双P沟道
增强型MOSFET
通用扩增fi er
3N190 / 3N191
特点
公司
非常高的输入阻抗
高栅极击穿3N190-3N191
低电容
引脚配置
绝对最大额定值
(T
A
= 25
o
C除非另有说明）
漏源极或漏极，栅极电压（注1 ）
3N190 ， 3N191 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 40V
瞬态栅源电压（注1和2）。 。 。 。 。 。 。
±125V
栅栅电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±80V
漏电流（注1） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 50毫安
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+200
o
C
工作温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至+150
o
C
引线温度（焊接， 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +300
o
C
功耗
一个侧面。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300mW的
两侧。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 525mW
降额合计超过25
o
C. 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4.2MW /
o
C
注意：
超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这些都是
值仅为设备的这些功能操作或
上面的任何其他条件的业务部门所标明
规格是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
TO-99
C
2506
D2
S2
G2
D1
S1
G1
订购信息
部分
包
温度范围
-55
o
C至+150
o
C
-55
o
C至+150
o
C
3N190-91密封TO- 99
X3N190-91排序芯片载体
电气特性
(T
A
= 25
o
C和V
BS
= 0，除非另有规定）
符号
I
GSSR
I
GSSF
BV
DSS
BV
SDS
V
GS （ TH）
V
GS
I
DSS
I
SDS
r
DS （ ON）
I
D（上）
参数
门反向电流
门正向电流
漏源击穿电压
源极 - 漏极击穿电压
阈值电压
门源电压
零栅极电压漏极电流
源漏电流
漏源导通电阻
在漏极电流
-5.0
-40
-40
-2.0
-2.0
-3.0
-5.0
-5.0
-6.5
-200
-400
300
-30.0
欧
mA
V
3N190/91
民
最大
10
-10
-25
I
D
= -10A
I
S
= -10μA ，V
BD
= 0
V
DS
= -15V ，我
D
= -10A
V
DS
= V
GS
, I
D
= -10A
V
DS
= -15V ，我
D
= -500A
V
DS
= -15V
V
SD
= -15V, V
DB
= 0
V
DS
= -20V ，我
D
= -100A
V
DS
= -15V, V
GS
= -10V
pA
V
GS
= 40V
V
GS
= -40V
T
A
= +125
o
C
单位
测试条件
QQ：2881677436 复制
