X28HC256
256K ， 32K ×8位
数据表
2005年6月1日
FN8108.0
5伏，可变的字节EEPROM
特点
存取时间： 70ns的
简单的字节和页式写
- 单5V电源
- 无外部高电压或V
PP
控制电路
- 自定时
- 不删除之前写入
- 不复杂的编程算法
-No Overerase问题
低功耗CMOS
-active ： 60毫安
-Standby ： 500μA
软件数据保护
针对系统级无意 - 保护数据
写到
高速页写能力
高度可靠的直写
CELL
-Endurance ：100万次
- 数据保存： 100年
写发现及早结束
威刚投票
- 切换位投票
框图
描述
该X28HC256是第二代高perfor-
曼斯CMOS 32K ×8的EEPROM 。它是用纤维制作
Intersil专有，纹理聚浮栅技
术，提供了一个高度可靠的5伏仅nonvola-
瓷砖的内存。
该X28HC256支持128字节页写操作
化，有效地提供了24μs /字节写周期，
使整个存储器被典型地重写
小于0.8秒。该X28HC256还具有
数据轮询和切换位投票，两种方法
提供写检测的提前结束。该X28HC256
还支持JEDEC标准的软件数据亲
为防止意外写入tection功能
在上电和断电。
耐力为X28HC256被指定为一个微型
每个字节和固有的妈妈百万的写入周期
100年的数据保存。
X缓冲器
锁存器和
解码器
A
0
–A
14
地址
输入
缓冲器
锁存器和
解码器
256Kbit
EEPROM
ARRAY
I / O缓冲器
和锁存器
I / O
0
-I / O
7
CE
OE
WE
V
CC
V
SS
控制
逻辑与
定时
数据输入/输出
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2005.版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
X28HC256
设备操作
读
读操作是由两个OE和CE启动
低。读出操作是通过在CE终止或
OE返回高电平。这两个线路的控制结构
消除了总线争用中的系统环境。
数据总线将处于高阻抗状态时
要么OE或CE为高电平。
写
当两个CE和写入操作开始WE
低， OE为高电平。该X28HC256支持
既CE和WE控制的写周期。即，在
地址是由CE或下降沿锁存
WE，以先到为准最后。类似地，数据是
通过CE或上升沿内部锁存
WE，以先到为准科幻RST 。字节写操作，
一旦启动，就会自动继续完井
化，通常在3毫秒。
页写操作
该X28HC256的页写入功能允许
整个存储要被写入通常0.8秒。
页写允许最多128
数据的字节将被连续写入到
X28HC256 ，先于内部开始
编程周期。主机可以读取从数据
在页写的系统内的其它设备
操作（改变源地址），但在网页
地址（A
7
至A
14
） ，其后每有效
在此操作期间写周期的一部分必须是
相同的初始页面的地址。
页写模式，可以在任何写启动
操作。在最初的字节写周期，
主机可以写另外的1到一百
以相同的方式作为第27个字节
字节写。每个连续的字节负载循环，
由WE由高到低的转变开始，必须开始
内前述WE的下降沿为100μs 。如果
随后WE由高到低的转变是不是
为100μs内检测到的，内部自动编程
明周期将开始。没有页写win-
道琼斯限制。有效页写窗口
无限宽，只要主机继续访问
为100μs的字节装入周期时间内的设备。
写操作状态位
该X28HC256为用户提供了两个写操作
状态位。这些可以被用来优化系统
写周期时间。状态位被映射到
的I / O ，如图1的总线。
图1.状态位分配
I / O
DP
TB
5
4
3
2
1
0
版权所有
切换位
数据轮询
数据轮询（ I / O
7
)
该X28HC256特征的数据轮询的方法
表示到主机系统，该字节写或页
写周期结束。数据轮询允许SIM-
的PLE位测试操作，以确定的状态
X28HC256 。这消除了额外的中断输入或
外部硬件。在内部编程
周期，任何尝试读取写入的最后一个字节将亲
领袖的数据对我补/ O
7
（即，写
数据= 0XXX XXXX ，读取数据= 1XXX XXXX） 。一旦亲
编程周期完成后， I / O
7
会反映真实的数据。
切换位（ I / O
6
)
该X28HC256还提供了另一种方法为
当确定内部写周期完成。
在内部编程周期I / O
6
将切换
从高电平变为低电平，并低到高对后续
尝试读出该设备。当内部循环是
完成这种切换将停止，并且该设备将
访问额外的读取和写入操作。
3
FN8108.0
2005年6月1日
X28HC256
数据轮询I / O
7
图2.数据投票总线序列
WE
LAST
写
CE
OE
V
IH
I / O
7
高Z
V
OL
A
0
–A
14
An
An
An
An
An
An
An
V
OH
X28HC256
准备
图3.数据查询软件流
写数据
数据轮询可以有效的减少一半的时间用于编写
到X28HC256 。在图2中illus-的时序图
trates总线上的事件序列。该软
在图3中洁具流程图展示了一种方法
的执行程序。
写到
完成？
是的
最后保存数据
和地址
No
请阅读最后
地址
IO
7
比较？
是的
No
X28HC256
准备
4
FN8108.0
2005年6月1日
X28HC256
切换位I / O
6
图4.切换位总线序列
LAST
我们写
CE
OE
I / O
6
V
OH
*
V
OL
高Z
*
X28C512/513
准备
* I / O
6
开始和结束我的状态/ O
6
会有所不同。
图5.切换位软件流
硬件数据保护
该X28HC256提供两个硬件功能
防止非易失性数据免受意外写操作。
- 默认V
CC
某种意义上，所有的写功能被禁止
当V
CC
是3.5V典型。
- 禁止写入控股要么OE较低，我们HIGH ，或
CE HIGH将防止在无意中写周期
上电和断电，保持数据的完整性。
软件数据保护
上次写
是的
负载ACCUM
从ADDR
比较
ACCUM与
ADDR
比较
行？
是的
No
该X28HC256提供了一个软件控制数据亲
tection功能。该X28HC256是Intersil公司发货
该软件的数据保护未启用;那
是，该装置将在标准操作模式。
在这种模式下的数据应在加电被保护
上/下通过使用外部税务局局长的动作
cuits 。该主机将不得不开放读写
该装置一旦V的访问
CC
是稳定的。
在X28HC256可以在自动保护
上电和掉电（无需克斯特
最终电路）通过采用软件数据保护
功能。内部软件的数据保护电路
在第一次写入操作之后使能，利用该软
洁具算法。这个电路是非易失性的，并且将
该设备，除非重置的生活保持置
命令被发出。
一旦软件保护被激活， X28HC256是
也防止在无意中和误写
在通电的状态。也就是说，软件算法必须
先于写入附加数据到设备发出。
X28C256
准备
切换位可以消除储蓄的苦差事和
取最后一个地址和数据，以执行
数据轮询。这可以是在一个特别有用的
阵列由多个X28HC256回忆
经常更新。图4中的时序图
示出了在总线上的事件序列。该
图5软件流程图说明的方法
轮询切换位。
5
FN8108.0
2005年6月1日
X28HC256
256K ， 32K ×8位
数据表
2007年5月7日
FN8108.2
5V ，字节EEPROM可变
该X28HC256是第二代高性能
CMOS 32K ×8的EEPROM 。它是制作与Intersil的
专有的，纹理聚浮栅技术，提供
可靠性高的5V仅非易失性存储器。
该X28HC256支持128字节页写操作，
有效地提供了24μs /字节写周期，使
整个存储器被典型地重写在小于0.8的
秒。该X28HC256还提供数据查询和
切换位查询，提供提前结束的两种方法
写检测。该X28HC256还支持JEDEC
标准软件数据保护功能来保护
防止意外在上电和掉电写。
耐力为X28HC256被指定为最小
每字节百万的写入周期和固有的数据
保留100年。
特点
存取时间： 70ns的
简单的字节和页式写
- 单5V电源
- 无需外部高电压或V
P-P
控制电路
- 自定时
- 无擦除前写
- 无需复杂的编程算法
- 无overerase问题
低功耗CMOS
- 活动： 60毫安
- 待机： 500μA
软件数据保护
- 防止系统级的意外写入数据
高速页写能力
高度可靠的直写
CELL
- 耐久性：100万次
- 数据保存：100年
写发现及早结束
- 数据查询
- 切换位投票
无铅加退火有（符合RoHS ）
框图
X缓冲器
锁存器和
解码器
A
0
到A
14
地址
输入
缓冲器
锁存器和
解码器
I / O缓冲器
和锁存器
256kBIT
EEPROM
ARRAY
I / O
0
到I / O
7
CE
OE
WE
数据输入/输出
控制
逻辑与
定时
V
CC
V
SS
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2005年， 2006年， 2007年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
X28HC256
订购信息
（续）
产品型号
X28HC256PIZ -12 （注）
X28HC256S-12*
X28HC256SZ -12 （注）
X28HC256SI-12*
X28HC256SIZ -12 （注）
X28HC256SM -12 *，**
X28HC256D-90
X28HC256DI-90
X28HC256DM-90
X28HC256DMB-90
X28HC256EM-90
X28HC256EMB-90
X28HC256FI-90
X28HC256FM-90
X28HC256FMB-90
X28HC256J-90*
X28HC256JZ -90 * （注）
X28HC256JI-90*
X28HC256JIZ -90 * （注）
X28HC256JM-90*
X28HC256KM-90
X28HC256KMB-90
X28HC256P-90
X28HC256PZ -90 （注）
X28HC256PI-90
X28HC256PIZ -90 （注）
X28HC256S-90*
X28HC256SI-90*
X28HC256SIZ -90 （注）
X28HC256SI-20T1
*添加"T1"后缀磁带和卷轴。
**添加"T2"后缀磁带和卷轴。
***无铅PDIPs可用于仅通孔波峰焊处理。他们不打算在回流焊接工艺应用。
注： Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅材料制成，模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡板
终止完成，这是符合RoHS标准，既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil无铅产品MSL
分类，可达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求的无铅峰值回流温度。
最热
X28HC256PI - 12 RRZ
X28HC256S - 12 RR
X28HC256S - 12 RRZ
X28HC256SI - 12 RR
X28HC256SI - 12 RRZ
X28HC256SM - 12 RR
X28HC256D -90 RR
X28HC256DI -90 RR
X28HC256DM -90 RR
X28HC256DMB - 90
X28HC256EM -90 RR
X28HC256EMB - 90
X28HC256FI -90 RR
X28HC256FM -90 RR
X28HC256FMB - 90
X28HC256J -90 RR
X28HC256J -90 ZRR
X28HC256JI -90 RR
X28HC256JI -90 ZRR
X28HC256JM -90 RR
X28HC256KM -90 RR
X28HC256KMB - 90
X28HC256P -90 RR
X28HC256P -90 RRZ
X28HC256PI -90 RR
X28HC256PI -90 RRZ
X28HC256S -90 RR
X28HC256SI -90 RR
X28HC256SI -90 RRZ
200
90
90
120
存取时间
（纳秒）
TEMP 。 RANGE
(°C)
-40至+85
0至+70
0至+70
-40至+85
-40至+85
-55到+125
0至+70
-40至+85
-55到+125
MIL-STD-883
-55到+125
MIL-STD-883
-40至+85
-55到+125
MIL-STD-883
0至+70
0至+70
-40至+85
-40至+85
-55到+125
-55到+125
MIL-STD-883
0至+70
0至+70
-40至+85
-40至+85
0至+70
-40至+85
-40至+85
-40至+85
包
28 Ld的PDIP （无铅） ***
28 Ld的SOIC （ 300密耳）
28 Ld的SOIC （ 300密耳） （无铅）
28 Ld的SOIC （ 300密耳）
28 Ld的SOIC （ 300密耳） （无铅）
28 Ld的SOIC （ 300密耳）
28 Ld的CERDIP （ 520密耳）
28 Ld的CERDIP （ 520密耳）
28 Ld的CERDIP （ 520密耳）
28 Ld的CERDIP （ 520密耳）
32 Ld的LCC （ 458密耳）
32 Ld的LCC （ 458密耳）
28 Ld的FLATPACK （ 440密耳）
28 Ld的FLATPACK （ 440密耳）
28 Ld的FLATPACK （ 440密耳）
32 Ld的PLCC
32 Ld的PLCC （无铅）
32 Ld的PLCC
32 Ld的PLCC （无铅）
32 Ld的PLCC
28 Ld的PGA
28 Ld的PGA
28 Ld的PDIP
28 Ld的PDIP （无铅） ***
28 Ld的PDIP
28 Ld的PDIP （无铅） **
28 Ld的SOIC （ 300密耳）
28 Ld的SOIC （ 300密耳）
28 Ld的SOIC （ 300密耳） （无铅）
28 Ld的SOIC （ 300密耳）的磁带和卷轴
N32.45x55
N32.45x55
N32.45x55
N32.45x55
N32.45x55
G28.550x650A
G28.550x650A
E28.6
E28.6
E28.6
E28.6
MDP0027
MDP0027
MDP0027
MDP0027
PKG 。 DWG 。 ＃
E28.6
MDP0027
MDP0027
MDP0027
MDP0027
MDP0027
F28.6
F28.6
F28.6
F28.6
3
FN8108.2
2007年5月7日
X28HC256
引脚配置
X28HC256
（ 28 LD陶瓷浸渍， FLATPACK ， PDIP ， SOIC ）
顶视图
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
V
CC
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
X28HC256
（ 32 LD PLCC ， LCC ）
顶视图
V
CC
WE
A
12
A
14
NC
A
13
A
7
X28HC256
（ 28 LD PGA）
底部视图
I / O I / O
I / O I / O
I / O
1
2
3
5
6
12
13
15
17
18
A
8
A
9
A
11
NC
OE
A
10
CE
I / O
7
I / O
6
I / O一
0
0
10
11
A
1
9
A
3
7
A
5
5
A
6
4
V
I / O
I / O
SS
4
7
14
16
19
4 3
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
I / O
0
5
6
7
8
9
10
11
2 1 32 31 30
29
28
27
X28HC256
26
25
24
23
22
X28HC256
8
21
20
19
18
17
16
15
A
2
CE-A
10
8
20
21
X28HC256
A
4
奥斯特
11
6
23
22
A
12
V
CC
A
9
2
28
24
A
7
3
1
A
14
A
8
25
12
22
13
21
14 15 16 17 18 19 20
I / O
1
I / O
2
V
SS
NC
I / O
3
I / O
4
I / O
5
我们一
13
27
26
引脚说明
地址（A
0
到A
14
)
地址输入过程中选择8位内存位置
读或写操作。
芯片使能（ CE ）
该芯片使能输入必须为低电平，使所有的读/写
操作。当CE为高，功耗
减少。
输出使能（ OE ）
输出使能输入控制数据输出缓冲器，
与用于启动读取操作。
数据输入/输出（ I / O
0
到I / O
7
)
数据通过I写入或从X28HC256读/ O的
销。
写使能（ WE）
写使能输入控制数据到的写作
X28HC256.
4
FN8108.2
2007年5月7日
X28HC256
引脚名称
符号
A
0
到A
14
I / O
0
到I / O
7
WE
CE
OE
V
CC
V
SS
NC
描述
地址输入
数据输入/输出
写使能
芯片使能
OUTPUT ENABLE
+5V
地
无连接
页写模式，可以在任何写启动
操作。在最初的字节写周期，主机可以
写另外1到127个字节
以同样的方式作为第一个字节被写入。每
连续的字节负载循环，由WE高电平变为低电平启动
过渡，必须的下降沿为100μs内开始
之前我们。如果后续WE由高到低的转变
为100μs内没有检测到时，内部自动
编程周期将开始。没有页写
窗口的限制。有效页写窗口
无限宽，只要主机继续访问
设备为100μs的字节负载周期时间内。
写操作状态位
该X28HC256为用户提供了两个写操作状态
位。这些可以被用来优化系统写周期
时间。状态位被映射到I / O总线，如图
在网络连接gure 1 。
I / O
DP
TB
5
4
3
2
1
0
设备操作
读
读操作是由两个OE和CE LOW启动。该
读操作是通过CE或OE返回终止
HIGH 。这种两线控制架构消除了总线
争用中的系统环境。的数据总线将在
高阻抗状态时，无论OE或CE为高电平。
版权所有
切换位
数据轮询
写
写操作启动的两个CE的时候，我们是
LOW和OE为高电平。该X28HC256支持在CE
而我们控制的写周期。即，地址被锁存
通过CE或WE的下降沿，以先到为准
最后。类似地，数据由上升沿内部锁存
任CE或WE ，以先到为准。字节写
操作时，一旦启动，就会自动继续
完成后，通常在3毫秒。
图1.状态位分配
数据轮询（ I / O
7
)
该X28HC256特征的数据轮询的方法来指示
到主机系统，该字节写或页写周期具有
完成。数据轮询允许一个简单的测试位操作
确定X28HC256的状态。这消除
额外的中断输入或外部硬件。在
内部编程周期，任何尝试读取的最后一个字节
写会产生数据的补上的I / O
7
（即
写入数据= 0XXX XXXX ，读取数据= 1XXX XXXX） 。一旦
编程周期完成后， I / O
7
会反映真实的数据。
页写操作
该X28HC256的页写入功能，使整个
存储将要写入在通常0.8秒。页写
允许最多的数据成为128个字节
接续于X28HC256 ，先于写入
开始内部编程周期。主人
从另一设备的系统内的过程中可以读取数据
页写操作（改变源地址），但
网页地址（A
7
至A
14
） ，其后每有效
在此操作期间写周期的一部分必须是相同的
作为初始页面地址。
切换位（ I / O
6
)
该X28HC256还提供了另一种方法为
当确定内部写周期完成。中
内部编程周期I / O
6
会从高切换到
LOW和低到高的后续尝试读
装置。当内部循环完成后触发将
停止，并且设备将是额外的读访问
操作和写操作。
5
FN8108.2
2007年5月7日
–
N
EW
P
RODUCT
I
导论 -
X28HC256DM-12
罗彻斯特电子公司重新推出，并继续与全面生产急需的半导体
原制造商的授权和注重质量达到或超过原来的组成部分。
原始制造商：
X28HC256DM-12
重新引入由
罗彻斯特电子的
十月31 ， 2012
原型号：
X28HC256DM-12
描述：
256K EEPROM
包装：
28引脚DIP
生产流程：
MTO
耐力：
1,000,000次循环
可在
无铅
版本
[温度/封装类型/速度/应用]
相关器件
X28HC256D-12
X28HC256D-90
X28HC256DI-15
X28HC256DMB-15
X28HC256EI-12
X28HC256FM-90
X28HC256JM-15T1
X28HC256KI-15
X28HC256PM-12
X28HC256KMB-15
低功耗CMOS EEPROM
与高速页写能力
该X28HC256是第二代高
高性能CMOS 32K ×8的EEPROM 。据制作
与Intersil专有，纹理聚浮
门技术，只提供一个高度可靠的5V
非易失性存储器。该X28HC256支持128
字节页写操作，有效地提供
一个24μs /字节写周期，使整个
存储器可以典型地重写在小于0.8的
秒。该X28HC256还具有DATA
轮询和切换位投票，两种方法
提供的检测写的提前结束。
世界各地的公司总部
16马尔科姆·霍伊特驱动器。纽伯里波特，MA 01950
电话
978.462.9332 .
电子邮件
sales@rocelec.com 。
WEB
www.rocelec.com
罗彻斯特电子有限责任公司 - 版权所有 - 11162012
X28HC256
256K ， 32K ×8位
数据表
2007年5月7日
FN8108.2
5V ，字节EEPROM可变
该X28HC256是第二代高性能
CMOS 32K ×8的EEPROM 。它是制作与Intersil的
专有的，纹理聚浮栅技术，提供
可靠性高的5V仅非易失性存储器。
该X28HC256支持128字节页写操作，
有效地提供了24μs /字节写周期，使
整个存储器被典型地重写在小于0.8的
秒。该X28HC256还提供数据查询和
切换位查询，提供提前结束的两种方法
写检测。该X28HC256还支持JEDEC
标准软件数据保护功能来保护
防止意外在上电和掉电写。
耐力为X28HC256被指定为最小
每字节百万的写入周期和固有的数据
保留100年。
特点
存取时间： 70ns的
简单的字节和页式写
- 单5V电源
- 无需外部高电压或V
P-P
控制电路
- 自定时
- 无擦除前写
- 无需复杂的编程算法
- 无overerase问题
低功耗CMOS
- 活动： 60毫安
- 待机： 500μA
软件数据保护
- 防止系统级的意外写入数据
高速页写能力
高度可靠的直写
CELL
- 耐久性：100万次
- 数据保存：100年
写发现及早结束
- 数据查询
- 切换位投票
无铅加退火有（符合RoHS ）
框图
X缓冲器
锁存器和
解码器
A
0
到A
14
地址
输入
缓冲器
锁存器和
解码器
I / O缓冲器
和锁存器
256kBIT
EEPROM
ARRAY
I / O
0
到I / O
7
CE
OE
WE
数据输入/输出
控制
逻辑与
定时
V
CC
V
SS
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2005年， 2006年， 2007年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
X28HC256
订购信息
（续）
产品型号
X28HC256PIZ -12 （注）
X28HC256S-12*
X28HC256SZ -12 （注）
X28HC256SI-12*
X28HC256SIZ -12 （注）
X28HC256SM -12 *，**
X28HC256D-90
X28HC256DI-90
X28HC256DM-90
X28HC256DMB-90
X28HC256EM-90
X28HC256EMB-90
X28HC256FI-90
X28HC256FM-90
X28HC256FMB-90
X28HC256J-90*
X28HC256JZ -90 * （注）
X28HC256JI-90*
X28HC256JIZ -90 * （注）
X28HC256JM-90*
X28HC256KM-90
X28HC256KMB-90
X28HC256P-90
X28HC256PZ -90 （注）
X28HC256PI-90
X28HC256PIZ -90 （注）
X28HC256S-90*
X28HC256SI-90*
X28HC256SIZ -90 （注）
X28HC256SI-20T1
*添加"T1"后缀磁带和卷轴。
**添加"T2"后缀磁带和卷轴。
***无铅PDIPs可用于仅通孔波峰焊处理。他们不打算在回流焊接工艺应用。
注： Intersil无铅加退火产品采用特殊的无铅材料制成，模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡板
终止完成，这是符合RoHS标准，既锡铅和无铅焊接操作兼容。 Intersil无铅产品MSL
分类，可达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求的无铅峰值回流温度。
最热
X28HC256PI - 12 RRZ
X28HC256S - 12 RR
X28HC256S - 12 RRZ
X28HC256SI - 12 RR
X28HC256SI - 12 RRZ
X28HC256SM - 12 RR
X28HC256D -90 RR
X28HC256DI -90 RR
X28HC256DM -90 RR
X28HC256DMB - 90
X28HC256EM -90 RR
X28HC256EMB - 90
X28HC256FI -90 RR
X28HC256FM -90 RR
X28HC256FMB - 90
X28HC256J -90 RR
X28HC256J -90 ZRR
X28HC256JI -90 RR
X28HC256JI -90 ZRR
X28HC256JM -90 RR
X28HC256KM -90 RR
X28HC256KMB - 90
X28HC256P -90 RR
X28HC256P -90 RRZ
X28HC256PI -90 RR
X28HC256PI -90 RRZ
X28HC256S -90 RR
X28HC256SI -90 RR
X28HC256SI -90 RRZ
200
90
90
120
存取时间
（纳秒）
TEMP 。 RANGE
(°C)
-40至+85
0至+70
0至+70
-40至+85
-40至+85
-55到+125
0至+70
-40至+85
-55到+125
MIL-STD-883
-55到+125
MIL-STD-883
-40至+85
-55到+125
MIL-STD-883
0至+70
0至+70
-40至+85
-40至+85
-55到+125
-55到+125
MIL-STD-883
0至+70
0至+70
-40至+85
-40至+85
0至+70
-40至+85
-40至+85
-40至+85
包
28 Ld的PDIP （无铅） ***
28 Ld的SOIC （ 300密耳）
28 Ld的SOIC （ 300密耳） （无铅）
28 Ld的SOIC （ 300密耳）
28 Ld的SOIC （ 300密耳） （无铅）
28 Ld的SOIC （ 300密耳）
28 Ld的CERDIP （ 520密耳）
28 Ld的CERDIP （ 520密耳）
28 Ld的CERDIP （ 520密耳）
28 Ld的CERDIP （ 520密耳）
32 Ld的LCC （ 458密耳）
32 Ld的LCC （ 458密耳）
28 Ld的FLATPACK （ 440密耳）
28 Ld的FLATPACK （ 440密耳）
28 Ld的FLATPACK （ 440密耳）
32 Ld的PLCC
32 Ld的PLCC （无铅）
32 Ld的PLCC
32 Ld的PLCC （无铅）
32 Ld的PLCC
28 Ld的PGA
28 Ld的PGA
28 Ld的PDIP
28 Ld的PDIP （无铅） ***
28 Ld的PDIP
28 Ld的PDIP （无铅） **
28 Ld的SOIC （ 300密耳）
28 Ld的SOIC （ 300密耳）
28 Ld的SOIC （ 300密耳） （无铅）
28 Ld的SOIC （ 300密耳）的磁带和卷轴
N32.45x55
N32.45x55
N32.45x55
N32.45x55
N32.45x55
G28.550x650A
G28.550x650A
E28.6
E28.6
E28.6
E28.6
MDP0027
MDP0027
MDP0027
MDP0027
PKG 。 DWG 。 ＃
E28.6
MDP0027
MDP0027
MDP0027
MDP0027
MDP0027
F28.6
F28.6
F28.6
F28.6
3
FN8108.2
2007年5月7日
X28HC256
引脚配置
X28HC256
（ 28 LD陶瓷浸渍， FLATPACK ， PDIP ， SOIC ）
顶视图
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
I / O
0
I / O
1
I / O
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
V
CC
WE
A
13
A
8
A
9
A
11
OE
A
10
CE
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
3
X28HC256
（ 32 LD PLCC ， LCC ）
顶视图
V
CC
WE
A
12
A
14
NC
A
13
A
7
X28HC256
（ 28 LD PGA）
底部视图
I / O I / O
I / O I / O
I / O
1
2
3
5
6
12
13
15
17
18
A
8
A
9
A
11
NC
OE
A
10
CE
I / O
7
I / O
6
I / O一
0
0
10
11
A
1
9
A
3
7
A
5
5
A
6
4
V
I / O
I / O
SS
4
7
14
16
19
4 3
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
NC
I / O
0
5
6
7
8
9
10
11
2 1 32 31 30
29
28
27
X28HC256
26
25
24
23
22
X28HC256
8
21
20
19
18
17
16
15
A
2
CE-A
10
8
20
21
X28HC256
A
4
奥斯特
11
6
23
22
A
12
V
CC
A
9
2
28
24
A
7
3
1
A
14
A
8
25
12
22
13
21
14 15 16 17 18 19 20
I / O
1
I / O
2
V
SS
NC
I / O
3
I / O
4
I / O
5
我们一
13
27
26
引脚说明
地址（A
0
到A
14
)
地址输入过程中选择8位内存位置
读或写操作。
芯片使能（ CE ）
该芯片使能输入必须为低电平，使所有的读/写
操作。当CE为高，功耗
减少。
输出使能（ OE ）
输出使能输入控制数据输出缓冲器，
与用于启动读取操作。
数据输入/输出（ I / O
0
到I / O
7
)
数据通过I写入或从X28HC256读/ O的
销。
写使能（ WE）
写使能输入控制数据到的写作
X28HC256.
4
FN8108.2
2007年5月7日
X28HC256
256K
X28HC256
5伏，字节可变ê
2
舞会
描述
32K ×8位
特点
访问时间： 70ns的
简单的字节和页式写
- 单5V电源
- 无需外部高电压或V
PP
控制
电路
- 自定时
写入前擦除不
无需复杂的编程算法
-No Overerase问题
低功耗CMOS ：
-active ： 60毫安
-Standby ： 500
A
软件数据保护
- 保护数据免受系统级
意外写入
高速页写能力
高度可靠的直写
CELL
-Endurance ：100,000写周期
- 数据保存： 100年
写发现及早结束
威刚投票
- 切换位投票
该X28HC256是第二代高perfor-
曼斯CMOS 32K ×8 ê
2
舞会。它是用纤维制作
Xicor公司专有的，纹理聚浮栅技
术，提供了一个高度可靠的5伏仅非易失
内存。
该X28HC256支持128字节页写操作
化，有效地提供了24μs /字节写周期，
使整个存储器被典型地重写
小于0.8秒。该X28HC256还具有
数据
轮询和切换位投票，两种方法
提供写检测的提前结束。该X28HC256
还支持JEDEC标准的软件数据亲
为防止意外写入tection功能
在上电和断电。
耐力为X28HC256被指定为最小
每字节100,000次写周期和固有的数据
保留100年。
引脚配置
塑料DIP
CERDIP
扁平封装
SOIC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
X28HC256
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/04
I/O3
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
I/O0
5
6
7
8
9
10
11
12
X28HC256
A7
LCC
PLCC
VCC
A12
A14
A13
WE
NC
TSOP
4
3
2
1 32 31 30
29
28
27
26
25
24
23
22
A8
A9
A11
NC
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
NC
VSS
NC
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
CE
A10
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A3
A4
A5
A6
A7
A12
A14
NC
VCC
NC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
X28HC256
21
13
14 15 16 17 18 19 20
I/O1
I/O2
VSS
NC
I/O3
I/O4
I/O5
3859 ILL F22
3859 FHD F03
3859 FHD F02
Xicor公司，公司1991年， 1995年专利待定
3859-2.8 97年8月5日T1 / C0 / D0 EW
1
特性如有变更，恕不另行通知
X28HC256
设备操作
读
读出操作是由两个启动
OE
和
CE
低。
在读操作由或终止
CE
or
OE
返回高电平。这两个线路的控制结构消除
纳茨总线争用中的系统环境。数据
总线将处于高阻抗状态时，无论
OE
or
CE
为高。
写
写操作开始时两者
CE
和
WE
是
低，
OE
为HIGH 。该X28HC256支持一个
CE
和
WE
控制的写周期。也就是说，地址
由的下降沿锁存的任一
CE
or
WE ，
为准过去。类似地，数据被锁存
在内部通过的上升沿或者
CE
or
WE ，
以先到为准。字节写操作，一旦
启动时，会自动继续完成，典型
美云为3ms内。
页写操作
该X28HC256的页写入功能允许
整个存储要被写入通常0.8秒。
页写允许最多128个字节
数据将被连续写入到X28HC256
之前，在内部编程的开始
周期。主机可以从另一设备读取的数据
页写操作过程中系统（内变化
源地址），但在网页地址（A
7
通过
A
14
）对于每个后续有效的写周期的一部分
此操作过程中必须是相同的初始
页面地址。
页写模式，可以在任何写启动
操作。在最初的字节写周期，主机
可以写另外的1到一百二十
以同样的方式7字节的第一个字节是
写的。每个连续的字节装入周期，由开始
WE
由高到低的转变，必须在100μS内开始
前述的下降沿
WE 。
如果后续
WE
由高到低的转变是不是内检测
为100μs ，内部的自动编程周期将
开始。没有页面写入窗口的限制。
有效页写窗口是连接奈特雷宽，所以
只要主机继续内访问设备
为100μs的字节负载循环时间。
写操作状态位
该X28HC256为用户提供了两个写操作
状态位。这些可以被用来优化系统的写
周期时间。状态位被映射到I / O总线作为
在图1中示出。
图1.状态位分配
I / O
DP
TB
5
4
3
2
1
0
版权所有
切换位
数据轮询
3859 FHD F11
数据
投票（ I / O
7
)
该X28HC256特点
数据
轮询的方法来
表示到主机系统，该字节写或页
写周期结束。
数据
投票允许一个简单的
位的测试操作，以确定的状态
X28HC256 ，无需额外的中断输入或
外部硬件。在内部编程
周期，任何尝试读取写入的最后一个字节将
产生数据的补上的I / O
7
（即，写
数据= 0XXX XXXX ，读取数据= 1XXX XXXX） 。一旦
编程周期完成后， I / O
7
将重新FL ECT真
数据。
切换位（ I / O
6
)
该X28HC256还提供了另一种方法，用于阻止 -
挖掘时，内部写周期完成。中
内部编程周期I / O
6
将切换从
HIGH到LOW和低到高后续
尝试读出该设备。当内部循环是
完成这种切换将停止，该设备将
访问额外的读取和写入操作。
3
X28HC256
数据
轮询I / O
7
图2中。
数据
投票总线序列
LAST
写
WE
CE
OE
VIH
I/O7
高Z
VOL
An
An
An
An
An
An
An
3859 FHD F12
VOH
X28HC256
准备
A0–A14
网络连接gure 3 。
数据
投票软件流程
数据
轮询可以有效地减少一半的时间写
该X28HC256 。在图2中illus-的时序图
trates总线上的事件序列。软件
溢流图3图演示的一种方法
执行该例程。
写数据
写到
完成？
是的
最后保存数据
和地址
NO
请阅读最后
地址
IO7
比较？
是的
X28HC256
准备
NO
3859 FHD F13
4
X28HC256
切换位I / O
6
图4.切换位总线序列
LAST
写
WE
CE
OE
VOH
*
VOL
I/O6
高Z
*
X28HC256
准备
* I / O6起止I / O6的状态会有所不同。
3859 FHD F14
图5.切换位软件流
切换位可以消除软件管家
节省家务和提取的最后一个地址和数据
写入设备，以执行
数据
轮询。
这可以是特别有帮助的构成的阵列
多X28HC256回忆，常常是上调
过时。在图4中的时序图显示了
序列总线上的事件。软件流程
图5图说明轮询的方法
触发位。
上次写
是的
负载ACCUM
从ADDR
比较
ACCUM与
ADDR
比较
行？
是的
X28HC256
准备
NO
3859 FHD F15
5
QQ：2881677436 复制
