X28C512/X28C513
512K
X28C512/X28C513
5伏，字节可变ê
2
舞会
64K ×8位
特点
访问时间：为90ns
简单的字节和页式写
- 单5V电源
- 无需外部高电压或V
PP
控制
电路
- 自定时
- 不删除之前写入
- 不复杂的编程算法
-No Overerase问题
低功耗CMOS ：
-active ： 50毫安
-Standby ： 500
A
软件数据保护
- 保护数据免受系统级
不会放电写操作
高速页写能力
高度可靠的直写细胞
-Endurance ：100,000写周期
- 数据保存： 100年
写发现及早结束
威刚投票
- 切换位投票
TSOP
A11
A9
A8
A13
A14
NC
NC
NC
WE
VCC
NC
NC
NC
NC
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
两个PLCC和LCC引出线
—X28C512
-X28C010 ê
2
PROM引脚兼容
—X28C513
兼容密度低ê
2
PROM的
描述
该X28C512 / 513是一个64K ×8 ê
2
PROM ，捏造
与Xicor公司专有的高性能，浮栅
CMOS技术。像所有的Xicor公司的可编程非易失
非易失性存储器的X28C512 / 513是一个5V的唯一设备。
该X28C512 / 513采用了JEDEC核准的引脚排列
对于单字节宽的回忆，与行业标兼容
准EPROMS 。
该X28C512 / 513支持128字节页写OP-
关合作，有效地提供了39μs /字节写周期，
使整个存储器写入在小于2.5
秒。该X28C512 / 513还具有
数据
轮询
和触发位投票，系统软件支持计划
用于指示尽早完成一个写周期。在
此外， X28C512 / 513支持的软件数据
保护选项。
销刀豆网络gurations
PLCC / LCC
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
NC
NC
VSS
NC
NC
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
塑料DIP
CERDIP
扁平封装
SOIC （R）的
NC
NC
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
X28C512
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
WE
NC
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/04
I/O3
X28C512
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
30
32 31 29
54 3 2
1
6
28
7
27
26
8
X28C512
25
9
（ TOP VIEW ）
24
10
11
23
12
22
13
15 16 17 18 19 20 21
14
A12
A15
NC
NC
VCC
WE
NC
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O1
I/O2
VSS
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
3856 FHD F03
PGA
I/O0
I/O2
I/O3
I/O5
I/O6
15
17
19
21
22
A1
13
A2
12
A4
10
A6
A0
14
A3
11
A5
9
A7
7
A15
5
NC
4
NC
2
NC
3
VCC
NC
36
34
NC
1
WE
35
底部
意见
CE
I/O1
VSS
I/O4
I/O7
16
18
20
23
24
A10
25
A11
27
A8
29
NC
32
NC
33
OE
26
A9
28
A13
30
A14
31
8
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
I/O0
6
A12
30
32 31 29
54 3 2
1
6
28
7
27
26
8
X28C513
25
9
（ TOP VIEW ）
24
10
11
23
12
22
13
15 16 17 18 19 20 21
14
I/O1
I/O2
VSS
NC
I/O3
I/O4
I/O5
A7
A12
A14
A15
VCC
WE
A13
3856 ILL F22
A8
A9
A11
NC
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
3856 FHD F01
3856 FHD F02
3856 FHD F04
Xicor公司，公司1991年， 1995年， 1996年专利待定
3856-3.2 97年8月5日T1 / C0 / D0 EW
1
特性如有变更，恕不另行通知
X28C512/X28C513
设备操作
读
读出操作是由两个启动
OE
和
CE
低。
在读操作由或终止
CE
or
OE
返回高电平。这两个线路的控制结构消除
纳茨总线争用中的系统环境。数据
总线将处于高阻抗状态时，无论
OE
or
CE
为高。
写
写操作开始时两者
CE
和
WE
是
低，
OE
为HIGH 。该X28C512 / 513支持
a
CE
和
WE
控制的写周期。也就是说，地址
由的下降沿锁存的任一
CE
or
WE ，
为准过去。类似地，数据被锁存
在内部通过的上升沿或者
CE
or
WE ，
而─
先出现。字节写操作，一旦开始，
会自动继续完成，通常在
5ms.
页写操作
在X28C512 / 513页写功能允许
整个存储要写入2.5秒。页写
允许两个to 128字节的数据
被连续地写入到X28C512 / 513前
开始内部编程周期。该
主机可以从所述另一设备读取的数据
页写操作时系统（更改源
地址），但是该网页的地址（甲
7
至A
15
）的
以后每次有效的写周期的一部分，在此
操作必须是相同的初始页面的地址。
页写模式，可以在任何写启动
操作。在最初的字节写周期，主机
可以写另外的1到一百二十
以同样的方式7字节的第一个字节是
写的。每个连续的字节装入周期，由开始
WE
由高到低的转变，必须在100μS内开始
前述的下降沿
WE 。
如果后续
WE
由高到低的转变是不是内检测
为100μs ，内部的自动编程周期将
开始。没有页面写入窗口的限制。
有效页写窗口是连接奈特雷宽，所以
只要主机继续内访问设备
为100μs的字节负载循环时间。
写操作状态位
该X28C512 / 513为用户提供了两个写操作
状态位。这些可以被用来优化系统
写周期时间。状态位被映射到
的I / O ，如图1的总线。
图1.状态位分配
I / O
DP
TB
5
4
3
2
1
0
版权所有
切换位
数据轮询
3856 FHD F06
数据
投票（ I / O
7
)
该X28C512 / 513的功能
数据
轮询的方法
以表明主机系统的字节写入或页
写周期结束。
数据
投票允许一个简单的
位测试操作，以确定X28C512的状态/
513 ，无需额外的中断输入或外部
硬件。在内部编程周期，任何
试图读取写入将产生的最后一个字节
这些数据对我补/ O
7
（即写入数据= 0XXX
XXXX ，读取数据= 1XXX XXXX） 。一旦编程
周期完成后， I / O
7
会反映真实的数据。
切换位（ I / O
6
)
该X28C512 / 513还提供了另一种方法为
当确定内部写周期完成。
在内部编程周期， I / O
6
将切换
从高电平变为低电平，并低到高对后续
尝试读出该设备。当内部循环是
完成这种切换将停止，该设备将
访问额外的读或写操作。
3
QQ：2881677436 复制
