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我GNS
DE S
EW
CT
FO PR O D用ü
D
NDE
TE
M M ê B·S TI TU
O
SU 6012
数据表
EC
N 2 O牛逼S S小I B LE
X9
PO
X9530
二○○五年十一月一十一日
FN8211.1
温度补偿激光二极管
调节器
特点
兼容主流光纤模块
技术指标如的Xenpak , SFF ,SFP和
GBIC
-14 Ld的TSSOP
两个可编程电流发生器
- ±最大1.6毫安。
-8位( 256步)分辨率
集成的6位A / D转换器
温度补偿
- 内部或外部传感器
--40 ° C至+ 100 °C范围内
-2.2 ° C /步进分辨率
-EEPROM查找表
热插拔
2176位EEPROM
-17页
-16字节每页
写保护电路
-Intersil BlockLock
-Logic控制的保护
3从地址位-2 -Wire总线
3V至5.5V单电源工作
无铅加退火有(符合RoHS )
激光二极管偏置控制中的应用
SONET和SDH传输系统
1G和10G以太网和光纤通道激光
二极管驱动器电路
描述
在X9530是一款高度集成的激光二极管偏置
控制器,它集成了两个数字化控制
可编程电流发生器,温度
补偿用专用的查找表,以及
补充EEPROM阵列。的所有功能
器件通过2线数字串行接口进行控制。
两个温度补偿可编程电流
发电机,改变输出电流随温度
根据相关联的非易失性的内容
查表。所述查找表可以被编程
用任意的数据由用户通过2线串行接口,
和内部或外部的温度传感器
可用于控制输出电流的响应。
这些温度补偿的亲可编程
电流也许用于控制调制电流
和激光二极管的偏置电流。
集成的通用EEPROM包括
对于产品的数据存储和可用于收发信机
在激光二极管应用模块的信息存储。
部分
X9530V14I*
X9530V14IZ*
(注)
部分
记号
X9530V
X9530V
温度范围
(°C)
-40至100
-40至100
14引脚TSSOP
14引脚TSSOP
(无铅)
*添加"T1"后缀磁带和卷轴。
注: Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅
材料套;模塑料/晶片的附属材料和100 %
雾锡板终止完成,这是符合RoHS标准,
既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil公司
无铅产品分类MSL在无铅峰值回流
气温达到或超过的无铅要求
IPC / JEDEC J STD- 020 。
引脚配置
A0
A1
A2
VCC
WP
SCL
SDA
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
I2
VREF
VSENSE
VSS
R2
R1
I1
TSSOP 14L
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2005.版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
X9530
典型用途
GBIC / SFP / XFP模块
V
CC
高速
数据输入
激光
二极管
司机
电路
LD
MPD
X9530
I
1
MOD_DEF
(0)
MOD_DEF
(1)
SDA
SCK
I
2
I
PINSET
/I
BIASSET
I
MODSET
I
LD
I
MON
框图
电压
参考
VREF
VSENSE
温度
传感器
ADC
MUX
MUX
查询
表2
查询
表1
控制
&状态
一般
用途
内存
MUX
DAC 2
R2
I2
MUX
DAC 1
I1
R1
SDA
SCL
WP
A2, A1, A0
2-Wire
接口
设备描述
在X9530结合了两个可编程电流
发电机,并与座集成EEPROM
LOCK
保护,
in
封装。
可编程电流发生器非常适用于使用
光纤调制电流的温度要求
控制权。的X9530的功能相结合,
与Intersil的芯片级封装可降低系统成本,
提高可靠性,并降低电路板空间
要求。
两个片上可编程电流发生器可
可独立编程为汇或源
电流。产生的最大电流是
通过使用外部连接的测定
编程电阻,或者通过选择3之一
预定义的值。这两个电流发生器有
的±1.6 mA(最大值)的输出,并且可以被控制为
的0.39 %的绝对分辨率( 256步/ 8位)。
这两个电流发生器,可以用一个片驱动
板上温度传感器,外部传感器,或
控制寄存器。内部温度传感器
工作在很宽的温度范围内(-40
°
C
+100
°
C) 。传感器的输出(内部或外部)
驱动一个6位的A / D转换器,它的输出中选择一个
从各非易失性查找表( LUT)的64个字节。
所选的LUT行的内容( 8位)
驱动一个8位D的输入/ A转换器,其
产生的输出电流。
在X9530的所有控制和设置参数,
包括查找表,是可编程的经由
2线串行接口。
2
FN8211.1
二○○五年十一月一十一日
X9530
该装置的通用存储器部分是一个
CMOS串行EEPROM阵列与Intersil的座
LOCK
TM
保护。这个存储器可用于存储
光纤模块的制造数据,序列号,
或各种其他系统参数。
引脚分配
TSSOP
1
2
3
4
5
EEPROM阵列内部组织为272 ×8
具有16字节的页位,并采用了Intersil的
专有的直接写入电池,可提供最低
100,000页写周期和耐力
100年最少可以保存数据。
名字
A0
A1
A2
VCC
WP
引脚说明
器件地址选择引脚0 。
该引脚决定该设备地址的LSB
使用2线接口通信所需。 A0引脚具有一个片上下拉电阻。
器件地址选择引脚1 。
该引脚决定该设备地址的中间位重
quired使用2线接口进行通信。在A1引脚具有一个片上下拉电阻。
器件地址选择引脚2 。
该引脚决定所需的设备地址的最高位
使用2线接口进行通信。 A2引脚具有一个片上下拉电阻。
电源电压。
写保护控制引脚。
该引脚是CMOS兼容输入。低电平时,写保护
启用防止任何“写”操作。当高电平时,存储器的不同区域可以是
使用块锁定位BL1和BL0保护。 WP引脚具有一个片上下拉电阻,
这使得写保护时,该引脚悬空。
串行时钟。
这是一个TTL兼容的输入管脚。该输入是2线接口的时钟控制
数据输入和输出的SDA引脚。
串行数据。
此引脚是2线接口数据移入或移出器件。这是TTL
作为输入兼容使用时,它是开漏作为输出使用时。该引脚需要
一个外部上拉电阻。
电流发生器1输出。
该引脚汇或源电流。的大小和方向
电流是完全可编程的,并且自适应的。分辨率为8位。
电流编程电阻1 。
该引脚与VSS之间的电阻可设置的最大
输出电流可在脚I1 。如果没有电阻时,最大电流,必须选择
利用控制寄存器位。
电流编程电阻2 。
该引脚与VSS之间的电阻可设置的最大
输出电流可在脚I2 。如果没有电阻时,最大电流,必须选择
利用控制寄存器位。
地面上。
传感器的电压输入。
这个电压输入可被用来驱动芯片上的A / D转换器的输入
变频器。
参考电压输入或输出。
该引脚可配置为输入或输出。
作为输入,在这个引脚上的电压由外部电源提供。作为输出,电压
在这个引脚是片上带隙基准电路的缓冲输出电压。在这两种情况下,该
电压此引脚为A / D参考
转换器和两个D / A转换器。
电流发生器2输出。
该引脚汇或源电流。的大小和方向
电流是完全可编程的,并且自适应的。分辨率为8位。
6
7
SCL
SDA
8
9
I1
R1
10
R2
11
12
13
VSS
VSENSE
VREF
14
I2
3
FN8211.1
二○○五年十一月一十一日
X9530
操作原理
控制和状态寄存器
控制和状态寄存器为用户提供
用机构,用于改变和读取的值
的X9530的各种参数。在X9530
包含七个控件,一个状态,和几个
保留寄存器,每个都是1字节宽的(见
图1)。控制寄存器0到6是
位于内存通过86H地址80H
分别。状态寄存器的内存地址
87H ,并且在内存地址中保留的寄存器
88H通过的8Fh 。
在所有控制寄存器的位6总功率达
逻辑状态为“0” 。在所有控制寄存器的位0到5
电到逻辑状态值保存在其
对应的非易失性存储器单元。该
寄存器的非易失位保留其存储的值
即使当X9530掉电,则动力
备份。非易失位控制在0
控制5个寄存器都被预先设定为逻辑
状态为“0 ”的工厂。
读取时显示为“保留”位被忽略,
且必须被写为“0” ,如果任何写操作是
执行自己的寄存器。
每一个的功能的详细描述
控制和状态寄存器位如下:
控制寄存器0
该寄存器执行读或访问
写操作,以解决存储器为80h 。
BL1 , BL0 : B
LOCK
L
OCK保护位
(N
ON
-
挥发物
)
这两个位用于抑制任何写操作
到所述存储器阵列中的特定的地址。该
的存储器的保护区是由确定的
两个比特的值,如在下表中:
受保护的地址
(尺码)
无(默认)
从00h到7F ( 128字节)
从00h到7F和90H到
CFH ( 192字节)
从00h到7F和90H到
10Fh (256字节)
请注意,如果写的保护(WP )输入引脚
X9530有效(低电平) ,那么任何写操作
记忆被抑制,无论座
锁定位设置。
VRM : V
oltage
R
指南PIN
M
ODE
(N
ON
-
挥发物
)
该VRM位配置的电压参考引脚
(VREF)作为输入或输出。当VRM
位被置为“0”(缺省值),在销的VRef上的电压为
从X9530的内部参考电压输出。
当在VRM位被置为“ 1”时,参考电压
为VREF引脚是外部的。参见图2 。
ADCIN :A / D C
ONVERTER
I
NPUT
S
ELECT
(N
ON
-
挥发物
)
该ADCIN位选择片上A / D输入
转换器。当ADCIN位被置为“0” (缺省),
片上温度传感器的输出是
输入到A / D转换器。当ADCIN位被置位
为“1”时,输入到A / D转换器是电压
VSENSE引脚。参见图4 。
ADC
FILT
O
FF
: ADC F
ILTERING
C
ONTROL
(N
ON
-
挥发物
)
当此位为“1”时,状态寄存器, 87H为
ADC的每次转换后更新。当此
位为“0” (默认值) ,状态寄存器更新后
四个连续的转换具有相同的结果。
NV1234 :C
ONTROL寄存器
1, 2, 3,
4
VOLA
-
Utility处理方式选择位
(N
ON
-
挥发物
)
当NV1234位被置为“0” (缺省),字节
写入到控制寄存器1 ,2,3和4被存储在
易失性的细胞,它们的内容被丢失X9530时
断电。当NV1234位被置为“1” ,
字节写入到控制寄存器1 ,2,3和4是
存储在易失性和非易失性的细胞,以及它们
当X9530是动力值不会改变
下来,供电恢复正常。见“写控制
第17页上的寄存器“。
I1DS :C
光凭目前
G
enerator
1 D
IRECTION
S
ELECT
B
IT
(N
ON
-
挥发物
)
该I1DS位设置电流发生器1的极性,
DAC1 。当此位被设置为“0” (默认值) ,当前
在X9530的发电机1被配置为电流
源。电流发生器1被构造为一个
当I1DS位被置为“1”的电流宿。看
图5中。
阵列的分区
锁定
无(默认)
BL1
0
0
1
1
BL0
0
1
0
1
GPM
GPM , LUT1
GPM , LUT1 , LUT2
如果用户试图执行写操作到
的存储器保护区,该操作被中止
在不改变阵列中的任何数据。
4
FN8211.1
二○○五年十一月一十一日
X9530
图1.控制和状态寄存器的格式
字节
地址
最高位
7
80h
非挥发
I2DS
6
I1DS
5
NV1234
控制
1, 2, 3, 4
挥发性
0 :挥发性
1 :非
挥发物
最低位
4
ADCfiltOff
ADC
筛选
0 :上
1 : OFF
3
2
VRM
电压
参考
模式
0 :内部
1 :外部
1
BL1
0
BL0
注册
名字
ADCIN
ADC输入
0 :内部
1 :外部
控制0
I1和I2的方向
0 :源
1 :水槽
锁座
00 :无锁定
01 : GPM锁定
10 : GPM , LUT1 ,锁定
11 : GPM , LUT1 , LUT2
锁定
直接访问LUT1
81h
挥发或
非挥发
版权所有
版权所有
L1DA5
L1DA4
L1DA3
L1DA2
L1DA1
L1DA0
控制1
82h
挥发或
非挥发
直接访问LUT2
版权所有
版权所有
L2DA5
L2DA4
L2DA3
L2DA2
L2DA1
L2DA0
控制2
直接访问DAC1
83h
挥发或
非挥发
D1DA7
D1DA6
D1DA5
D1DA4
D1DA3
D1DA2
D1DA1
D1DA0
控制3
直接访问DAC2
84h
挥发或
非挥发
D2DA7
D2DA6
D2DA5
D2DA4
D2DA3
D2DA2
D2DA1
D2DA0
控制4
85h
非挥发
D2DAS
直接
ACCESS
到DAC2
0 :禁用
1 :启用
L2DAS
直接
ACCESS
到LUT2
0 :禁用
1 :启用
D1DAS
直接
ACCESS
到DAC1
0 :禁用
1 :启用
L1DAS
直接
ACCESS
到LUT1
0 :禁用
1 :启用
I2FSO1
I2FSO0
I1FSO1
I1FSO0
控制5
R2的选择
00 :外部
01 :内部低
10 :中东内部
11:高内
R1的选择
00 :外部
01 :内部低
10 :中东内部
11:高内
86h
挥发物
WEL
启用
LATCH
0 :写
1 :写
启用
版权所有
保留保留
版权所有
版权所有
版权所有
版权所有
控制6
ADC输出
87h
挥发物
AD5
AD4
AD3
AD2
AD1
AD0
版权所有
版权所有
状态
通过的8Fh字节地址88H寄存器被保留。
5
FN8211.1
二○○五年十一月一十一日
X9530
温度补偿激光二极管控制器
特点
兼容主流光纤模块
技术指标如的Xenpak , SFF ,SFP和
GBIC
-14引脚TSSOP
-15铅2.7× 3.5毫米CSP (芯片级
包)
两个可编程电流发生器
- ±最大1.6毫安。
-8位( 256步)分辨率
集成的6位A / D转换器
温度补偿
- 内部或外部传感器
--40 ° C至+ 100 °C范围内
-2.2 ° C /步进分辨率
-EEPROM查找表
热插拔
2176位EEPROM
-17页
-16字节每页
写保护电路
-Xicor BlockLock
-Logic控制的保护
3从地址位-2 -Wire总线
3 V至5.5 V ,单电源供电
激光二极管偏置控制中的应用
SONET和SDH传输系统
1G和10G以太网和光纤通道激光
二极管驱动器电路
典型用途
GBIC / SFP / XFP模块
V
CC
高速
数据输入
激光
二极管
司机
电路
LD
MPD
描述
在X9530是一款高度集成的激光二极管偏置
控制器,它集成了两个数字化控制
可编程电流发生器,温度
补偿用专用的查找表,以及
补充EEPROM阵列。的所有功能
器件通过2线串行数字控制
界面。
两个温度补偿可编程电流
发电机,改变输出电流随温度
根据相关联的非易失性的内容
查表。所述查找表可以被编程
用任意的数据由用户通过2线串行
端口,以及内部或外部温度
传感器可以用于控制输出电流
反应。这些温度补偿亲
可编程电流也许用于控制
调制电流和激光器的偏置电流
二极管。
集成的通用EEPROM包括
对于产品的数据存储和可用于
在激光二极管模块的收发信息存储
应用程序。
X9530
I
1
MOD_DEF
(0)
MOD_DEF
(1)
SDA
SCK
I
2
I
PINSET
/I
BIASSET
I
MODSET
I
LD
I
MON
REV 3.7 04年8月26日
www.xicor.com
特性如有变更,恕不另行通知。
1 30
X9530
框图
电压
参考
VREF
VSENSE
ADC
MUX
温度
传感器
查询
表1
控制
&状态
一般
用途
内存
MUX
DAC 1
I1
R1
MUX
查询
表2
MUX
DAC 2
R2
I2
SDA
SCL
WP
A2, A1, A0
2-Wire
接口
引脚配置
3
A0
A1
A2
VCC
WP
SCL
SDA
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
I2
VREF
VSENSE
VSS
R2
R1
I1
A
B
C
D
E
A0
VCC
SCL
2
I2
1
VREF
A1 VSENSE
A2
VSS
R2
R1
SDA VSS
WP
I1
TSSOP 14L
设备描述
在X9530结合了两个可编程电流
发电机,并与座集成EEPROM
锁定保护,在一个封装中。可编程
电流发生器非常适用于光纤应用
调制电流的温度控制要求。该
的X9530的功能和组合Xicor公司
芯片级封装可降低系统成本,提高
可靠性,并降低电路板空间要求。
两个片上可编程电流发生器可
可独立编程为汇或源
电流。产生的最大电流是
通过使用外部连接的测定
编程电阻,或者通过选择3之一
预定义的值。这两个电流发生器有
的±1.6 mA(最大值)的输出,并且可以被控制为
的0.39 %的绝对分辨率( 256步/ 8位)。
顶视图 - 颠簸下CSP - B15
这两个电流发生器,可以用一个片驱动
板上温度传感器,外部传感器,或
控制寄存器。内部温度传感器
工作在很宽的温度范围内(-40
°
C
+100
°
C) 。传感器的输出(内部或外部)
驱动一个6位的A / D转换器,它的输出中选择一个
从各非易失性查找表( LUT)的64个字节。
所选的LUT行的内容( 8位)
驱动一个8位D的输入/ A转换器,其
产生的输出电流。
在X9530的所有控制和设置参数,
包括查找表,是可编程的经由
2线串行接口。
该装置的通用存储器部分是一个
CMOS串行EEPROM阵列Xicor公司块锁
TM
保护。这个存储器可用于存储纤维
光学模块的制造数据,序列号,或
各种其他的系统参数。
特性如有变更,恕不另行通知。
REV 3.7 04年8月26日
www.xicor.com
2 30
X9530
EEPROM阵列内部组织为272 ×8
具有16字节的页位,并利用Xicor公司专有的
直接写
TM
细胞中,提供了一个最小的耐力
100,000页写周期和最低数据
保留100年。
引脚分配
TSSOP
1
CSP
A3
名字
A0
引脚说明
器件地址选择引脚0 。
该引脚决定该设备地址的LSB
使用2线接口通信所需。 A0引脚具有一个片上拉
下拉电阻。
器件地址选择引脚1 。
该引脚决定了器件的中间位
需要的地址使用2线接口进行通信。在A1引脚具有一个片
片内上拉下拉电阻。
器件地址选择引脚2 。
该引脚决定该设备地址的最高位
使用2线接口通信所需。 A2引脚具有一个片内上拉
下拉电阻。
电源电压。
写保护控制引脚。
该引脚是CMOS兼容输入。低电平时,写
保护已启用阻止任何“写”操作。当高,各领域
内存可以使用块锁位BL1和BL0保护。在WP引脚
一个片上下拉电阻,使写保护时,该引脚
浮动。
串行时钟。
这是一个TTL兼容的输入管脚。该输入是2线接口的时钟
控制数据的输入和输出的SDA引脚。
串行数据。
此引脚是2线接口数据移入或移出器件。这是TTL
作为输入兼容使用时,它是开漏作为输出使用时。这
引脚需要一个外部上拉电阻。
电流发生器1输出。
该引脚汇或源电流。大小和
的电流的方向是完全可编程的和自适应的。分辨率为8位。
电流编程电阻1 。
该引脚与VSS之间的电阻可设置
最大输出电流可在脚I1 。如果没有电阻时,最大电流
必须通过控制寄存器位被选中。
电流编程电阻2 。
该引脚与VSS之间的电阻可设置
最大输出电流可在脚I2 。如果没有电阻时,最大电流
必须通过控制寄存器位被选中。
地面上。
传感器的电压输入。
这个电压输入可被用来驱动导通的输入
片内A / D转换器。
参考电压输入或输出。
该引脚可配置为输入或
的输出。作为输入,在这个引脚上的电压由外部电源提供。如
输出时,该引脚上的电压是片上带隙的缓冲输出电压
参考电路。在这两种情况下,在这个引脚上的电压是否为A / D参考
转换器和两个D / A转换器。
电流发生器2输出。
该引脚汇或源电流。大小和
的电流的方向是完全可编程的和自适应的。分辨率为8位。
2
B2
A1
3
C2
A2
4
5
B3
E3
VCC
WP
6
7
C3
D3
SCL
SDA
8
9
E2
E1
I1
R1
10
D1
R2
11
12
13
C1 , D2
B1
A1
VSS
VSENSE
VREF
14
A2
I2
REV 3.7 04年8月26日
www.xicor.com
特性如有变更,恕不另行通知。
3 30
X9530
操作原理
控制和状态寄存器
控制和状态寄存器提供与用户
一个机构,用于改变和读取的值
在X9530的各种参数。在X9530包含
7控件,一个状态,和几个保留
寄存器,各为1字节宽(参见图1)。
控制寄存器0到6位于
内存地址通过86H 80H分别。该
状态寄存器是内存地址87H和
在内存地址88H ,通过保留的寄存器
8Fh.
在所有控制寄存器的位6总功率达
逻辑状态为“0” 。在所有控制寄存器的位0到5
功率达的逻辑状态值保存在其
对应的非易失性存储器单元。该
寄存器的非易失位保留其存储的值
即使当X9530掉电,则动力
备份。非易失位控制在0
控制5个寄存器都被预先设定为逻辑
状态为“0 ”的工厂。
读取时显示为“保留”位被忽略,
且必须被写为“0” ,如果任何写操作是
执行自己的寄存器。
每一个的功能的详细描述
控制和状态寄存器位如下:
控制寄存器0
该寄存器执行读或访问
写操作,以解决存储器为80h 。
BL1 , BL0 : B
LOCK
L
OCK保护位
(N
ON
-
挥发物
)
这两个位用于抑制任何写操作,以
在存储器阵列中的特定地址。该
的存储器的保护区是由确定的
两个比特的值,如在下表中:
受保护的地址
(尺码)
无(默认)
从00h到7F ( 128字节)
从00h到7F和90H到
CFH ( 192字节)
从00h到7F和90H到
10Fh (256字节)
请注意,如果写的保护(WP )输入引脚
X9530有效(低电平) ,那么任何写入操作
记忆被抑制,而不管块锁位
设置。
VRM : V
oltage
R
指南PIN
M
ODE
(N
ON
-
挥发物
)
该VRM位配置的电压参考引脚
(VREF)作为输入或输出。当VRM
位被置为“0”(缺省值),在销的VRef上的电压为
从X9530的内部参考电压输出。
当在VRM位被置为“ 1”时,参考电压
为VREF引脚是外部的。参见图2 。
ADCIN :A / D C
ONVERTER
I
NPUT
S
ELECT
(N
ON
-
挥发物
)
该ADCIN位选择片上A / D输入
转换器。当ADCIN位被置为“0” (缺省),
片上温度传感器的输出是
输入到A / D转换器。当ADCIN位被置位
为“1”时,输入到A / D转换器是电压
VSENSE引脚。参见图4 。
ADC
FILT
O
FF
: ADC F
ILTERING
C
ONTROL
(N
ON
-
挥发物
)
当此位为“1”时,状态寄存器, 87H更新
ADC的每次转换后。当此位为“ 0 ”
(默认值) ,状态寄存器后四更新
连续转换具有相同的结果。
NV1234 :C
ONTROL寄存器
1, 2, 3,
4
波动率模式
选择位
(N
ON
-
挥发物
)
当NV1234位被置为“0” (缺省),字节
写入到控制寄存器1 ,2,3和4被存储在
易失性的细胞,它们的内容被丢失X9530时
断电。当NV1234位被置为“1” ,
字节写入到控制寄存器1 ,2,3和4是
存储在易失性和非易失性的细胞,以及它们
当X9530是动力值不会改变
下来,供电恢复正常。见“写控制
第17页上的寄存器“。
I1DS :C
光凭目前
G
enerator
1 D
IRECTION
S
ELECT
B
IT
(N
ON
-
挥发物
)
该I1DS位设置电流发生器1的极性,
DAC1 。当此位被设置为“0” (默认值) ,当前
在X9530的发电机1被配置为电流
源。电流发生器1被构造为一个电流
下沉时I1DS位被置为“1”。见图5 。
阵列的分区
锁定
无(默认)
BL1
0
0
1
1
BL0
0
1
0
1
GPM
GPM , LUT1
GPM , LUT1 , LUT2
如果用户试图执行写操作到
的存储器保护区,该操作被中止
在不改变阵列中的任何数据。
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4 30
X9530
图1.控制和状态寄存器的格式
字节
地址
最高位
7
80h
非挥发
6
5
4
3
2
1
最低位
0
注册
名字
I2DS
I1DS
NV1234
控制
1, 2, 3, 4
挥发性
0 :挥发性
1 :非
挥发物
ADCfiltOff
ADC
筛选
0 :上
1 : OFF
ADCIN
ADC输入
0 :内部
1 :外部
VRM
电压
参考
模式
0 :内部
1 :外部
BL1
BL0
控制0
I1和I2的方向
0 :源
1 :水槽
锁座
00 :无锁定
01 : GPM锁定
10 : GPM , LUT1 ,锁定
11 : GPM , LUT1 , LUT2
锁定
直接访问LUT1
81h
挥发或
非挥发
版权所有
版权所有
L1DA5
L1DA4
L1DA3
L1DA2
L1DA1
L1DA0
控制1
直接访问LUT2
82h
挥发或
非挥发
版权所有
版权所有
L2DA5
L2DA4
L2DA3
L2DA2
L2DA1
L2DA0
控制2
直接访问DAC1
83h
挥发或
非挥发
D1DA7
D1DA6
D1DA5
D1DA4
D1DA3
D1DA2
D1DA1
D1DA0
控制3
直接访问DAC2
84h
挥发或
非挥发
D2DA7
D2DA6
D2DA5
D2DA4
D2DA3
D2DA2
D2DA1
D2DA0
控制4
85h
非挥发
D2DAS
直接
ACCESS
到DAC2
0 :禁用
1 :启用
L2DAS
直接
ACCESS
到LUT2
0 :禁用
1 :启用
D1DAS
直接
ACCESS
到DAC1
0 :禁用
1 :启用
L1DAS
直接
ACCESS
到LUT1
0 :禁用
1 :启用
I2FSO1
I2FSO0
I1FSO1
I1FSO0
控制5
R2的选择
00 :外部
01 :内部低
10 :中东内部
11:高内
R1的选择
00 :外部
01 :内部低
10 :中东内部
11:高内
86h
挥发物
WEL
启用
LATCH
0 :写
1 :写
启用
版权所有
保留保留
版权所有
版权所有
版权所有
版权所有
控制6
ADC输出
87h
挥发物
AD5
AD4
AD3
AD2
AD1
AD0
版权所有
版权所有
状态
通过的8Fh字节地址88H寄存器被保留。
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5 30
X9530
数据表
2005年3月10日
FN8211.0
温度补偿激光二极管
调节器
特点
兼容主流光纤模块
技术指标如的Xenpak , SFF ,SFP和
GBIC
-14引脚TSSOP
-15铅2.7× 3.5毫米CSP (芯片级
包)
两个可编程电流发生器
- ±最大1.6毫安。
-8位( 256步)分辨率
集成的6位A / D转换器
温度补偿
- 内部或外部传感器
--40 ° C至+ 100 °C范围内
-2.2 ° C /步进分辨率
-EEPROM查找表
热插拔
2176位EEPROM
-17页
-16字节每页
写保护电路
-Intersil BlockLock
-Logic控制的保护
3从地址位-2 -Wire总线
3V至5.5V单电源工作
激光二极管偏置控制中的应用
SONET和SDH传输系统
1G和10G以太网和光纤通道激光
二极管驱动器电路
典型用途
描述
在X9530是一款高度集成的激光二极管偏置
控制器,它集成了两个数字化控制
可编程电流发生器,温度
补偿用专用的查找表,以及
补充EEPROM阵列。的所有功能
器件通过2线串行数字控制
界面。
两个温度补偿可编程
电流发生器,改变输出电流
据的内容的温度
相关联的非易失性查找表。所述查找表
可以用任意的数据由用户进行编程,
通过2线串行端口,以及内部或
外部温度传感器可以用于控制
输出电流响应。这些温度
补偿亲可编程电流可能用于
控制调制电流和偏置电流
一个激光二极管。
集成的通用EEPROM包括
对于产品的数据存储和可用于
在激光二极管模块的收发信息存储
应用程序。
GBIC / SFP / XFP模块
V
CC
高速
数据输入
激光
二极管
司机
电路
LD
MPD
X9530
I
1
MOD_DEF
(0)
MOD_DEF
(1)
SDA
SCK
I
2
I
PINSET
/I
BIASSET
I
MODSET
I
LD
I
MON
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-352-6832
|
Intersil公司(和设计)是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2005.版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
X9530
框图
电压
参考
VREF
VSENSE
ADC
MUX
温度
传感器
查询
表1
控制
&状态
一般
用途
内存
MUX
DAC 1
I1
R1
MUX
查询
表2
MUX
DAC 2
R2
I2
SDA
SCL
WP
A2, A1, A0
2-Wire
接口
引脚配置
3
A0
A1
A2
VCC
WP
SCL
SDA
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
I2
VREF
VSENSE
VSS
R2
R1
I1
A
B
C
D
E
A0
VCC
SCL
2
I2
1
VREF
A1 VSENSE
A2
VSS
R2
R1
SDA VSS
WP
I1
TSSOP 14L
设备描述
在X9530结合了两个可编程电流
发电机,并与座集成EEPROM
LOCK
保护,
in
封装。
可编程电流发生器非常适用于使用
光纤调制电流的温度要求
控制权。的X9530的功能相结合,
与Intersil的芯片级封装可降低系统成本,
提高可靠性,并降低电路板空间
要求。
两个片上可编程电流发生器可
可独立编程为汇或源
电流。产生的最大电流是
通过使用外部连接的测定
编程电阻,或者通过选择3之一
预定义的值。这两个电流发生器有
的±1.6 mA(最大值)的输出,并且可以被控制为
的0.39 %的绝对分辨率( 256步/ 8位)。
这两个电流发生器,可以用一个片驱动
板上温度传感器,外部传感器,或
控制寄存器。内部温度传感器
2
顶视图 - 颠簸下CSP - B15
工作在很宽的温度范围内(-40
°
C
+100
°
C) 。传感器的输出(内部或外部)
驱动一个6位的A / D转换器,它的输出中选择一个
从各非易失性查找表( LUT)的64个字节。
所选的LUT行的内容( 8位)
驱动一个8位D的输入/ A转换器,其
产生的输出电流。
在X9530的所有控制和设置参数,
包括查找表,是可编程的经由
2线串行接口。
该装置的通用存储器部分是一个
CMOS串行EEPROM阵列与Intersil的座
LOCK
TM
保护。这个存储器可用于存储
光纤模块的制造数据,序列号,
或各种其他系统参数。
EEPROM阵列内部组织为272 ×8
具有16字节的页位,并采用了Intersil的
专有的直接写入电池,可提供最低
100,000页写周期和耐力
100年最少可以保存数据。
FN8211.0
2005年3月10日
X9530
引脚分配
TSSOP
1
CSP
A3
名字
A0
引脚说明
器件地址选择引脚0 。
该引脚决定该设备地址的LSB
使用2线接口通信所需。 A0引脚具有一个片上拉
下拉电阻。
器件地址选择引脚1 。
该引脚决定了器件的中间位
需要的地址使用2线接口进行通信。在A1引脚具有一个片上
下拉电阻。
器件地址选择引脚2 。
该引脚决定该设备地址的最高位再
quired使用2线接口进行通信。 A2引脚具有一个片上下拉
电阻器。
电源电压。
写保护控制引脚。
该引脚是CMOS兼容输入。低电平时,写
保护已启用阻止任何“写”操作。当高,各领域
内存可以使用块锁位BL1和BL0保护。在WP引脚
一个片上下拉电阻,使写保护时,该引脚
浮动。
串行时钟。
这是一个TTL兼容的输入管脚。该输入是2线接口的时钟
控制数据的输入和输出的SDA引脚。
串行数据。
此引脚是2线接口数据移入或移出器件。这是TTL
作为输入兼容使用时,它是开漏作为输出使用时。这
引脚需要一个外部上拉电阻。
电流发生器1输出。
该引脚汇或源电流。大小和二
当前的rection是完全可编程的和自适应的。分辨率为8位。
电流编程电阻1 。
该引脚与VSS之间的电阻可设置
最大输出电流可在脚I1 。如果没有电阻时,最大电流
必须通过控制寄存器位被选中。
电流编程电阻2 。
该引脚与VSS之间的电阻可设置
最大输出电流可在脚I2 。如果没有电阻时,最大电流
必须通过控制寄存器位被选中。
地面上。
传感器的电压输入。
这个电压输入可被用来驱动芯片上的输入
A / D转换器。
参考电压输入或输出。
该引脚可配置为输入或
的输出。作为输入,在这个引脚上的电压由外部电源提供。作为一个
输出,在这个引脚上的电压为片上带隙为参考的缓冲输出电压
ENCE电路。在这两种情况下,在这个引脚上的电压是否为A / D参考
转换器和两个D / A转换器。
电流发生器2输出。
该引脚汇或源电流。大小和二
当前的rection是完全可编程的和自适应的。分辨率为8位。
2
B2
A1
3
C2
A2
4
5
B3
E3
VCC
WP
6
7
C3
D3
SCL
SDA
8
9
E2
E1
I1
R1
10
D1
R2
11
12
13
C1 , D2
B1
A1
VSS
VSENSE
VREF
14
A2
I2
3
FN8211.0
2005年3月10日
X9530
操作原理
控制和状态寄存器
控制和状态寄存器为用户提供
用机构,用于改变和读取的值
的X9530的各种参数。在X9530
包含七个控件,一个状态,和几个
保留寄存器,每个都是1字节宽的(见
图1)。控制寄存器0到6是
位于内存通过86H地址80H
分别。状态寄存器的内存地址
87H ,并且在内存地址中保留的寄存器
88H通过的8Fh 。
在所有控制寄存器的位6总功率达
逻辑状态为“0” 。在所有控制寄存器的位0到5
电到逻辑状态值保存在其
对应的非易失性存储器单元。该
寄存器的非易失位保留其存储的值
即使当X9530掉电,则动力
备份。非易失位控制在0
控制5个寄存器都被预先设定为逻辑
状态为“0 ”的工厂。
读取时显示为“保留”位被忽略,
且必须被写为“0” ,如果任何写操作是
执行自己的寄存器。
每一个的功能的详细描述
控制和状态寄存器位如下:
控制寄存器0
该寄存器执行读或访问
写操作,以解决存储器为80h 。
BL1 , BL0 : B
LOCK
L
OCK保护位
(N
ON
-
挥发物
)
这两个位用于抑制任何写操作
到所述存储器阵列中的特定的地址。该
的存储器的保护区是由确定的
两个比特的值,如在下表中:
受保护的地址
(尺码)
无(默认)
从00h到7F ( 128字节)
从00h到7F和90H到
CFH ( 192字节)
从00h到7F和90H到
10Fh (256字节)
请注意,如果写的保护(WP )输入引脚
X9530有效(低电平) ,那么任何写操作
记忆被抑制,无论座
锁定位设置。
VRM : V
oltage
R
指南PIN
M
ODE
(N
ON
-
挥发物
)
该VRM位配置的电压参考引脚
(VREF)作为输入或输出。当VRM
位被置为“0”(缺省值),在销的VRef上的电压为
从X9530的内部参考电压输出。
当在VRM位被置为“ 1”时,参考电压
为VREF引脚是外部的。参见图2 。
ADCIN :A / D C
ONVERTER
I
NPUT
S
ELECT
(N
ON
-
挥发物
)
该ADCIN位选择片上A / D输入
转换器。当ADCIN位被置为“0” (缺省),
片上温度传感器的输出是
输入到A / D转换器。当ADCIN位被置位
为“1”时,输入到A / D转换器是电压
VSENSE引脚。参见图4 。
ADC
FILT
O
FF
: ADC F
ILTERING
C
ONTROL
(N
ON
-
挥发物
)
当此位为“1”时,状态寄存器, 87H为
ADC的每次转换后更新。当此
位为“0” (默认值) ,状态寄存器更新后
四个连续的转换具有相同的结果。
NV1234 :C
ONTROL寄存器
1, 2, 3,
4
VOLA
-
Utility处理方式选择位
(N
ON
-
挥发物
)
当NV1234位被置为“0” (缺省),字节
写入到控制寄存器1 ,2,3和4被存储在
易失性的细胞,它们的内容被丢失X9530时
断电。当NV1234位被置为“1” ,
字节写入到控制寄存器1 ,2,3和4是
存储在易失性和非易失性的细胞,以及它们
当X9530是动力值不会改变
下来,供电恢复正常。见“写控制
第17页上的寄存器“。
I1DS :C
光凭目前
G
enerator
1 D
IRECTION
S
ELECT
B
IT
(N
ON
-
挥发物
)
该I1DS位设置电流发生器1的极性,
DAC1 。当此位被设置为“0” (默认值) ,当前
在X9530的发电机1被配置为电流
源。电流发生器1被构造为一个
当I1DS位被置为“1”的电流宿。看
图5中。
阵列的分区
锁定
无(默认)
BL1
0
0
1
1
BL0
0
1
0
1
GPM
GPM , LUT1
GPM , LUT1 , LUT2
如果用户试图执行写操作到
的存储器保护区,该操作被中止
在不改变阵列中的任何数据。
4
FN8211.0
2005年3月10日
X9530
图1.控制和状态寄存器的格式
字节
地址
最高位
7
80h
非挥发
6
5
4
3
2
1
最低位
0
注册
名字
I2DS
I1DS
NV1234
控制
1, 2, 3, 4
挥发性
0 :挥发性
1 :非
挥发物
ADCfiltOff
ADC
筛选
0 :上
1 : OFF
ADCIN
ADC输入
0 :内部
1 :外部
VRM
电压
参考
模式
0 :内部
1 :外部
BL1
BL0
控制0
I1和I2的方向
0 :源
1 :水槽
锁座
00 :无锁定
01 : GPM锁定
10 : GPM , LUT1 ,锁定
11 : GPM , LUT1 , LUT2
锁定
直接访问LUT1
81h
挥发或
非挥发
版权所有
版权所有
L1DA5
L1DA4
L1DA3
L1DA2
L1DA1
L1DA0
控制1
直接访问LUT2
82h
挥发或
非挥发
版权所有
版权所有
L2DA5
L2DA4
L2DA3
L2DA2
L2DA1
L2DA0
控制2
直接访问DAC1
83h
挥发或
非挥发
D1DA7
D1DA6
D1DA5
D1DA4
D1DA3
D1DA2
D1DA1
D1DA0
控制3
直接访问DAC2
84h
挥发或
非挥发
D2DA7
D2DA6
D2DA5
D2DA4
D2DA3
D2DA2
D2DA1
D2DA0
控制4
85h
非挥发
D2DAS
直接
ACCESS
到DAC2
0 :禁用
1 :启用
L2DAS
直接
ACCESS
到LUT2
0 :禁用
1 :启用
D1DAS
直接
ACCESS
到DAC1
0 :禁用
1 :启用
L1DAS
直接
ACCESS
到LUT1
0 :禁用
1 :启用
I2FSO1
I2FSO0
I1FSO1
I1FSO0
控制5
R2的选择
00 :外部
01 :内部低
10 :中东内部
11:高内
R1的选择
00 :外部
01 :内部低
10 :中东内部
11:高内
86h
挥发物
WEL
启用
LATCH
0 :写
1 :写
启用
版权所有
保留保留
版权所有
版权所有
版权所有
版权所有
控制6
ADC输出
87h
挥发物
AD5
AD4
AD3
AD2
AD1
AD0
版权所有
版权所有
状态
通过的8Fh字节地址88H寄存器被保留。
5
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2005年3月10日
X9530
温度补偿激光二极管控制器
特点
兼容主流光纤模块
技术指标如的Xenpak , SFF ,SFP和
GBIC
-14引脚TSSOP
-15铅2.7× 3.5毫米CSP (芯片级
包)
两个可编程电流发生器
- ±最大1.6毫安。
-8位( 256步)分辨率
集成的6位A / D转换器
温度补偿
- 内部或外部传感器
--40 ° C至+ 100 °C范围内
-2.2 ° C /步进分辨率
-EEPROM查找表
热插拔
2176位EEPROM
-17页
-16字节每页
写保护电路
-Xicor BlockLock
-Logic控制的保护
3从地址位-2 -Wire总线
3 V至5.5 V ,单电源供电
激光二极管偏置控制中的应用
SONET和SDH传输系统
1G和10G以太网和光纤通道激光
二极管驱动器电路
典型用途
GBIC / SFP / XFP模块
V
CC
高速
数据输入
激光
二极管
司机
电路
LD
MPD
描述
在X9530是一款高度集成的激光二极管偏置
控制器,它集成了两个数字化控制
可编程电流发生器,温度
补偿用专用的查找表,以及
补充EEPROM阵列。的所有功能
器件通过2线串行数字控制
界面。
两个温度补偿可编程电流
发电机,改变输出电流随温度
根据相关联的非易失性的内容
查表。所述查找表可以被编程
用任意的数据由用户通过2线串行
端口,以及内部或外部温度
传感器可以用于控制输出电流
反应。这些温度补偿亲
可编程电流也许用于控制
调制电流和激光器的偏置电流
二极管。
集成的通用EEPROM包括
对于产品的数据存储和可用于
在激光二极管模块的收发信息存储
应用程序。
X9530
I
1
MOD_DEF
(0)
MOD_DEF
(1)
SDA
SCK
I
2
I
PINSET
/I
BIASSET
I
MODSET
I
LD
I
MON
REV 3.7 04年8月26日
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特性如有变更,恕不另行通知。
1 30
X9530
框图
电压
参考
VREF
VSENSE
ADC
MUX
温度
传感器
查询
表1
控制
&状态
一般
用途
内存
MUX
DAC 1
I1
R1
MUX
查询
表2
MUX
DAC 2
R2
I2
SDA
SCL
WP
A2, A1, A0
2-Wire
接口
引脚配置
3
A0
A1
A2
VCC
WP
SCL
SDA
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
I2
VREF
VSENSE
VSS
R2
R1
I1
A
B
C
D
E
A0
VCC
SCL
2
I2
1
VREF
A1 VSENSE
A2
VSS
R2
R1
SDA VSS
WP
I1
TSSOP 14L
设备描述
在X9530结合了两个可编程电流
发电机,并与座集成EEPROM
锁定保护,在一个封装中。可编程
电流发生器非常适用于光纤应用
调制电流的温度控制要求。该
的X9530的功能和组合Xicor公司
芯片级封装可降低系统成本,提高
可靠性,并降低电路板空间要求。
两个片上可编程电流发生器可
可独立编程为汇或源
电流。产生的最大电流是
通过使用外部连接的测定
编程电阻,或者通过选择3之一
预定义的值。这两个电流发生器有
的±1.6 mA(最大值)的输出,并且可以被控制为
的0.39 %的绝对分辨率( 256步/ 8位)。
顶视图 - 颠簸下CSP - B15
这两个电流发生器,可以用一个片驱动
板上温度传感器,外部传感器,或
控制寄存器。内部温度传感器
工作在很宽的温度范围内(-40
°
C
+100
°
C) 。传感器的输出(内部或外部)
驱动一个6位的A / D转换器,它的输出中选择一个
从各非易失性查找表( LUT)的64个字节。
所选的LUT行的内容( 8位)
驱动一个8位D的输入/ A转换器,其
产生的输出电流。
在X9530的所有控制和设置参数,
包括查找表,是可编程的经由
2线串行接口。
该装置的通用存储器部分是一个
CMOS串行EEPROM阵列Xicor公司块锁
TM
保护。这个存储器可用于存储纤维
光学模块的制造数据,序列号,或
各种其他的系统参数。
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X9530
EEPROM阵列内部组织为272 ×8
具有16字节的页位,并利用Xicor公司专有的
直接写
TM
细胞中,提供了一个最小的耐力
100,000页写周期和最低数据
保留100年。
引脚分配
TSSOP
1
CSP
A3
名字
A0
引脚说明
器件地址选择引脚0 。
该引脚决定该设备地址的LSB
使用2线接口通信所需。 A0引脚具有一个片上拉
下拉电阻。
器件地址选择引脚1 。
该引脚决定了器件的中间位
需要的地址使用2线接口进行通信。在A1引脚具有一个片
片内上拉下拉电阻。
器件地址选择引脚2 。
该引脚决定该设备地址的最高位
使用2线接口通信所需。 A2引脚具有一个片内上拉
下拉电阻。
电源电压。
写保护控制引脚。
该引脚是CMOS兼容输入。低电平时,写
保护已启用阻止任何“写”操作。当高,各领域
内存可以使用块锁位BL1和BL0保护。在WP引脚
一个片上下拉电阻,使写保护时,该引脚
浮动。
串行时钟。
这是一个TTL兼容的输入管脚。该输入是2线接口的时钟
控制数据的输入和输出的SDA引脚。
串行数据。
此引脚是2线接口数据移入或移出器件。这是TTL
作为输入兼容使用时,它是开漏作为输出使用时。这
引脚需要一个外部上拉电阻。
电流发生器1输出。
该引脚汇或源电流。大小和
的电流的方向是完全可编程的和自适应的。分辨率为8位。
电流编程电阻1 。
该引脚与VSS之间的电阻可设置
最大输出电流可在脚I1 。如果没有电阻时,最大电流
必须通过控制寄存器位被选中。
电流编程电阻2 。
该引脚与VSS之间的电阻可设置
最大输出电流可在脚I2 。如果没有电阻时,最大电流
必须通过控制寄存器位被选中。
地面上。
传感器的电压输入。
这个电压输入可被用来驱动导通的输入
片内A / D转换器。
参考电压输入或输出。
该引脚可配置为输入或
的输出。作为输入,在这个引脚上的电压由外部电源提供。如
输出时,该引脚上的电压是片上带隙的缓冲输出电压
参考电路。在这两种情况下,在这个引脚上的电压是否为A / D参考
转换器和两个D / A转换器。
电流发生器2输出。
该引脚汇或源电流。大小和
的电流的方向是完全可编程的和自适应的。分辨率为8位。
2
B2
A1
3
C2
A2
4
5
B3
E3
VCC
WP
6
7
C3
D3
SCL
SDA
8
9
E2
E1
I1
R1
10
D1
R2
11
12
13
C1 , D2
B1
A1
VSS
VSENSE
VREF
14
A2
I2
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X9530
操作原理
控制和状态寄存器
控制和状态寄存器提供与用户
一个机构,用于改变和读取的值
在X9530的各种参数。在X9530包含
7控件,一个状态,和几个保留
寄存器,各为1字节宽(参见图1)。
控制寄存器0到6位于
内存地址通过86H 80H分别。该
状态寄存器是内存地址87H和
在内存地址88H ,通过保留的寄存器
8Fh.
在所有控制寄存器的位6总功率达
逻辑状态为“0” 。在所有控制寄存器的位0到5
功率达的逻辑状态值保存在其
对应的非易失性存储器单元。该
寄存器的非易失位保留其存储的值
即使当X9530掉电,则动力
备份。非易失位控制在0
控制5个寄存器都被预先设定为逻辑
状态为“0 ”的工厂。
读取时显示为“保留”位被忽略,
且必须被写为“0” ,如果任何写操作是
执行自己的寄存器。
每一个的功能的详细描述
控制和状态寄存器位如下:
控制寄存器0
该寄存器执行读或访问
写操作,以解决存储器为80h 。
BL1 , BL0 : B
LOCK
L
OCK保护位
(N
ON
-
挥发物
)
这两个位用于抑制任何写操作,以
在存储器阵列中的特定地址。该
的存储器的保护区是由确定的
两个比特的值,如在下表中:
受保护的地址
(尺码)
无(默认)
从00h到7F ( 128字节)
从00h到7F和90H到
CFH ( 192字节)
从00h到7F和90H到
10Fh (256字节)
请注意,如果写的保护(WP )输入引脚
X9530有效(低电平) ,那么任何写入操作
记忆被抑制,而不管块锁位
设置。
VRM : V
oltage
R
指南PIN
M
ODE
(N
ON
-
挥发物
)
该VRM位配置的电压参考引脚
(VREF)作为输入或输出。当VRM
位被置为“0”(缺省值),在销的VRef上的电压为
从X9530的内部参考电压输出。
当在VRM位被置为“ 1”时,参考电压
为VREF引脚是外部的。参见图2 。
ADCIN :A / D C
ONVERTER
I
NPUT
S
ELECT
(N
ON
-
挥发物
)
该ADCIN位选择片上A / D输入
转换器。当ADCIN位被置为“0” (缺省),
片上温度传感器的输出是
输入到A / D转换器。当ADCIN位被置位
为“1”时,输入到A / D转换器是电压
VSENSE引脚。参见图4 。
ADC
FILT
O
FF
: ADC F
ILTERING
C
ONTROL
(N
ON
-
挥发物
)
当此位为“1”时,状态寄存器, 87H更新
ADC的每次转换后。当此位为“ 0 ”
(默认值) ,状态寄存器后四更新
连续转换具有相同的结果。
NV1234 :C
ONTROL寄存器
1, 2, 3,
4
波动率模式
选择位
(N
ON
-
挥发物
)
当NV1234位被置为“0” (缺省),字节
写入到控制寄存器1 ,2,3和4被存储在
易失性的细胞,它们的内容被丢失X9530时
断电。当NV1234位被置为“1” ,
字节写入到控制寄存器1 ,2,3和4是
存储在易失性和非易失性的细胞,以及它们
当X9530是动力值不会改变
下来,供电恢复正常。见“写控制
第17页上的寄存器“。
I1DS :C
光凭目前
G
enerator
1 D
IRECTION
S
ELECT
B
IT
(N
ON
-
挥发物
)
该I1DS位设置电流发生器1的极性,
DAC1 。当此位被设置为“0” (默认值) ,当前
在X9530的发电机1被配置为电流
源。电流发生器1被构造为一个电流
下沉时I1DS位被置为“1”。见图5 。
阵列的分区
锁定
无(默认)
BL1
0
0
1
1
BL0
0
1
0
1
GPM
GPM , LUT1
GPM , LUT1 , LUT2
如果用户试图执行写操作到
的存储器保护区,该操作被中止
在不改变阵列中的任何数据。
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X9530
图1.控制和状态寄存器的格式
字节
地址
最高位
7
80h
非挥发
6
5
4
3
2
1
最低位
0
注册
名字
I2DS
I1DS
NV1234
控制
1, 2, 3, 4
挥发性
0 :挥发性
1 :非
挥发物
ADCfiltOff
ADC
筛选
0 :上
1 : OFF
ADCIN
ADC输入
0 :内部
1 :外部
VRM
电压
参考
模式
0 :内部
1 :外部
BL1
BL0
控制0
I1和I2的方向
0 :源
1 :水槽
锁座
00 :无锁定
01 : GPM锁定
10 : GPM , LUT1 ,锁定
11 : GPM , LUT1 , LUT2
锁定
直接访问LUT1
81h
挥发或
非挥发
版权所有
版权所有
L1DA5
L1DA4
L1DA3
L1DA2
L1DA1
L1DA0
控制1
直接访问LUT2
82h
挥发或
非挥发
版权所有
版权所有
L2DA5
L2DA4
L2DA3
L2DA2
L2DA1
L2DA0
控制2
直接访问DAC1
83h
挥发或
非挥发
D1DA7
D1DA6
D1DA5
D1DA4
D1DA3
D1DA2
D1DA1
D1DA0
控制3
直接访问DAC2
84h
挥发或
非挥发
D2DA7
D2DA6
D2DA5
D2DA4
D2DA3
D2DA2
D2DA1
D2DA0
控制4
85h
非挥发
D2DAS
直接
ACCESS
到DAC2
0 :禁用
1 :启用
L2DAS
直接
ACCESS
到LUT2
0 :禁用
1 :启用
D1DAS
直接
ACCESS
到DAC1
0 :禁用
1 :启用
L1DAS
直接
ACCESS
到LUT1
0 :禁用
1 :启用
I2FSO1
I2FSO0
I1FSO1
I1FSO0
控制5
R2的选择
00 :外部
01 :内部低
10 :中东内部
11:高内
R1的选择
00 :外部
01 :内部低
10 :中东内部
11:高内
86h
挥发物
WEL
启用
LATCH
0 :写
1 :写
启用
版权所有
保留保留
版权所有
版权所有
版权所有
版权所有
控制6
ADC输出
87h
挥发物
AD5
AD4
AD3
AD2
AD1
AD0
版权所有
版权所有
状态
通过的8Fh字节地址88H寄存器被保留。
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