X28HC64
64K ， 8K ×8位
数据表
2005年6月1日
FN8109.0
5伏，可变的字节EEPROM
特点
为70ns存取时间
简单的字节和页式写
- 单5V电源
- 无外部高电压或V
PP
控制电路
- 自定时
- 不删除之前写入
- 不复杂的编程算法
-No Overerase问题
低功耗CMOS
-40mA有功电流最大。
-200μA待机电流最大值。
快速写周期时间
-64字节页写操作
- 字节或页写入周期： 2ms的典型
-complete存储器重写： 0.25秒。典型
- 有效字节写周期时间： 32μs典型
软件数据保护
写检测结束
威刚投票
- 切换位
高可靠性
-Endurance ： 100万次
- 数据保存： 100年
JEDEC批准字节宽的脚了
描述
该X28HC64是8K ×8的EEPROM ，与制造
Intersil专有的高性能，浮栅
CMOS技术。像所有Intersil的可编程非易失
非易失性存储器中， X28HC64是5V唯一设备。它
采用了JEDEC核准的平托的字节宽的MEM
法制前提，行业标准的RAM兼容。
该X28HC64支持64字节页写操作，
有效地提供了一个32μs /字节写周期，并
使整个存储器被典型地写在0.25
秒。该X28HC64还提供数据查询和
触发位投票，两种方法提供早点结束
写检测。此外， X28HC64包括一
用户可选软件的数据保护方式，进一步
增强了Intersil的硬件写保护功能。
Intersil公司的EEPROM进行设计和测试应用程序
阳离子需要延长的续航能力。固有的数据
保持大于100年。
销刀豆网络gurations
塑料DIP
扁平封装
CERDIP
1
2
3
4
5
6
8
9
10
11
12
13
14
28
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26
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20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
NC
A
8
A
9
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11
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A
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CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
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26
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8
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9
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NC
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CE
I / O
7
I / O
6
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1
12
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0
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7
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2
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PLCC
V
CC
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NC
NC
NC
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TSOP
A2
A1
A0
I / O 0
I / O 1
I / O 2
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VSS
NC
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
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CE
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3
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5
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9
10
11
12
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32
31
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29
28
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26
25
24
23
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21
20
19
18
17
A3
A4
A5
A6
A7
A 12
NC
NC
VCC
NC
WE
NC
A8
A9
A 11
OE
SOIC
NC
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
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3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
V
SS
4
3
2
1 32 31 30
X28HC64
7 X28HC64 22
X28HC64
（ TOP VIEW ）
25
24
23
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13
21
14 15 16 17 18 19 20
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
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5
NC
PGA
I / O
3
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V
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14
I / O
5
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4
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20
I / O
6
18
I / O
7
19
A
10
21
A
11
23
A
8
25
NC
26
X28HC64
A
4
OE
6 （ BOTTOM 22
VIEW ）
A
12
2
A
7
3
V
CC
28
NC
1
A
9
24
WE
27
5
A
6
4
底部视图
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2005.版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
X28HC64
设备操作
读
读操作是由两个OE和CE启动
低。读出操作是通过在CE终止或
OE返回高电平。这两个线路的控制结构
消除了总线争用中的系统环境。
数据总线将处于高阻抗状态时
要么OE或CE为高电平。
写
当两个CE和写入操作开始WE
低， OE为高电平。该X28HC64支持
既CE和WE控制的写周期。即，在
地址是由CE或下降沿锁存
WE，以先到为准最后。类似地，数据是
通过CE或上升沿内部锁存
WE，以先到为准科幻RST 。字节写操作，
一旦启动，就会自动继续完井
化，通常在2ms以内。
页写操作
该X28HC64的页写入功能允许
整个存储器写入以0.25秒。页写
允许数据的2到64个字节是次连续
tively前的字句开始写入X28HC64
换货内部编程周期。主机可以
从在系统内的其它设备读取的数据
页写操作（修改源地址）
但页面地址（A
6
至A
12
）为每个之后，又
quent有效的写周期的一部分，这个操作过程
必须是相同的初始页面的地址。
页写模式，可以在任何写启动
操作。在最初的字节写周期，
主机可以编写额外的1到63个字节
以相同的方式。每个连续的字节负载循环，
由WE由高到低的转变开始，必须开始
内前述WE的下降沿为100μs 。如果
随后WE由高到低的转变是不是
为100μs内检测到的，内部自动编程
明周期将开始。没有页写win-
道琼斯限制。有效页写窗口
无限宽，只要主机继续访问
为100μs的字节装入周期时间内的设备。
写操作状态位
该X28HC64为用户提供了两个写操作
状态位。这些可以被用来优化系统
写周期时间。状态位被映射到
的I / O ，如图1的总线。
图1.状态位分配
I / O
DP
TB
5
4
3
2
1
0
版权所有
切换位
数据轮询
数据轮询（ I / O
7
)
该X28HC64特征的数据轮询的方法
表示到主机系统，该字节写或页
写周期结束。数据轮询允许SIM-
的PLE位测试操作，以确定的状态
X28HC64 ，无需额外的中断输入或
外部硬件。在内部编程
周期，任何尝试读取写入的最后一个字节将亲
领袖的数据对我补/ O
7
（即写
数据= 0XXX XXXX ，读取数据= 1XXX XXXX） 。一旦
编程周期完成后， I / O
7
会反映真实的数据。
切换位（ I / O
6
)
该X28HC64还提供了另一种方法，用于阻止 -
挖掘时，内部写周期完成。能很好地协同
荷兰国际集团的内部编程周期的I / O
6
将切换
从高电平变为低电平，并低到高对后续
尝试读出该设备。当内部循环是
完成这种切换将停止，该设备将
访问额外的读或写操作。
3
FN8109.0
2005年6月1日
X28HC64
64K
X28HC64
5伏，字节可变ê
2
舞会
8K ×8位
特点
55ns存取时间
简单的字节和页式写
- 单5V电源
- 无外部高电压或V
PP
控制
电路
- 自定时
- 不删除之前写入
- 不复杂的编程算法
-No Overerase问题
低功耗CMOS
-40 mA的工作电流最大。
—200
待机电流最大。
快速写周期时间
-64字节页写操作
- 字节或页写入周期： 2ms的典型
-complete存储器重写： 0.25秒。典型
- 有效字节写周期时间： 32
典型
软件数据保护
写检测结束
威刚投票
- 切换位
高可靠性
-Endurance ： 100,000次
- 数据保存： 100年
JEDEC批准字节宽引脚
描述
该X28HC64是8K ×8 ê
2
PROM ，与制造
Xicor公司专有的高性能，浮栅
CMOS技术。像所有的Xicor公司的可编程非易失
非易失性存储器的X28HC64是5V唯一设备。该
X28HC64采用了JEDEC核准的引脚排列针对字节
宽回忆，与行业标准兼容的RAM 。
该X28HC64支持64字节页写操作，
有效地提供了32μs /字节写周期和使
abling被典型地写在0.25的整个存储器
秒。该X28HC64还具有
数据
投票和
触发位投票，两种方法提供早点结束
写检测。此外， X28HC64包括一
用户可选软件的数据保护方式，进一步
增强Xicor公司的硬件写保护功能。
Xicor公司ê
2
PROM的设计和测试应用
系统蒸发散需要延长的续航能力。固有的数据重新
张力大于100年。
TSOP
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
NC
VSS
NC
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
CE
A10
1
2
3
4
5
6
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14
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32
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29
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27
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20
19
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A3
A4
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NC
NC
VCC
NC
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NC
A8
A9
A11
OE
销刀豆网络gurations
VCC
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A12
NC
NC
NC
塑料DIP
扁平封装
CERDIP
SOIC
NC
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
VSS
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3
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X28HC64
28
27
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21
20
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VCC
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NC
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A11
OE
A10
CE
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I/O6
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I/O3
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A0
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5
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LCC
PLCC
X28HC64
4
3
2
1 32 31 30
29
28
27
26
A8
A9
A11
NC
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
X28HC64
25
24
23
22
PGA
I/O1
I/O2
I/O3
I/O5
I/O6
12
13
15
17
18
I/O0
A0
11
10
A1
A3
A5
A2
8
A4
6
A12
2
A7
3
X28HC64
VSS
I/O4
I/O7
14
16
19
CE
20
OE
22
A10
21
A11
23
A8
25
NC
26
3857 ILL F22
10
11
12
21
13
14 15 16 17 18 19 20
I/O1
I/O2
VSS
NC
I/O3
I/O4
I/O5
9
7
3857 FHD F03
5
3857 FHD F02.1
VCC
A9
28
24
NC
1
WE
27
4
A6
3857 FHD F04
底部视图
Xicor公司，公司1994年， 1995年， 1996年专利待定
3857-3.0 97年8月5日T1 / C0 / D0 EW
1
特性如有变更，恕不另行通知
X28HC64
设备操作
读
读出操作是由两个启动
OE
和
CE
低。
在读操作由或终止
CE
or
OE
返回高电平。这两个线路的控制结构消除
纳茨总线争用中的系统环境。数据
总线将处于高阻抗状态时，无论
OE
or
CE
为高。
写
写操作开始时两者
CE
和
WE
是
低，
OE
为HIGH 。该X28HC64支持一个
CE
和
WE
控制的写周期。也就是说，地址
由的下降沿锁存的任一
CE
or
WE ，
为准过去。类似地，数据被锁存
在内部通过的上升沿或者
CE
or
WE ，
而─
先出现。字节写操作，一旦开始，
会自动继续完成，通常在
2ms.
页写操作
该X28HC64的页写入功能，使整个
存储器写入以0.25秒。页写允许
数据的2到64个字节将被连续写入
在您的开始的X28HC64
内部编程周期。主机可以读取数据
从一个页面中的系统内的其它设备
写操作（改变源地址），但
网页地址（A
6
至A
12
）对于每个后续
有效的写周期的一部分，在此操作中必须
相同的初始页面的地址。
页写模式，可以在任何写启动
操作。在最初的字节写周期，主机
可以编写一个附加1在63个字节
作为第一个字节被写入相同的方式。每个演替
西伯字节装入周期，由开始
WE
前高后低
过渡，必须的下降沿为100μs内开始
前
WE 。
如果后续
WE
前高后低
为100μs内未检测到转换时，内部
自动编程周期将开始。有
没有页面写入窗口的限制。有效的页面
写窗口是无限宽，所以只要主机
继续到字节装入周期内访问设备
100μs的时间。
写操作状态位
该X28HC64为用户提供了两个写操作
状态位。这些可以被用来优化系统
写周期时间。状态位被映射到
的I / O ，如图1的总线。
图1.状态位分配
I / O
DP
TB
5
4
3
2
1
0
版权所有
切换位
数据轮询
3857 FHD F11
数据
投票（ I / O
7
)
该X28HC64特点
数据
轮询的方法来
表示到主机系统，该字节写或页
写周期结束。
数据
投票允许一个简单的
位的测试操作，以确定X28HC64的状态，
无需额外的外部中断输入或外部硬
洁具。在内部编程周期， AT-任何
诱惑读取写入会产生的最后一个字节
这些数据对我补/ O
7
（即写入数据= 0XXX
XXXX ，读取数据= 1XXX XXXX） 。一旦编程
周期完成后， I / O
7
会反映真实的数据。
切换位（ I / O
6
)
该X28HC64还提供了另一种方法，用于阻止 -
挖掘时，内部写周期完成。中
内部编程周期I / O
6
将切换从
HIGH到LOW和低到高后续
尝试读出该设备。当内部循环是
完成这种切换将停止，该设备将
访问额外的读或写操作。
3
X28HC64
64K ， 8K ×8位
数据表
2006年6月7日
FN8109.1
5伏，可变的字节EEPROM
特点
为70ns存取时间
简单的字节和页式写
- 单5V电源
- 无外部高电压或V
PP
控制电路
- 自定时
- 不删除之前写入
- 不复杂的编程算法
-No Overerase问题
低功耗CMOS
-40mA有功电流最大。
-200μA待机电流最大值。
快速写周期时间
-64字节页写操作
- 字节或页写入周期： 2ms的典型
-complete存储器重写： 0.25秒。典型
- 有效字节写周期时间： 32μs典型
软件数据保护
写检测结束
威刚投票
- 切换位
高可靠性
-Endurance ： 100万次
- 数据保存： 100年
JEDEC批准字节宽的脚了
无铅加退火有（符合RoHS ）
描述
该X28HC64是8K ×8的EEPROM ，与制造
Intersil专有的高性能，浮栅
CMOS技术。像所有Intersil的可编程非易失
非易失性存储器中， X28HC64是5V唯一设备。它
采用了JEDEC核准的引脚排列字节宽
回忆，与行业标准兼容的RAM 。
该X28HC64支持64字节页写操作，
有效地提供了一个32μs /字节写周期，并
使整个存储器被典型地写在0.25
秒。该X28HC64还提供数据查询和
触发位投票，两种方法提供早点结束
写检测。此外， X28HC64包括一
用户可选软件的数据保护方式，进一步
增强了Intersil的硬件写保护功能。
Intersil公司的EEPROM进行设计和测试应用程序
阳离子需要延长的续航能力。固有的数据
保持大于100年。
销刀豆网络gurations
塑料DIP
扁平封装
CERDIP
1
2
3
4
5
6
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
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21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
NC
A
8
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9
A
11
OE
A
10
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
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4
I / O
3
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6
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5
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4
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3
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2
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1
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0
NC
I / O
0
5
6
7
8
9
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11
12
29
28
27
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A
8
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9
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11
NC
OE
A
10
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
1
12
I / O
0
11
A
1
9
A
3
7
A
5
I / O
2
13
A
0
10
A
2
8
LCC
PLCC
V
CC
WE
A
12
NC
NC
NC
A
7
TSOP
A2
A1
A0
I / O 0
I / O 1
I / O 2
NC
VSS
NC
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
CE
A10
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
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32
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A 12
NC
NC
VCC
NC
WE
NC
A8
A9
A 11
OE
SOIC
NC
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
V
SS
4
3
2
1 32 31 30
X28HC64
7 X28HC64 22
X28HC64
（ TOP VIEW ）
25
24
23
22
13
21
14 15 16 17 18 19 20
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
V
SS
I / O
5
NC
PGA
I / O
3
15
V
SS
14
I / O
5
17
I / O
4
16
CE
20
I / O
6
18
I / O
7
19
A
10
21
A
11
23
A
8
25
NC
26
X28HC64
A
4
OE
6 （ BOTTOM 22
VIEW ）
A
12
2
A
7
3
V
CC
28
NC
1
A
9
24
WE
27
5
A
6
4
底部视图
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2005-2006 。版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
X28HC64
订购信息
（续）
产品型号
X28HC64D-12
X28HC64DI-12
X28HC64DM-12
X28HC64DMB-12
X28HC64FM-12
X28HC64J-12*
X28HC64JI-12*
X28HC64JIZ - 12 * （注）
X28HC64JZ - 12 * （注）
X28HC64KMB-12
X28HC64P-12
X28HC64PI-12
X28HC64PIZ -12 （注）
X28HC64PZ -12 （注）
X28HC64S-12*
X28HC64SI-12*
X28HC64SIZ - 12 * （注）
X28HC64SZ -12 （注）
X28HC64DM-15
X28HC64J-15T1
X28HC64JI-15
X28HC64JM-15
X28HC64JZ - 15 * （注）
X28HC64KMB-15
X28HC64P-15
X28HC64PIZ -15 （注）
X28HC64PZ -15 （注）
X28HC64S-15
X28HC64SI-15
最热
X28HC64D-12
X28HC64DI-12
X28HC64DM-12
X28HC64DMB - 12
X28HC64FM-12
X28HC64J-12
X28HC64JI-12
X28HC64JI - 12
X28HC64J - 12
X28HC64KMB - 12
X28HC64P-12
X28HC64PI-12
X28HC64PI - 12
X28HC64P - 12
X28HC64S-12
X28HC64SI-12
X28HC64SI - 12
X28HC64S - 12
X28HC64DM-15
X28HC64J-15
X28HC64JI-15
X28HC64JM-15
X28HC64J - 15号Z
X28HC64KMB - 15
X28HC64P-15
X28HC64PI - 15号Z
X28HC64P - 15号Z
X28HC64S-15
X28HC64SI-15
温度
范围（° C）
0到70
-40到85
-55至125
MIL-STD-883
-55至125
0到70
-40到85
-40到85
0到70
MIL-STD-883
0到70
-40到85
-40到85
0到70
0到70
-40到85
-40到85
0到70
-55至125
0到70
-40到85
-55至125
0到70
MIL-STD-883
0到70
-40到85
0到70
0到70
-40到85
150
存取时间
（纳秒）
120
包
28 Ld的CERDIP
28 Ld的CERDIP
28 Ld的CERDIP
28 Ld的CERDIP
28 Ld的FLATPACK （ 440万）
32 Ld的PLCC
32 Ld的PLCC
32 Ld的PLCC （无铅）
32 Ld的PLCC （无铅）
28 Ld的PGA
28 Ld的PDIP
28 Ld的PDIP
28 Ld的PDIP ** （无铅）
28 Ld的PDIP ** （无铅）
28 Ld的SOIC （ 300万）
28 Ld的SOIC （ 300万）
28 Ld的SOIC （ 300万） （无铅）
28 Ld的SOIC （ 300万） （无铅）
28 Ld的CERDIP
32 Ld的PLCC磁带和卷轴
32 Ld的PLCC
32 Ld的PLCC
32 Ld的PLCC （无铅）
28 Ld的PGA
28 Ld的PDIP
28 Ld的PDIP ** （无铅）
28 Ld的PDIP ** （无铅）
28 Ld的SOIC （ 300万）
28 Ld的SOIC （ 300万）
N32.45x55
N32.45x55
N32.45x55
N32.45x55
G28.550x650A
E28.6
E28.6
E28.6
M28.3
M28.3
N32.45x55
N32.45x55
N32.45x55
N32.45x55
G28.550x650A
E28.6
E28.6
E28.6
E28.6
M28.3
M28.3
M28.3
M28.3
PKG 。 DWG 。 ＃
*添加"T1"后缀磁带和卷轴。
**无铅PDIPs可用于仅通孔波峰焊处理。他们不打算在回流焊接工艺应用。
注： Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅材料制成，模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡板
终止完成，这是符合RoHS标准，既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil无铅产品MSL
分类，可达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求的无铅峰值回流温度。
3
FN8109.1
2006年6月7日
X28HC64
设备操作
读
读操作是由两个OE和CE启动
低。读出操作是通过在CE终止或
OE返回高电平。这两个线路的控制结构
消除了总线争用中的系统环境。
数据总线将处于高阻抗状态时
要么OE或CE为高电平。
写
当两个CE和写入操作开始WE
低， OE为高电平。该X28HC64支持
既CE和WE控制的写周期。即，在
地址是由CE或下降沿锁存
WE，以先到为准最后。类似地，数据是
通过CE或上升沿内部锁存
WE，以先到为准科幻RST 。字节写操作，
一旦启动，就会自动继续完井
化，通常在2ms以内。
页写操作
该X28HC64的页写入功能允许
整个存储器写入以0.25秒。页写
允许数据的2到64个字节是连续
之前开始写入X28HC64
内部编程周期。主机可以读取数据
从一个页面中的系统内的其它设备
写操作（改变源地址），但
网页地址（A
6
至A
12
）对于每个后续
有效的写周期的一部分，这个操作过程中一定要
是相同的初始页面的地址。
页写模式，可以在任何写启动
操作。在最初的字节写周期，
主机可以编写额外的1到63个字节
以相同的方式。每个连续的字节负载循环，
由WE由高到低的转变开始，必须开始
内前述WE的下降沿为100μs 。如果
随后WE由高到低的转变是不是
为100μs内检测到的，内部自动编程
明周期将开始。没有页写win-
道琼斯限制。有效页写窗口
无限宽，只要主机继续访问
为100μs的字节装入周期时间内的设备。
写操作状态位
该X28HC64为用户提供了两个写操作
状态位。这些可以被用来优化系统
写周期时间。状态位被映射到
的I / O ，如图1的总线。
图1.状态位分配
I / O
DP
TB
5
4
3
2
1
0
版权所有
切换位
数据轮询
数据轮询（ I / O
7
)
该X28HC64特征的数据轮询的方法
表示到主机系统，该字节写或页
写周期结束。数据轮询允许SIM-
的PLE位测试操作，以确定的状态
X28HC64 ，无需额外的中断输入或
外部硬件。在内部编程
周期，任何尝试读取写入的最后一个字节将亲
领袖的数据对我补/ O
7
（即写
数据= 0XXX XXXX ，读取数据= 1XXX XXXX） 。一旦
编程周期完成后， I / O
7
会反映真实的数据。
切换位（ I / O
6
)
该X28HC64还提供了另一种方法，用于阻止 -
挖掘时，内部写周期完成。能很好地协同
荷兰国际集团的内部编程周期的I / O
6
将切换
从高电平变为低电平，并低到高对后续
尝试读出该设备。当内部循环是
完成这种切换将停止，该设备将
访问额外的读或写操作。
5
FN8109.1
2006年6月7日
X28HC64
64K ， 8K ×8位
数据表
2009年8月28日
FN8109.2
5伏，可变的字节EEPROM
该X28HC64是8K ×8的EEPROM ，制造与Intersil的
专有的，高性能，浮栅的CMOS
技术。像所有Intersil的可编程非易失性
回忆， X28HC64是5V唯一设备。它的特点
JEDEC批准的引脚排列字节宽的回忆，兼容
与行业标准的RAM 。
该X28HC64支持64字节页写操作，
有效地提供了一个32μs /字节写周期，并且使
整个存储器进行通常书面0.25秒。该
X28HC64还提供数据查询和切换位投票，
两种方法提供写检测的提前结束。此外，
在X28HC64包括用户可选的软件数据保护
模式，进一步增强了Intersil的硬件写保护
能力。
Intersil公司的EEPROM的设计和测试应用程序
需要延长的续航能力。固有的数据保存
超过100年以上。
特点
为70ns存取时间
简单的字节和页式写
- 单5V电源
- 无需外部高电压或V
PP
控制电路
- 自定时
- 无擦除前写
- 无需复杂的编程算法
- 无overerase问题
低功耗CMOS
- 40毫安有功电流最大。
200μA待机电流最大。
快速写周期时间
- 64字节页写操作
- 字节或页写周期： 2ms的典型
- 完整的记忆重写： 0.25秒。典型
- 有效字节写周期时间： 32μs典型
软件数据保护
写检测结束
- 数据查询
- 触发位
高可靠性
- 耐力： 100000次
- 数据保存：100年
JEDEC批准字节宽的脚了
无铅可（符合RoHS ）
引脚配置
X28HC64
（ 28 LD PDIP ， SOIC ）
顶视图
NC
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
WE
NC
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
I / O
0
5
6
7
8
9
10
11
12
A
7
X28HC64
（ 32 LD PLCC ）
顶视图
A
12
V
CC
WE
NC
NC
NC
4
3
2
1 32 31 30
29
28
27
26
25
24
23
22
A
8
A
9
A
11
NC
OE
A
10
CE
I / O
7
I / O
6
7 X28HC64 22
X28HC64
（ TOP VIEW ）
13
21
14 15 16 17 18 19 20
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
V
SS
I / O
5
NC
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2005-2006年， 2009年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
X28HC64
订购信息
产品型号
X28HC64J-70*
X28HC64JIZ - 70 * （注1 ）
X28HC64JZ - 70 * （注1 ）
X28HC64SIZ-70
X28HC64SZ -70 （注1 ）
X28HC64J-90*
X28HC64JI-90**
X28HC64JIZ - 90 * （注1 ）
X28HC64P-90
X28HC64PI-90
最热
X28HC64J -70 RR
X28HC64JI -70 ZRR
X28HC64J -70 ZRR
X28HC64SI -70 RR
X28HC64S -70 RRZ
X28HC64J -90 RR
X28HC64JI -90 RR
X28HC64JI -90 ZRR
X28HC64P -90 RR
X28HC64PI -90 RR
温度
范围（° C）
0至+70
-40至+85
0至+70
-40至+85
0至+70
0至+70
-40至+85
-40至+85
0至+70
-40至+85
-40至+85
0至+70
0至+70
-40至+85
-40至+85
0至+70
0至+70
-40至+85
-40至+85
0至+70
0至+70
-40至+85
-40至+85
0至+70
120
90
存取时间
（纳秒）
70
包
32 Ld的PLCC
32 Ld的PLCC （无铅）
32 Ld的PLCC （无铅）
28 Ld的SOIC （ 300万）
28 Ld的SOIC （ 300万） （无铅）
32 Ld的PLCC
32 Ld的PLCC
32 Ld的PLCC （无铅）
28 Ld的PDIP
28 Ld的PDIP
28 Ld的PDIP （无铅）
28 Ld的PDIP （无铅）
32 Ld的PLCC
32 Ld的PLCC
32 Ld的PLCC （无铅）
32 Ld的PLCC （无铅）
28 Ld的PDIP
28 Ld的PDIP
28 Ld的PDIP （无铅）
28 Ld的PDIP （无铅）
28 Ld的SOIC （ 300万）
28 Ld的SOIC （ 300万）
28 Ld的SOIC （ 300万） （无铅）
28 Ld的SOIC （ 300万） （无铅）
PKG 。
DWG 。 ＃
N32.45x55
N32.45x55
N32.45x55
M28.3
M28.3
N32.45x55
N32.45x55
N32.45x55
E28.6
E28.6
E28.6
E28.6
N32.45x55
N32.45x55
N32.45x55
N32.45x55
E28.6
E28.6
E28.6
E28.6
M28.3
M28.3
M28.3
M28.3
X28HC64PIZ -90（注1,2 ） X28HC64PI -90 RRZ
X28HC64PZ -90（注1,2 ） X28HC64P -90 RRZ
X28HC64J-12*
X28HC64JI-12*
X28HC64JIZ - 12 * （注1）
X28HC64JZ - 12 * （注1）
X28HC64P-12
X28HC64PI-12
X28HC64J - 12 RR
X28HC64JI - 12 RR
X28HC64JI - 12 RR
X28HC64J - 12 RRZ
X28HC64P - 12 RR
X28HC64PI - 12 RR
X28HC64PIZ -12（注1,2 ） X28HC64PI -12 RRZ
X28HC64PZ -12（注1,2 ） X28HC64P -12 RRZ
X28HC64S-12*
,
**
X28HC64SI-12*
X28HC64SIZ - 12 * （注1）
X28HC64SZ - 12 （注1 ）
X28HC64S - 12 RR
X28HC64SI - 12 RR
X28HC64SI - 12 RRZ
X28HC64S - 12 RRZ
*添加“T1”后缀磁带和卷轴。请参阅TB347对卷筒规格的详细信息。
***添加“T2”后缀磁带和卷轴。请参阅TB347对卷筒规格的详细信息。
注意事项：
1.这些Intersil无铅产品采用塑料包装特殊的无铅材料套，模塑料/晶片的附属材料和100 ％
雾锡板加退火（ E3终止完成，这是符合RoHS标准，既锡铅和无铅焊接操作兼容） 。
Intersil无铅产品分类MSL在达到或超过IPC / JEDEC的无铅要求的无铅峰值回流温度
STD- 020 。
2.无Pb PDIPs可用于仅通孔波峰焊处理。他们不打算在回流焊接加工利用
应用程序。
2
FN8109.2
2009年8月28日
X28HC64
引脚说明
地址（A
0
-A
12
)
地址输入过程中选择8位内存位置
读或写操作。
设备操作
读
读操作是由两个OE和CE LOW启动。该
读操作是通过CE或OE返回终止
HIGH 。这种两线控制架构消除了总线
争用中的系统环境。的数据总线将在
高阻抗状态时，无论OE或CE为高电平。
芯片使能（ CE ）
该芯片使能输入必须为低电平，使所有的读/写
操作。当CE为高电平时，功耗减小。
输出使能（ OE ）
输出使能控制输入输出的数据缓冲和
用于启动读取操作。
写
写操作启动的两个CE的时候，我们是
LOW和OE为高电平。该X28HC64支持在CE
而我们控制的写周期。即，地址被锁存
通过CE或WE的下降沿，以先到为准
最后。类似地，数据由上升沿内部锁存
任CE或WE ，以先到为准。字节写
操作时，一旦启动，就会自动继续
完成后，通常在2ms以内。
数据输入/输出（ I / O
0
-I / O
7
)
数据通过I写入或从X28HC64读/ O的
销。
写使能（ WE）
写使能输入控制数据到的写作
X28HC64.
表1.引脚名称
符号
A
0
-A
12
I / O
0
-I / O
7
WE
CE
OE
V
CC
V
SS
NC
描述
地址输入
数据输入/输出
写使能
芯片使能
OUTPUT ENABLE
+5V
地
无连接
页写操作
该X28HC64的页写入功能，使整个
存储器写入以0.25秒。页写允许两个
到64个字节的数据是连续写入
X28HC64之前的内部的开始
编程周期。主机可以读取从另一个数据
一个页面的写操作期间，系统内的设备
（修改源地址） ，但网页地址（A
6
至A
12
）对于每个后续有效的写周期的一部分
此操作过程中必须是相同的初始页
地址。
页写模式，可以在任何写启动
操作。在最初的字节写周期，主机可以
写一个附加1至63个字节在同一
方式。每个连续的字节负载循环，由我们开始
由高到低的转变，必须的为100μs内开始
坠落前WE的边缘。如果后续的WE高
为100μs内没有检测到的电平转换，内部
自动编程周期将开始。没有
页写窗口的限制。有效的页写
窗口是无限宽，只要主机继续
为100μs的字节负载周期的时间内无法访问该设备。
框图
65,536-BIT
X缓冲器
锁存器和
解码器
A
0
–A
12
地址
输入
缓冲器
锁存器
和
解码器
I / O缓冲器
和锁存器
EEPROM
ARRAY
写操作状态位
该X28HC64为用户提供了两个写操作状态
位。这些可以被用来优化系统写周期
时间。状态位被映射到I / O总线，如图
在网络连接gure 1 。
I / O
DP
TB
5
4
3
2
1
0
CE
OE
WE
V
CC
V
SS
控制
逻辑与
定时
I / O
0
-I / O
7
数据输入/输出
版权所有
切换位
数据轮询
图1.状态位分配
3
FN8109.2
2009年8月28日
X28HC64
数据轮询（ I / O
7
)
该X28HC64特征的数据轮询的方法来指示
到主机系统，该字节写或页写周期具有
完成。数据轮询允许一个简单的测试位操作
确定X28HC64的状态，而无需额外的
中断输入或外部硬件。在内部
编程周期，任何尝试读取的最后一个字节写入
将产生的数据的补码对I / O的
7
（即写
数据= 0XXX XXXX ，读取数据= 1XXX XXXX） 。一旦
编程周期完成后， I / O
7
会反映真实的数据。
切换位（ I / O
6
)
该X28HC64还提供了另一种方法，用于确定
当内部写周期完成。在内部
编程周期I / O
6
会从高切换到低和
低到高的后续尝试读取设备。
当内部循环完成后触发将停止
并且该设备将用于额外的访问读取或写入
操作。
数据轮询I / O
7
WE
LAST
写
CE
OE
V
IH
I / O
7
高Z
V
OL
A
0
–A
12
V
OH
X28HC64
准备
An
An
An
An
An
An
An
图2.数据投票总线序列
写数据
数据投票可以有效地减少时间为写入
X28HC64 。图2中的时序图显示了
序列总线上的事件。在软件流程图
图3示出了实施常规的一种方法。
NO
写到
完成？
是的
最后保存数据
和地址
请阅读最后
地址
IO
7
比较？
是的
NO
准备
图3.数据查询软件流
4
FN8109.2
2009年8月28日
X28HC64
切换位I / O
6
WE
LAST
写
CE
OE
I / O
6
V
OH
*
V
OL
高Z
*
X28HC64
准备
*我的开始和结束状态/ O
6
会有所不同。
图4.切换位总线序列
硬件数据保护
上次写
该X28HC64提供了两个硬件功能保护
从意外写入非易失性数据。
- 默认V
CC
某种意义上，所有的写入功能受到抑制时，
V
CC
为3V典型。
写保护，控股或者OE较低，我们HIGH ，或CE
高会防止加电时无意中写周期
和断电，保持数据的完整性。
是的
负载ACCUM
从ADDR
软件数据保护
比较
ACCUM与
ADDR
比较
行？
是的
NO
该X28HC64提供了一个软件控制的数据保护
功能。该X28HC64从Intersil的附带软件
数据保护未启用;也就是说，该装置将在
标准操作模式。在这种模式下的数据应
通过使用在电/掉电保护操作
外部电路。该主机将不得不开放读写
该装置一旦V的访问
CC
是稳定的。
在X28HC64可在加电自动保护
起来，而不需要外部电路以省电
使用该软件的数据保护功能。内部
第一次写操作之后的软件的数据保护电路启用
操作利用软件算法。该电路是
非易失性的，对于该装置的寿命将保持置位，
除非复位命令发出。
一旦软件保护被激活， X28HC64是
也防止了无意或误写
加电状态。即，软件算法必须
先于写入附加数据发送到设备。
准备
图5.切换位软件流
切换位可以消除储蓄的苦差事和
取最后一个地址和数据，以执行
数据轮询。这可以是在一个数组中特别有用
由多个X28HC64记忆是频繁
更新。翻转位轮询也可以提供一个方法
状态检查多处理器的应用。时机
在图4中图示出的事件顺序
总线。图5中的软件流程图，示出了
方法轮询切换位。
软件算法
选择软件的数据保护模式要求
主机系统通过一系列的先于数据写入操作
三个写操作三个具体地址。请参阅
图6和图7的序列。三字节序列
打开页面写入窗口，使从写主机
1至64字节的数据。一旦页面加载周期有
完毕后，该装置将自动地返回到
数据保护状态。
FN8109.2
2009年8月28日
5
QQ：2880707522 复制
