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N沟道增强模式
MOS晶体管
公司
2N7000 / BS170L
描述
该2N7000利用Calogic的垂直DMOS技术。该
设备是非常适合用于切换应用,其中乙
V
of
60V的电压和低导通电阻(小于5欧姆)是必需的。该
2N7000封装在一个塑料TO- 92封装。
订购信息
部分
2N7000
BS170L
X2N7000
塑料TO- 92
塑料TO- 92
在运营商排序芯片
温度范围
-55
o
C至+150
o
C
-55
o
C至+150
o
C
-55
o
C至+150
o
C
引脚配置
2N7000
3
1来源
2门
3漏
2
1
2
底部视图
1
3
TO-92
(TO-226AA)
BS170L
3
1 DRAIN
2门
3源
2
1
2
底部视图
3
1
3
1
2
CD5
产品概述
V
( BR ) DSS
(V)
60
60
r
DS ( ON)
()
5
5
I
D
(A)
0.2
0.5
P / N
2N7000
BS170
2N7000 / BS170L
公司
绝对最大额定值
(T
A
= 25
o
C除非另有说明)
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
T
英镑
T
L
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
1
功耗
1
工作结温范围
存储温度范围
焊接温度( 16"分之1案件从10秒)
范围
60
±40
0.2
0.13
0.5
0.4
0.16
-55到150
-55到150
300
o
单位
V
测试条件
T
A
= 25
o
C
A
T
A
= 100
o
C
T
A
= 25
o
C
T
A
= 100
o
C
W
C
热电阻额定值
符号
R
thJA
注意:
热阻
结到环境
范围
312.5
单位
K / W
1.脉冲宽度有限的最高结温。
特定网络阳离子
1
符号
STATIC
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
I
D(上)
r
DS ( ON)
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
3
漏源导通电阻
3
参数
60
0.8
典型值
2
70
1.9
最大
单位
测试条件
I
D
= 10μA ,V
GS
= 0V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安
V
GS
=
±15V,
V
DS
= 0V
V
DS
= 48V, V
GS
= 0V
T
C
= 125
o
C
V
DS
= 10V, V
GS
= 4.5V
4
3
±10
1
1000
V
nA
A
mA
75
210
4.8
2.5
4.4
0.36
5.3
5
9
0.4
2.5
4.5
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 75毫安
T
C
= 125
o
C
V
GS
= 10V ,我
D
= 0.5A
4
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 75毫安
T
C
= 125
o
C
4
V
DS ( ON)
g
FS
g
OS
动态
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
开关
t
ON
t
关闭
注:1 。
2.
3.
4.
漏源电压
3
1.25
2.2
100
3, 4
V
mS
S
V
GS
= 10V ,我
D
= 0.5A
V
DS
= 10V ,我
D
= 0.2A
V
DS
= 5V ,我
D
= 50毫安
正向跨导
3
共源输出电导
输入电容
输出电容
4
反向传输电容
170
500
16
11
2
60
25
5
pF
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V , F = 1MHz的
开启时间
打开-O FF时间
T
A
= 25
o
C除非另有规定ED 。
对于设计辅助工具而已,不受生产测试。
脉冲测试; PW =
≤300S,
占空比
≤3%.
该参数不符合JEDEC注册。
7
7
10
nS
10
V
DD
= 15V ,R
L
= 25, I
D
= 0.5A
V
= 10V ,R
G
= 25
(开关时间基本上是
独立的工作温度)
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    X2N7000
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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