X28HC64
64K ， 8K ×8位
数据表
2006年6月7日
FN8109.1
5伏，可变的字节EEPROM
特点
为70ns存取时间
简单的字节和页式写
- 单5V电源
- 无外部高电压或V
PP
控制电路
- 自定时
- 不删除之前写入
- 不复杂的编程算法
-No Overerase问题
低功耗CMOS
-40mA有功电流最大。
-200μA待机电流最大值。
快速写周期时间
-64字节页写操作
- 字节或页写入周期： 2ms的典型
-complete存储器重写： 0.25秒。典型
- 有效字节写周期时间： 32μs典型
软件数据保护
写检测结束
威刚投票
- 切换位
高可靠性
-Endurance ： 100万次
- 数据保存： 100年
JEDEC批准字节宽的脚了
无铅加退火有（符合RoHS ）
描述
该X28HC64是8K ×8的EEPROM ，与制造
Intersil专有的高性能，浮栅
CMOS技术。像所有Intersil的可编程非易失
非易失性存储器中， X28HC64是5V唯一设备。它
采用了JEDEC核准的引脚排列字节宽
回忆，与行业标准兼容的RAM 。
该X28HC64支持64字节页写操作，
有效地提供了一个32μs /字节写周期，并
使整个存储器被典型地写在0.25
秒。该X28HC64还提供数据查询和
触发位投票，两种方法提供早点结束
写检测。此外， X28HC64包括一
用户可选软件的数据保护方式，进一步
增强了Intersil的硬件写保护功能。
Intersil公司的EEPROM进行设计和测试应用程序
阳离子需要延长的续航能力。固有的数据
保持大于100年。
销刀豆网络gurations
塑料DIP
扁平封装
CERDIP
1
2
3
4
5
6
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
NC
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
I / O
0
5
6
7
8
9
10
11
12
29
28
27
26
A
8
A
9
A
11
NC
OE
A
10
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
1
12
I / O
0
11
A
1
9
A
3
7
A
5
I / O
2
13
A
0
10
A
2
8
LCC
PLCC
V
CC
WE
A
12
NC
NC
NC
A
7
TSOP
A2
A1
A0
I / O 0
I / O 1
I / O 2
NC
VSS
NC
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
CE
A10
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A3
A4
A5
A6
A7
A 12
NC
NC
VCC
NC
WE
NC
A8
A9
A 11
OE
SOIC
NC
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
V
SS
4
3
2
1 32 31 30
X28HC64
7 X28HC64 22
X28HC64
（ TOP VIEW ）
25
24
23
22
13
21
14 15 16 17 18 19 20
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
V
SS
I / O
5
NC
PGA
I / O
3
15
V
SS
14
I / O
5
17
I / O
4
16
CE
20
I / O
6
18
I / O
7
19
A
10
21
A
11
23
A
8
25
NC
26
X28HC64
A
4
OE
6 （ BOTTOM 22
VIEW ）
A
12
2
A
7
3
V
CC
28
NC
1
A
9
24
WE
27
5
A
6
4
底部视图
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2005-2006 。版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
X28HC64
订购信息
（续）
产品型号
X28HC64D-12
X28HC64DI-12
X28HC64DM-12
X28HC64DMB-12
X28HC64FM-12
X28HC64J-12*
X28HC64JI-12*
X28HC64JIZ - 12 * （注）
X28HC64JZ - 12 * （注）
X28HC64KMB-12
X28HC64P-12
X28HC64PI-12
X28HC64PIZ -12 （注）
X28HC64PZ -12 （注）
X28HC64S-12*
X28HC64SI-12*
X28HC64SIZ - 12 * （注）
X28HC64SZ -12 （注）
X28HC64DM-15
X28HC64J-15T1
X28HC64JI-15
X28HC64JM-15
X28HC64JZ - 15 * （注）
X28HC64KMB-15
X28HC64P-15
X28HC64PIZ -15 （注）
X28HC64PZ -15 （注）
X28HC64S-15
X28HC64SI-15
最热
X28HC64D-12
X28HC64DI-12
X28HC64DM-12
X28HC64DMB - 12
X28HC64FM-12
X28HC64J-12
X28HC64JI-12
X28HC64JI - 12
X28HC64J - 12
X28HC64KMB - 12
X28HC64P-12
X28HC64PI-12
X28HC64PI - 12
X28HC64P - 12
X28HC64S-12
X28HC64SI-12
X28HC64SI - 12
X28HC64S - 12
X28HC64DM-15
X28HC64J-15
X28HC64JI-15
X28HC64JM-15
X28HC64J - 15号Z
X28HC64KMB - 15
X28HC64P-15
X28HC64PI - 15号Z
X28HC64P - 15号Z
X28HC64S-15
X28HC64SI-15
温度
范围（° C）
0到70
-40到85
-55至125
MIL-STD-883
-55至125
0到70
-40到85
-40到85
0到70
MIL-STD-883
0到70
-40到85
-40到85
0到70
0到70
-40到85
-40到85
0到70
-55至125
0到70
-40到85
-55至125
0到70
MIL-STD-883
0到70
-40到85
0到70
0到70
-40到85
150
存取时间
（纳秒）
120
包
28 Ld的CERDIP
28 Ld的CERDIP
28 Ld的CERDIP
28 Ld的CERDIP
28 Ld的FLATPACK （ 440万）
32 Ld的PLCC
32 Ld的PLCC
32 Ld的PLCC （无铅）
32 Ld的PLCC （无铅）
28 Ld的PGA
28 Ld的PDIP
28 Ld的PDIP
28 Ld的PDIP ** （无铅）
28 Ld的PDIP ** （无铅）
28 Ld的SOIC （ 300万）
28 Ld的SOIC （ 300万）
28 Ld的SOIC （ 300万） （无铅）
28 Ld的SOIC （ 300万） （无铅）
28 Ld的CERDIP
32 Ld的PLCC磁带和卷轴
32 Ld的PLCC
32 Ld的PLCC
32 Ld的PLCC （无铅）
28 Ld的PGA
28 Ld的PDIP
28 Ld的PDIP ** （无铅）
28 Ld的PDIP ** （无铅）
28 Ld的SOIC （ 300万）
28 Ld的SOIC （ 300万）
N32.45x55
N32.45x55
N32.45x55
N32.45x55
G28.550x650A
E28.6
E28.6
E28.6
M28.3
M28.3
N32.45x55
N32.45x55
N32.45x55
N32.45x55
G28.550x650A
E28.6
E28.6
E28.6
E28.6
M28.3
M28.3
M28.3
M28.3
PKG 。 DWG 。 ＃
*添加"T1"后缀磁带和卷轴。
**无铅PDIPs可用于仅通孔波峰焊处理。他们不打算在回流焊接工艺应用。
注： Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅材料制成，模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡板
终止完成，这是符合RoHS标准，既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil无铅产品MSL
分类，可达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求的无铅峰值回流温度。
3
FN8109.1
2006年6月7日
X28HC64
设备操作
读
读操作是由两个OE和CE启动
低。读出操作是通过在CE终止或
OE返回高电平。这两个线路的控制结构
消除了总线争用中的系统环境。
数据总线将处于高阻抗状态时
要么OE或CE为高电平。
写
当两个CE和写入操作开始WE
低， OE为高电平。该X28HC64支持
既CE和WE控制的写周期。即，在
地址是由CE或下降沿锁存
WE，以先到为准最后。类似地，数据是
通过CE或上升沿内部锁存
WE，以先到为准科幻RST 。字节写操作，
一旦启动，就会自动继续完井
化，通常在2ms以内。
页写操作
该X28HC64的页写入功能允许
整个存储器写入以0.25秒。页写
允许数据的2到64个字节是连续
之前开始写入X28HC64
内部编程周期。主机可以读取数据
从一个页面中的系统内的其它设备
写操作（改变源地址），但
网页地址（A
6
至A
12
）对于每个后续
有效的写周期的一部分，这个操作过程中一定要
是相同的初始页面的地址。
页写模式，可以在任何写启动
操作。在最初的字节写周期，
主机可以编写额外的1到63个字节
以相同的方式。每个连续的字节负载循环，
由WE由高到低的转变开始，必须开始
内前述WE的下降沿为100μs 。如果
随后WE由高到低的转变是不是
为100μs内检测到的，内部自动编程
明周期将开始。没有页写win-
道琼斯限制。有效页写窗口
无限宽，只要主机继续访问
为100μs的字节装入周期时间内的设备。
写操作状态位
该X28HC64为用户提供了两个写操作
状态位。这些可以被用来优化系统
写周期时间。状态位被映射到
的I / O ，如图1的总线。
图1.状态位分配
I / O
DP
TB
5
4
3
2
1
0
版权所有
切换位
数据轮询
数据轮询（ I / O
7
)
该X28HC64特征的数据轮询的方法
表示到主机系统，该字节写或页
写周期结束。数据轮询允许SIM-
的PLE位测试操作，以确定的状态
X28HC64 ，无需额外的中断输入或
外部硬件。在内部编程
周期，任何尝试读取写入的最后一个字节将亲
领袖的数据对我补/ O
7
（即写
数据= 0XXX XXXX ，读取数据= 1XXX XXXX） 。一旦
编程周期完成后， I / O
7
会反映真实的数据。
切换位（ I / O
6
)
该X28HC64还提供了另一种方法，用于阻止 -
挖掘时，内部写周期完成。能很好地协同
荷兰国际集团的内部编程周期的I / O
6
将切换
从高电平变为低电平，并低到高对后续
尝试读出该设备。当内部循环是
完成这种切换将停止，该设备将
访问额外的读或写操作。
5
FN8109.1
2006年6月7日
QQ：2881677436 复制
