功耗的限制，偏置电路可以是一个
单个晶体管或低功率运算放大器，具有串联地用于感测电流的漏极供给的低值电阻。的栅极
所述的pHEMT被控制，以保持正确的漏极电流，因此漏极电压。需要做这种典型的栅极电压为-0.6V 。通常情况下，
栅极保护用硅二极管，以限制所施加的电压。此外，请确保测序所施加的电压，以确保负栅偏压
可施加正的漏极供应之前。
应用笔记[2]偏置安排 -
对于平行级的偏置（推荐用于一般应用） - 等同于个人级的偏置，但所有的漏或栅焊盘DC旁路
电容器（ 100-200 pF）时，可结合使用。附加DC旁路电容（ 0.01 UF）也建议所有的DC或组合（如门或
直流偏置垫水渠连接在一起） 。
对于个人级的偏置（推荐饱和的应用程序） - 每个DC垫（ Vd1,2和Vg1,2 ）需要有DC旁路电容
（ 100-200 pF）时尽可能接近所述设备成为可能。附加DC旁路电容（ 0.01 UF）还建议。
MTTF图
1.0E+10
分别计算出这些数字的基础上加速寿命试验资料和热模型分析从制造代工好评。
XB1009 -BD Vd1,2 = 5.0 V Id1,2 = 320毫安
1.0E+05
XB1009 -BD Vd1,2 = 5.0 V Id1,2 = 320毫安
1.0E+09
1.0E+04
1.0E+08
平均无故障时间（小时）
1.0E+03
1.0E+07
FITS
1.0E+02
1.0E+06
1.0E+01
1.0E+05
1.0E+04
55
65
75
85
95
105
115
125
背板温度（摄氏度）
1.0E+00
55
65
75
85
95
105
115
125
背板温度（摄氏度）
没有RF
噘嘴= + 21 dBm的
没有RF
噘嘴= + 21 dBm的
XB1009 -BD Vd1,2 = 5.0 V Id1,2 = 320毫安
44
43
42
41
40
RTH （ ℃/ W）
XB1009 -BD Vd1,2 = 5.0 V Id1,2 = 320毫安
250
230
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
55
65
75
85
95
105
115
125
背板温度（摄氏度）
没有RF
噘嘴= + 21 dBm的
210
TCH （ ℃）
190
170
150
130
55
65
75
85
95
105
115
125
背板温度（摄氏度）
没有RF
噘嘴= + 21 dBm的
MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099
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