X28C010 ， X28HT010
数据表
2007年2月12日
FN8105.1
5V ，字节EEPROM可变
Intersil的X28C010 / X28HT010是128K ×8的EEPROM ，
制造与Intersil专有的，高性能的，
浮栅CMOS技术。像所有Intersil公司
可编程非易失性存储器，所述
X28C010 / X28HT010是一个5V的唯一设备。该
X28C010 / X28HT010采用了JEDEC核准的引脚输出
对于字节宽的回忆，与行业标准兼容
EEPROM的。
该X28C010 / X28HT010支持256字节页写
运行，有效地提供了19μs /字节写周期，
使整个存储器被典型地写在少
超过2.5秒。该X28C010 / X28HT010还具有
数据轮询和切换位查询，系统软件
支持计划，用于指示提前完成的
写周期。此外， X28C010 / X28HT010支撑
软件数据保护选项。
Intersil公司的EEPROM的设计和测试应用程序
需要延长的续航能力。数据保存期限为
大于100年。
特点
访问时间： 120ns的
简单的字节和页式写
- 单5V电源
- 无需外部高电压或V
PP
控制
电路
- 自定时
写入前擦除不
无需复杂的编程算法
没有overerase问题
低功耗CMOS
- 活动： 50毫安
- 待机： 500μA
软件数据保护
- 防止系统级的意外写入数据
高速页写能力
高度可靠的直写
CELL
- 耐力：100,000写周期
- 数据保存：100年
写发现及早结束
- 数据查询
- 切换位投票
X28HT010是fuly功能@ + 175℃
引脚配置
CERDIP
扁平封装
SOIC （R）的
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
X28C010
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
WE
NC
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
A1
13
A2
12
A4
10
8
A6
A12
PGA
I/O0
I/O2
I / O 3
I/O5
I/O6
15
17
19
21
22
A0
14
A3
11
9
7
A5
A7
A15
A
16
NC
2
NC
3
VCC
NC
36
34
NC
1
WE
35
CE
I/O1
VSS
I/O4
I/O7
16
18
20
23
24
OE
A10
26
25
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I / O 0
EXTENDED LCC
A12
A15
A16
NC
VCC
4 3 2
1
5
6
7
8
9
10
11
12
13
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
WE
NC
32 31 30
X28C010
（底视图）
A11
27
A8
29
NC
32
NC
33
A9
28
A 13
30
A 14
31
X28C010
（ TOP VIEW ）
6
5
14 15 16 17 18 19 20
I/O1
I/O2
VSS
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
4
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2005年， 2007年版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
X28C010 ， X28HT010
框图
A
8
-A
16
X缓冲器
锁存器和
解码器
1Mbit
EEPROM
ARRAY
A
0
-A
7
缓冲器
锁存器和
解码器
I / O缓冲器
和锁存器
CE
OE
WE
V
CC
V
SS
控制
逻辑与
定时
I / O
0
-I / O
7
数据输入/输出
引脚说明
地址（A
0
-A
16
)
地址输入过程中选择8位内存位置
读或写操作。
芯片使能（ CE ）
该芯片使能输入必须为低电平，使所有的读/写
操作。当CE为高，功耗
减少。
输出使能（ OE ）
输出使能输入控制数据输出缓冲器，
与用于启动读取操作。
数据输入/输出（ I / O
0
-I / O
7
)
数据被写入或从X28C010 / X28HT010读
通过I / O引脚。
写使能（ WE）
写使能输入控制数据到的写作
X28C010/X28HT010.
反向偏置电压（V
BB
)
（仅X28HT010 ）
它需要提供-3V引脚1.这个负电压
提高更高的温度的功能。
引脚名称
符号
A
0
-A
16
I / O
0
-I / O
7
WE
CE
OE
V
CC
V
SS
NC
V
BB
*
*V
BB
适用于X28HT010只。
描述
地址输入
数据输入/输出
写使能
芯片使能
OUTPUT ENABLE
+5V
地
无连接
-3V
设备操作
读
读操作是由两个OE和CE LOW启动。该
读操作是通过CE或OE返回终止
HIGH 。这种两线控制架构消除了总线
争用中的系统环境。的数据总线将在
高阻抗状态时，无论OE或CE为高电平。
写
写操作启动的两个CE的时候，我们是
LOW和OE为高电平。该X28C010 / X28HT010支持
既CE和WE控制的写周期。即，在
地址是由CE或WE的下降沿锁存
为准最后。类似地，该数据被内部锁存
通过CE或WE的上升沿，以先到为准。
字节写操作，一旦启动，将自动
继续完成，一般在5ms内。
3
FN8105.1
2007年2月12日
X28C010 ， X28HT010
页写操作
该X28C010的页写入功能/ X28HT010允许
整个存储将要写入在5秒。页写
允许两个，两百音响FTY- 6个字节的数据是
连续写入X28C010 / X28HT010前
开始内部编程周期。主人
从另一设备的系统内的过程中可以读取数据
页写操作（改变源地址），但
网页地址（A
8
至A
16
） ，其后每有效
在此操作期间写周期的一部分必须是相同的
作为初始页面地址。
页写模式，可以在任何写启动
操作。在最初的字节写周期，主机可以
写一个附加一个在二百五十六字节
作为第一个字节被写入相同的方式。每个连续的
字节负载循环，由WE由高到低的转变开始，
必须在前面的下降沿为100μs内开始
WE 。如果后续WE由高到低的转变是不是
为100μs内检测到的，内部自动编程
周期将开始。没有页写窗口
限制。有效页写窗口是无限宽，
只要主机继续内的访问设备
为100μs的字节负载循环时间。
I / O
DP
TB
5
4
3
2
1
0
版权所有
切换位
数据轮询
图1.状态位分配
数据轮询（ I / O
7
)
该X28C010 / X28HT010特征的数据轮询的
方法，以指示主机系统，该字节写或
页写周期已经完成。数据轮询允许
简单的位测试操作，以确定的状态
X28C010 / X28HT010 ，无需额外的中断输入
或外部硬件。在内部编程周期，
任何尝试读取写入将产生的最后一个字节
这些数据对我补/ O
7
（即，将数据写入= 0XXX XXXX ，
读取数据= 1XXX XXXX） 。一旦编程周期
完成后， I / O
7
会反映真实的数据。注意：如果该
X28C010 / X28HT010是在受保护的状态，并且一个非法
写操作尝试，数据查询将不工作。
写操作状态位
该X28C010 / X28HT010为用户提供了两个写
运行的状态位。这些可以被用来优化
系统的写入周期时间。状态位被映射到
的I / O ，如图1的总线。
切换位（ I / O
6
)
该X28C010 / X28HT010还提供了另一种方法为
当确定内部写周期完成。中
内部编程周期， I / O
6
会从高切换到
LOW和低到高的后续尝试读
装置。当内部循环完成后触发将
停止，该设备将是额外的读或访问
写操作。
数据轮询I / O
7
WE
LAST
写
CE
OE
V
IH
I / O
7
高Z
V
OL
V
OH
X28C010
准备
A
n
A
n
A
n
A
n
A
0
-A
14
A
n
A
n
A
n
图2.数据投票总线序列
4
FN8105.1
2007年2月12日
X28C010 ， X28HT010
数据轮询可以有效的减少一半的时间写
X28C010 / X28HT010 。在图2的时序图
示出了在总线上的事件序列。软件
溢流图3图演示的一种方法
执行该例程。
No
写数据
写到
完成？
是的
最后保存数据
和地址
请阅读最后
地址
IO
7
比较？
是的
X28C010
准备
No
图3.数据查询软件流
切换位I / O
6
WE
LAST
写
CE
OE
I / O
6
V
OH
*
V
OL
高Z
*
X28C010
准备
*我的开始和结束状态/ O
6
会有所不同
图4.切换位总线序列
5
FN8105.1
2007年2月12日
X28C010
数据表
2005年5月11日
FN8105.0
5伏，可变的字节EEPROM
Intersil的X28C010是128K ×8 EEPROM ，制造
与Intersil专有的高性能，浮栅
CMOS技术。像所有Intersil的可编程非易失
非易失性存储器中， X28C010是5V唯一设备。该
X28C010采用了JEDEC核准的引脚输出的字节级
宽回忆，与行业标准兼容
EEPROM的。
该X28C010支持256字节页写操作，
有效地提供了一个19μs /字节写周期和使
整个存储器被典型地写在小于2.5
秒。该X28C010还提供数据查询和
切换位轮询，用于系统软件支持计划
表明早日完成一个写周期。此外，该
X28C010支持软件数据保护选项。
Intersil公司的EEPROM的设计和测试应用程序
需要延长的续航能力。数据保存期限为
大于100年。
特点
访问时间： 120ns的
简单的字节和页式写
- 单5V电源
- 无需外部高电压或V
PP
控制
电路
- 自定时
写入前擦除不
无需复杂的编程算法
没有overerase问题
低功耗CMOS
- 活动： 50毫安
- 待机： 500μA
软件数据保护
- 防止系统级的意外写入数据
高速页写能力
高度可靠的直写
CELL
- 耐力：100,000写周期
- 数据保存：100年
写发现及早结束
- 数据查询
- 切换位投票
引脚配置
PLCC
LCC
NC
VCC
A 12
A 15
A 16
WE
NC
EXTENDED LCC
A12
A15
A16
NC
VCC
4 3 2
1
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I / O 0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
30
I/O1
I/O2
VSS
I/O3
WE
NC
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
NC
NC
VSS
NC
NC
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
CERDIP
扁平封装
SOIC （R）的
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
X28C010
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
WE
NC
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
PGA
I/O0
I/O2
I / O 3
I/O5
I/O6
15
17
19
21
22
A1
13
A2
12
A4
10
A6
A12
6
5
A
16
A0
14
A3
11
9
A5
A7
A15
2
NC
3
NC
VCC
NC
36
34
NC
1
WE
35
CE
I/O1
VSS
I/O4
I/O7
16
18
20
23
24
OE
A10
26
25
32 31 30
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
X28C010
（底视图）
A11
27
A8
29
NC
32
NC
33
A9
28
A 13
30
A 14
31
32 31
54 3 2
29
1
6
28
7
27
26
8
X28C010
25
9
（ TOP VIEW ）
24
10
11
23
12
22
13
15 16 17 18 19 20 21
14
I/O1
I/O2
VSS
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
X28C010
（ TOP VIEW ）
8
7
14 15 16 17 18 19 20
I/O4
I/O5
I/O6
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
TSOP
A11
A9
A8
A13
A14
NC
NC
NC
WE
VCC
NC
NC
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
4
X28C010
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有Intersil公司美洲2005.版权所有
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
X28C010
页写操作
该X28C010的页写入功能，使整个
存储将要写入在5秒。页写允许两
256字节的数据可以连续写入
在您的内部开始的X28C010
编程周期。主机可以读取从另一个数据
一个页面的写操作期间，系统内的设备
（修改源地址） ，但网页地址（A
8
至A
16
）对于每个后续有效的写周期的一部分
此操作过程中必须是相同的初始页
地址。
页写模式，可以在任何写启动
操作。在最初的字节写周期，主机可以
写一个附加一个在二百五十六字节
作为第一个字节被写入相同的方式。每个连续的
字节负载循环，由WE由高到低的转变开始，
必须在前面的下降沿为100μs内开始
WE 。如果后续WE由高到低的转变是不是
为100μs内检测到的，内部自动编程
周期将开始。没有页写窗口
限制。有效页写窗口是无限宽，
只要主机继续内的访问设备
为100μs的字节负载循环时间。
I / O
DP
TB
5
4
3
2
1
0
版权所有
切换位
数据轮询
图1.状态位分配
数据轮询（ I / O
7
)
该X28C010特征的数据轮询的方法来指示
到主机系统，该字节写或页写周期具有
完成。数据轮询允许一个简单的测试位操作
确定X28C010的状态，而无需额外的
中断输入或外部硬件。在内部
编程周期，任何尝试读取的最后一个字节写入
将产生的数据的补码对I / O的
7
（即，写
数据= 0XXX XXXX ，读取数据= 1XXX XXXX） 。一旦
编程周期完成后， I / O
7
会反映真实的数据。
注意：如果X28C010处于保护状态，并且一个非法
写操作尝试，数据查询将不工作。
切换位（ I / O
6
)
该X28C010还提供了另一种方法，用于确定
当内部写周期完成。在内部
编程周期， I / O
6
会从高切换到低和
低到高的后续尝试读取设备。
当内部循环完成后触发将停止
并且该设备将用于额外的访问读取或写入
操作。
写操作状态位
该X28C010为用户提供了两个写操作状态
位。这些可以被用来优化系统写周期
时间。状态位被映射到I / O总线，如图
在网络连接gure 1 。
数据轮询I / O
7
WE
LAST
写
CE
OE
V
IH
I / O
7
高Z
V
OL
V
OH
X28C010
准备
A
n
A
n
A
n
A
n
A
0
-A
14
A
n
A
n
A
n
图2.数据投票总线序列
4
FN8105.0
2005年5月11日
X28C010
1M
X28C010
5伏，字节可变ê
2
舞会
128K ×8位
特点
描述
该Xicor公司X28C010是128K ×8 ê
2
PROM ，捏造
与Xicor公司专有的高性能，浮栅
CMOS技术。像所有的Xicor公司的可编程非易失
非易失性存储器的X28C010是5V唯一设备。该
X28C010采用了JEDEC核准的引脚排列针对字节
宽回忆，与行业标准兼容
EPROM中。
该X28C010支持256字节页写操作，
有效地提供了19μs /字节写周期和使
abling整个存储器被典型地写在少
超过2.5秒。该X28C010还具有
数据
轮询和切换位查询，系统软件支持
计划用于指示提前完成的写的
周期。此外， X28C010支持软件数据
保护选项。
Xicor公司ê
2
PROM的设计和测试应用
系统蒸发散需要延长的续航能力。数据保存
特定网络版大于100年。
访问时间： 120ns的
简单的字节和页式写
- 单5V电源
- 无外部高电压或V
PP
控制电路
- 自定时
- 不删除之前写入
- 不复杂的编程算法
-No Overerase问题
低功耗CMOS ：
-active ： 50毫安
-Standby ： 500
A
软件数据保护
- 保护数据免受系统级
不会放电写操作
高速页写能力
高度可靠的直写细胞
-Endurance ：100,000写周期
- 数据保存： 100年
写发现及早结束
威刚投票
- 切换位投票
销刀豆网络gurations
CERDIP
扁平封装
SOIC （R）的
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
X28C010
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
WE
NC
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
4
6
A12
5
A15
2
NC
3
1
A1
13
A2
12
A4
10
A6
A12
A15
A16
NC
VCC
WE
NC
PGA
I/O0
I/O2
I/O3
I/O5
I/O6
15
17
19
21
22
A0
14
A3
11
A5
A7
X28C010
（底视图）
8
7
A8
29
NC
VCC
NC
36
34
NC
WE
35
NC
32
NC
33
A13
30
A14
31
CE
I/O1
VSS
I/O4
I/O7
16
18
20
23
24
A10
25
A11
27
OE
26
A9
28
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
OE
11
23
A10
12
22
CE
13
15 16 17 18 19 20 21 I / O7
14
30
32 31 29
54 3 2
1
6
28
7
27
26
8
X28C010
25
9
（ TOP VIEW ）
24
10
A14
A13
A8
A9
A11
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
A12
A15
A16
NC
VCC
WE
NC
30
4 3 2
1
5
6
7
8
9
10
11
12
13
X28C010
（ TOP VIEW ）
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
32 31
14 15 16 17 18 19 20
PLCC
LCC
EXTENDED LCC
I/O1
I/O2
VSS
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
9
I/O1
I/O2
VSS
TSOP
A11
A9
A8
A13
A14
NC
NC
NC
WE
VCC
NC
NC
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
3858 FHD F03.1
A
16
3858 FHD F20
X28C010
3858 FHD F02.1
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
NC
NC
VSS
NC
NC
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
3858 ILL F21
Xicor公司，公司1991年， 1995年， 1996年专利待定
3858-3.1 97年4月3日T1 / C0 / D0 SH
1
特性如有变更，恕不另行通知
X28C010
设备操作
读
读出操作是由两个启动
OE
和
CE
低。
在读操作由或终止
CE
or
OE
返回高电平。这两个线路的控制结构消除
纳茨总线争用中的系统环境。数据
总线将处于高阻抗状态时，无论
OE
or
CE
为高。
写
写操作开始时两者
CE
和
WE
是
低，
OE
为HIGH 。该X28C010支持一个
CE
和
WE
控制的写周期。也就是说，地址
由的下降沿锁存的任一
CE
or
WE ，
而─
发生过去年。类似地，数据被内部锁存
的上升沿或者
CE
or
WE ，
以先到为准。
字节写操作，一旦启动，将自动
继续完成，一般在5ms内。
页写操作
该X28C010的页写入功能，使整个
存储将要写入在5秒。页写允许
two to 256个字节的数据是次连续
tively前的字句开始写入X28C010
换货内部编程周期。主机可以
从在系统内的其它设备读取的数据
页写操作（修改源地址） ，但
网页地址（A
8
至A
16
）对于每个后续
有效的写周期的一部分，在此操作中必须
相同的初始页面的地址。
页写模式，可以在任何写启动
操作。在最初的字节写周期，主机
可以编写一个附加一，两百fifty六个字节
以相同的方式作为第一个字节被写入。每
连续的字节装入周期，由开始
WE
高
LOW过渡，必须在坠落为100μs内开始
前述的边缘
WE 。
如果后续
WE
高
为100μs内没有检测到低的跳变，则内部
自动编程周期将开始。有
没有页面写入窗口的限制。有效的页面
写窗口是无限宽，所以只要主机
继续到字节装入周期内访问设备
100μs的时间。
写操作状态位
该X28C010为用户提供了两个写操作
状态位。这些可以被用来优化系统
写周期时间。状态位被映射到
的I / O ，如图1的总线。
图1.状态位分配
I / O
DP
TB
5
4
3
2
1
0
版权所有
切换位
数据轮询
3858 FHD F11
数据
投票（ I / O
7
)
该X28C010特点
数据
轮询的方法来
表示到主机系统，该字节写或页
写周期结束。
数据
投票允许一个简单的
位的测试操作，以确定X28C010的状态，
无需额外的外部中断输入或外部硬
洁具。在内部编程周期， AT-任何
诱惑读取写入会产生的最后一个字节
这些数据对我补/ O
7
（即写入数据= 0XXX
XXXX ，读取数据= 1XXX XXXX） 。一旦编程
周期完成后， I / O
7
会反映真实的数据。注意：如果该
X28C010处于保护状态和一个非法写
操作尝试
数据
投票将无法工作。
切换位（ I / O
6
)
该X28C010还提供了另一种方法，用于阻止 -
挖掘时，内部写周期完成。中
内部编程周期， I / O
6
将切换从
HIGH到LOW和低到高后续AT-
引诱读取设备。当内部循环是
完成这种切换将停止，该设备将
访问额外的读或写操作。
3
QQ：2880707522 复制
