A
PPLICATION
N
OTE
A V A I L A B L E
AN61 AN75
X25F128
AN77 AN79 AN82
X25F128
特点
1MHz的时钟速率
SPI串行接口
16K ×8位
- 32字节的小扇区编程模式
低功耗CMOS
- <1
待机电流
- <5毫安工作电流
1.8V - 3.6V或5V“ Univolt ”读取和
方案电源版本
块锁保护
- 保护1/4，1/2或全部的E
2
PROM阵列
内置无意的程序保障
- 上电/掉电保护电路
- 程序使能锁存
- 程序保护引脚
自定时编程周期
- 5ms的程序循环时间（最长）
高可靠性
- 耐力： 100,000字节周期
- 数据保存：100年
- ESD保护： 2000V上的所有引脚
8引脚封装PDlP
16引脚150密耳SOIC封装
工作原理图
数据寄存器
SI
行业解码逻辑
SO
命令
解码
与控制
逻辑
32
X
解码
逻辑
8
16K ×8位
SerialFlash 存储器，有块锁保护
描述
该X25F128是131,072位CMOS SerialFlash
内存，内部组织16K X 8 ，设有一个
“ Univolt ”程序和读取电压，串行外设
接口（SPI ）和软件协议，允许操作
一个简单的三线公交车。该总线信号的时钟
在（ SI ）输入（ SCK ） ，以及独立的数据和数据输出（ SO ）
线。对设备的访问是通过一个芯片控制
选择（CS）输入端，允许任何数量的设备，以
共享同一总线。
该X25F128还拥有两个额外的输入，
提供添加了灵活性终端用户。通过认定
该
HOLD
输入时， X25F128会忽略转换
其输入，从而允许主机优先级更高的
中断。该
PP
输入可以被用作一个硬连线输入
到X25F128禁用所有程序试图向
状态寄存器中，从而提供了一种机制，用于限制
改变为0， 1/4，1/2 ，或所有的最终用户能力
内存。
该X25F128采用Xicor公司专有的闪存单元，亲
人们提供了10万次和最小续航
100年最少可以保存数据。
SCK
内存
ARRAY
CS
HOLD
状态
注册
PP
程序设计
控制逻辑
高压
控制
6829 ILL F01.1
SerialFlash 和块锁保护是Xicor公司， Inc.的商标。
Xicor公司，公司1995年， 1996年专利待定
6829-1.9 97年4月7日T3 / C0 / D0 SH
1
特性如有变更，恕不另行通知
X25F128
操作原理
该X25F128是SerialFlash内存设计
与同步串行外设直接连接
许多流行的微控制器的全部擦除接口（ SPI ）
家庭。
该X25F128包含一个8位指令寄存器。这是
通过SI输入存取，数据通过时钟在
上升的SCK 。
CS
必须为低电平，并且
HOLD
和
PP
输入数据必须在整个操作过程中高。该
PP
输入的是“不关心” ，如果PPEN设置为“ 0 ” 。
表1包含的指令和一个列表的
操作代码。所有指令，地址和数据
首先传输MSB 。
输入数据的采样在SCK后的第一个上升沿
CS
变低。 SCK是静态的，从而允许用户停止
钟，然后恢复运营。如果在时钟线为
与SPI总线上的其它外围设备共享的
用户可将
HOLD
输入以放置X25F128
成一个“暂停”状态。释放后，
HOLD ，
该
X25F128将恢复工作由点时，
HOLD
首先断言。
计划使能锁存
该X25F128包含了程序启动锁存器。这
锁存器必须设置前的程序运行会
在内部完成。该PREN指令将设置
锁存器和PRDI指令将复位锁存器。这
锁存器自动复位上电时和之后的
一个扇区的程序或状态寄存器写入完成
周期。
状态寄存器
RDSR指令可访问状态
注册。状态寄存器可以随时读取，
即使在一个程序循环。状态寄存器是
格式如下：
7
PPEN
6
X
5
X
4
X
3
BL1
2
BL0
1
PEL
0
PIP
6829 PGM T02
PPEN ， BL0和BL1由PRSR指令集。
PEL和PIP是“只读”的，并自动设置
其他操作。
该程序在制品（ PIP ）位表示
是否X25F128忙于编程操作。
当设置为“1”的编程过程中，当
设定为“0”，没有编程正在进行中。中
编程，所有其它位被置为“1”。
该计划使能锁存（ PEL ）位表示
该方案的状态使能锁存器。当设置为“1”的
锁存器被置位;当设置为“0”，锁存器被复位。
该块锁（ BL0和BL1 ）位是非易失性的，
允许用户选择四个级别保护中的一个。
该X25F128阵列被分成四个相等的部分。
一个，两个，或四个段的可能被锁定。那
时，用户可以读取该段，但将无法
改变（程序）所选择的段内的数据。该
分区控制，如下图所示。
状态寄存器位
BL1
BL0
0
0
1
1
0
1
0
1
数组地址
锁定
无
上第四
上半
所有
6829 PGM T03.1
程序保护启用
程序防护，使能位（ PPEN ）在
X25F128状态寄存器作为一个使能位
PP
引脚。
表1.指令集
指令名称
PREN
PRDI
RDSR
PRSR
读
节目
指令格式*
0000 0110
0000 0100
0000 0101
0000 0001
0000 0011
0000 0010
手术
设置程序启用锁存器（允许程序操作）
复位程序启用锁存器（禁止编程操作）
读状态寄存器
程序状态寄存器
从存储阵列中读取开始在选定的地址
程序存储器阵列开始在选定的地址
（32字节）
6829 PGM T04.1
*说明显示MSB在最左边的位置。指令传输MSB连接RST 。
3
X25F128
锁定
PEL块
0
1
0
1
0
1
解锁
块
状态
注册
PPEN
PP
0
0
1
1
X
X
X
X
低
低
高
高
锁定
锁定
锁定
锁定可编程可编程
锁定
锁定
锁定
锁定可编程
锁定
锁定
锁定
锁定
锁定可编程可编程
6829 PGM T05
化。后读状态寄存器的操作码发出，
状态寄存器的内容被移出的SO
线。读状态寄存器序列说明
在图2中。
编程序列
之前的任何给X25F128编程企图，该
项目启动锁存器必须先通过发出设置
PREN指令（参见图3） 。
CS
首先取低，
那么PREN指令被移入X25F128 。
之后所有8位的指令的发送，
CS
然后必须采取高。如果用户继续在
不考虑编程操作
CS
后高
发出PREN指令，编程操作
化都将被忽略。
编程SerialFlash存储器阵列，用户
发出的程序指令，接着AD-
该部门的第一个位置的礼服，然后将数据
进行编程。的数据被编程在256
时钟操作。
CS
一定要低并保持低的
的操作的持续时间。 32个字节必须驻留
在同一扇区中，并且不能跨越扇区边界。
如果地址计数器到达扇区的末尾
和时钟继续，或者如果少于32个字节是
在主频，该部门的内容不能被保证。
对于程序操作完成，
CS
只能
被拉高后位0数据字节32被移入。
如果是在其他任何时间，带来了高，程序
操作无法完成。请参考图4所示
对于编程序列的详细说明
和时间框架中
CS
变为高电平有效。
编程状态寄存器， PRSR指令
随后对数据进行编程。数据位0，1，
4，5和6必须为“ 0”。此序列示于图5中。
在程序周期正在进行中，以下一
状态寄存器和存储器写序，状态
寄存器可以读检查PIP位。在这
时间PIP位会很高。
保持工作
该
HOLD
输入要高（在V
IH
）在正常
操作。如果数据传输被中断
HOLD
可以拉低暂停转让，直到它可以
被收回。唯一的限制是， SCK输入
当要低
HOLD
首先拉低SCK
还必须时要低
HOLD
被解除。
该
HOLD
输入可直接到V连接到高电平任
CC
或连接到V
CC
通过一个电阻。
程序保护（ PP）引脚和非易失性
程序保障的状态使能（ PPEN ）位注
存器控制可编程硬件写保护
功能。硬件保护程序时启用
PP
引脚为低电平，并且PPEN位为“1”。硬件
程序保护被禁用时，无论是
PP
引脚
高或PPEN位为“0”。当芯片硬件
程序保护，非易失性的桩号编程
土族注册的残障人士，其中包括阻止锁定位
和PPEN位本身，以及该块锁
部分的存储器阵列中。的仅部分
未锁定的块可以亲存储阵列
编程。
注意：
由于PPEN位程序保护，
不能被改回“0” ，只要
该
PP
引脚保持为低电平。
时钟和数据时序
在SI线数据输入锁存的上升沿
SCK 。数据被输出到SO线通过的下降沿
SCK 。
阅读顺序
从SerialFlash存储器阵列读取数据时，
CS
is
科幻RST拉低来选择该设备。 8位读
指令被发送到X25F128 ，接着
的16位地址。后读出的操作码和地址
被发送，在所选择的存储在存储器中的数据
地址移出SO线。存储在数据
存储器在接下来的地址可以通过顺序地读取
继续提供时钟脉冲。的地址是
自动递增到下一个更高的地址
数据的每个字节之后被移出。当最高
地址到达地址计数器翻转到
地址$ 0000时，允许读周期持续
不知疲倦网络奈特雷。读出操作是通过服用终止
CS
HIGH 。参考读SerialFlash存储器阵列
在图1中的操作顺序说明。
读状态寄存器，
CS
线连接的RST拉
低到选择设备随后的8位的指令
4
X25F128
操作说明
该器件通电时处于以下状态：
- 该设备处于低功耗待机状态。
高到低的跳变
CS
需要
进入活动状态并接收指令。
- SO引脚为高阻抗。
该计划使锁存器复位。
数据保护
下面的电路已被包括在内，以防止
意外的编程：
该计划使锁存器是上电复位。
程序启用指令必须出具设定
该程序使能锁存器。
CS
一定要来HIGH在适当的时钟数
为了启动一个程序循环。
图1.阅读SerialFlash内存阵列操作顺序
CS
0
SCK
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30
指令
SI
16位地址
15 14 13
3
2
1
0
数据输出
高阻抗
SO
7
最高位
6
5
4
3
2
1
0
6829 ILL F03
图2.读状态寄存器操作顺序
CS
0
SCK
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12 13 14
指令
SI
数据输出
高阻抗
SO
7
最高位
6
5
4
3
2
1
0
6829 ILL F04
5
QQ：2881677436 复制
