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N沟道增强模式
MOS晶体管
公司
2N7002
描述
Calogic的2N7002设备类型是垂直DMOS FET
晶体管装在一个表面安装的SOT- 23，用于
微型组件的应用程序。该设备是极好的
切换应用崩溃B选择（
V
）和
低导通电阻是重要的。
订购信息
部分
2N7002
X2N7002
包
塑料SOT- 23封装
在运营商排序芯片
温度范围
-55
o
C至+150
o
C
-55
o
C至+150
o
C
引脚配置
1
2
1 DRAIN
2 SOURCE
3门
1
3
3
顶视图
2
S
G
SOT-23
D
CD5
产品概述
V
（ BR ） DSS
(V)
60
r
DS （ ON）
()
7.5
I
D
(A)
0.115
产品标识
2N7002
V02
9-3
2N7002
公司
绝对最大额定值
(T
A
= 25
o
C除非另有说明）
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
T
英镑
T
L
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
1
功耗
工作结温范围
存储温度范围
焊接温度（ 16"分之1案件从10秒）
范围
60
±40
0.115
0.073
0.8
200
80
-55到150
-55到150
300
o
单位
V
测试条件
T
A
= 25
o
C
A
T
A
= 100
o
C
T
A
= 25
o
C
T
A
= 100
o
C
mW
C
热电阻额定值
符号
R
thJA
注意：
热阻
结到环境
范围
625
单位
K / W
1.脉冲宽度有限的最高结温。
特定网络阳离子
1
符号
STATIC
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
3
500
1000
5
r
DS （ ON）
漏源导通电阻
3
参数
民
60
1
典型值
2
70
1.9
最大
单位
测试条件
I
D
= 10μA ，V
GS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 0.25毫安
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
DS
= 60V, V
GS
= 0V
T
C
= 125
o
C
V
DS
=
≥2V
DS （ ON）
, V
GS
= 10V
V
GS
= 5V ，我
D
= 50毫安
T
C
= 125
o
C
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.5A
T
C
= 125
o
C
V
GS
= 5V ，我
D
= 50毫安
2.5
±100
1
500
7.5
13.5
7.5
13.5
0.375
3.75
6.75
V
nA
A
mA
9
2.5
4.4
0.25
V
DS （ ON）
g
FS
g
OS
动态
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
开关
t
ON
t
关闭
注：1 。
2.
3.
4.
漏源电压
3
1.25
2.2
80
170
500
16
V
mS
S
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.5A
T
C
= 125
o
C
4
V
DS
= 10V ，我
D
= 0.2A
V
DS
= 5V ，我
D
= 50毫安
正向跨导
3
共源输出电导
3, 4
输入电容
输出电容
4
50
25
5
pF
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
11
2
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
T
A
= 25
o
C除非另有规定ED 。
对于设计辅助工具而已，不受生产测试。
脉冲测试; PW =
≤80S,
占空比
≤1%.
该参数不符合JEDEC注册。
7
7
20
nS
20
V
DD
= 30V ，R
L
= 150, I
D
= 0.2A
V
根
= 10V ，R
G
= 25
（开关时间基本上是
独立的工作温度）
9-4
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