【X2816C16KX2816C5伏，字节可变ê2舞会描述2048 ×8位特点为90ns存取时间简单的】,IC型号X2816CPI-15,X2816CPI-15 PDF资料,X2816CPI-15经销商,ic,电子元器件-51电子网

X2816C

16K

X2816C

5伏，字节可变ê

舞会

描述

2048 ×8位

特点

为90ns存取时间

简单的字节和页式写

- 单5V电源

- 无外部高电压或V

控制

电路

- 自定时

- 不删除之前写入

- 不复杂的编程算法

-No Overerase问题

高性能先进的NMOS技术

快速写周期时间

-16字节页写操作

- 字节或页写入周期： 5ms的典型

-complete存储器重写： 640ms典型

- 有效字节写周期时间： 300

典型

数据

轮询

- 允许用户以最小化写周期时间

JEDEC批准字节宽引脚

高可靠性

-Endurance ： 10,000次

- 数据保存： 100年

该Xicor公司X2816C是2K ×8 ê

PROM ，与制造

一种先进的高性能N型沟道的浮动栅

MOS技术。像所有的Xicor公司的可编程nonvola-

瓷砖记忆它是一个5V的唯一设备。该X2816C

采用了JEDEC核准的引脚排列字节宽

回忆，与行业标准兼容的RAM ，

ROM和EPROM中。

该X2816C支持16字节页写操作，

通常提供300μS /字节写周期，使

整个存储要被写入小于640ms 。该

X2816C还具有

数据

投票，系统软件

支持计划用于指示早日完成

一个写周期。

Xicor公司ê

PROM的设计和测试应用

系统蒸发散需要延长的续航能力。固有的数据重新

张力大于100年。

引脚配置

LCC

PLCC

VCC

塑料DIP

SOIC

I/O0

I/O1

I/O2

VSS

X2816C

VCC

A10

I/O7

I/O6

I/O5

I/04

I/O3

3852 FHD F02.1

I/O0

1 32 31 30

A10

I/O7

I/O6

X2816C

14 15 16 17 18 19 20

VSS

I/O1

I/O2

I/O3

I/O4

I/O5

3852 FHD F03

Xicor公司， 1995年专利待定

3852-1.4 96年3月27日T2 / C3 / D5 NS

特性如有变更，恕不另行通知

X2816C

引脚说明

地址（A

–A

)

的地址输入中选择一个8位的存储器位置

在读或写操作。

芯片使能（ CE ）

该芯片使能输入必须为低电平，使所有

读/写操作。当

为高电平，功率变

消耗减少。

输出使能（ OE ）

输出使能输入控制数据输出缓冲器

与用于启动读取操作。

引脚名称

符号

–A

I / O

-I / O

描述

地址输入

数据输入/输出

写使能

芯片使能

OUTPUT ENABLE

+5V

地

无连接

3852 PGM T01

工作原理图

X缓冲器

锁存器和

解码器

A0–A10

地址

输入

缓冲器

锁存器和

解码器

16,384-BIT

E2PROM

ARRAY

I / O缓冲器

和锁存器

I/O0–I/O7

数据输入/输出

VCC

VSS

控制

逻辑

3852 FHD F01

X2816C

设备操作

读

读出操作是由两个启动

和

低

和

HIGH 。在读操作被终止

或

返回高电平。这种两线控制

架构消除了总线争用的系统envi-

境。数据总线将处于高阻抗状态

当任

为高。

写

写操作开始时两者

和

是

低，

为HIGH 。该X2816C支持一个

和

控制的写周期。也就是说，该地址是

通过的下降沿锁存的任一

WE ，

任何

去年发生。类似地，数据由内部锁存

上升沿或者

WE ，

以先到为准。

字节写操作，一旦启动，将自动

继续完成，一般在5ms内。

页写操作

该X2816C的页写入功能，使整个

存储器被典型地写在640ms 。页写

允许数据的2到16个字节是连续

写到X2816C的开始之前

内部编程周期。虽然主机系统

可以在系统中读取的任何其它设备的数据

传送到X2816C ，目的地页面地址

在X2816C应该是以后每次在同一

的频闪

和

输入。也就是说，

至A

必须是相同的数据的每次传输到

在一个页面写周期X2816C 。

页写模式，可以在任何写输入

操作。在最初的字节写周期，主机

可以编写一个附加1至15个字节在同一

方式作为第一个字节被写入。每个连续的

字节装入周期，由开始

前高后低

过渡，必须的下降沿的20微秒内开始

前

WE 。

如果后续

前高后低

在20μs内未检测到转换时，内部自动

MATIC编程周期将开始。没有

页写窗口的限制。页写窗口

无限宽，只要主机继续访问

为20μs的字节负载周期时间内的设备。

数据

轮询

该X2816C特点

数据

轮询的方法来

表示到主机系统，该字节写或页

写周期结束。

数据

投票允许一个简单的

位的测试操作，以确定X2816C的状态，

无需额外的外部中断输入或外部硬

洁具。在内部编程周期， AT-任何

诱惑读取写入会产生的最后一个字节

这些数据对我补/ O

（即写入数据= 0XXX

XXXX ，读取数据= 1XXX XXXX）。一旦编程

周期完成后， I / O

会反映真实的数据。

写保护

有三个功能，保护非易失性数据

意外写操作。

噪声保护-A

脉冲通常是

小于10ns的不会启动写周期。

某种意义上，所有的功能被抑制时， V

≤3V,

典型的。

写禁止控股或者

低，

高，

在上电和掉电高，会

抑制意外写入。写周期时序specifi-

阳离子必须同时遵守。

耐力

Xicor公司ê

PROM的设计和测试应用

系统蒸发散需要延长的续航能力。

X2816C

系统注意事项

因为X2816C经常用于大容量存储器

阵列，它具有一个两线控制体系结构

进行读取和写入操作。正确使用可以

提供尽可能低的功耗和消除

争内特的可能性有多个I / O引脚

共享同一总线。

要获得最大的利益，则建议

从地址总线译码和被用作

主要设备选择输入。两

和

将

然后将阵列中的所有设备之间的通用。对于

读操作这可以确保所有设备取消

在它们的待机模式，仅所选择的

设备（或多个）输出总线上的数据。

因为X2816C具有两种供电模式，待机

和存储器阵列的激活，适当的去耦是

最关心的问题。启用

会造成瞬时电流

尖峰。这些尖峰的大小是依赖于

所述升/ O的输出电容性负载。因此，该

较大的阵列共享公共总线，较大的

瞬态尖峰。与相关联的电压峰值

瞬态电流可以通过适当的抑制

选择和去耦电容的放置。作为

最小的，所以建议一个0.1μF高频

昆西陶瓷电容V之间使用

和

在每个设备上。取决于该阵列的尺寸，

该电容器的值可以具有更大。

另外，建议在一个4.7μF的电解

大容量电容放置V之间

和V

每个

八个器件阵列中采用的。这个大电容

被用来克服造成的电压降

的PCB走线电感的影响。

X2816C

绝对最大额定值*

在偏置温度

X2816C ....................................... -10 ° C至+ 85°C

X2816CI ..................................... -65 ° C至+ 135°C的

存储温度....................... -65 ° C至+ 150°C

任何引脚的电压

对于V

.................................. -1V至+ 7V

直流输出电流............................................. 5毫安

引线温度（焊接， 10秒） ...... 300℃

推荐工作条件

温度

产业

分钟。

0°C

–40°C

马克斯。

+70°C

+85°C

3852 PGM T02.2

* COMMENT

注意，超出上述绝对最大的“上市

“，可能对器件造成永久性损坏。

这是一个额定值只和功能操作

该设备在这些或以上的任何其他条件

在业务部门所标明的本规范是

不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件

系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。

电源电压

X2816C

范围

±10%

3852 PGM T03.1

直流工作特性

（在推荐工作条件，除非另有规定编）

范围

符号

参数

当前（活动）

分钟。

典型值。

(1)

马克斯。

110

单位

测试条件

= V

所有的I / O =打开

其它输入= V

= V

所有的I / O =打开

其它输入= V

= V

到V

OUT

= V

到V

= V

SB1

电流（待机）

lL(2)

IH(2)

输入漏电流

输出漏电流

输入低电压

输入高电压

输出低电压

输出高电压

–1

2.4

0.8

0.4

= 2.1毫安

= –400A

3852 PGM T02.2

注意事项：

（1）的典型值是对于T

= 25 ° C和标称电源电压，未经测试。

(2) V

分钟。和V

最大。仅供参考，未经测试。