这X25650设备已收购
IC MICROSYSTEMS从Xicor公司，公司
ICmic
TM
IC MICROSYSTEMS
64K
2
X25650
5MHz的SPI串行PROM ê与锁座
TM
8K ×8位
保护
特点
5MHz的时钟速率
低功耗CMOS
描述
2
该X25650是CMOS 65,536位串行PROM ê ，
内部组织为8K X 8 X25650有
2.5V至5.5V电源
SPI模式（ 0,0 & 1,1）
8K ×8位
32字节页模式
块锁保护
2
保护1/4，1/2或全部电子商务PROM阵列
可编程硬件写保护
在电路可编程ROM模式
内置无意写保护
上电/掉电保护电路
写使能锁存
<1μA待机电流
＆ LT ; 5毫安工作电流
串行外设接口（SPI）和软件协议
允许在一个简单的三线总线操作。公交车
信号是一个时钟输入（SCK）加在单独的数据（SI）的
和数据输出（SO ）线。对设备的访问是
通过芯片选择（CS ）输入进行控制，从而任何
器件的数目，以共享相同的总线。
该X25650还拥有两个额外的输入，
提供添加了灵活性终端用户。通过
断言HOLD输入时， X25650将忽略转录
位数上其输入，从而允许主机服务
高优先级中断。于WP输入可以被用作一个
硬线输入到X25650禁用所有写
写保护引脚
自定时写周期
5ms的写周期时间（典型）
高可靠性
耐力： 100,000次
数据保存： 100年
尝试将状态寄存器，从而提供了一种mech-
anism用于限制改变为0，四分之一的终端用户功能，
1/2或全部的记忆。
该X25650采用Xicor公司专有的直接写入
TM
细胞，
提供10万最低耐力
周期为100年最少可以保存数据。
ESD保护： 2000V上的所有引脚
套餐
8引脚SOIC
20引脚TSSOP
工作原理图
状态
注册
写
保护
逻辑
X解码
逻辑
8K字节
ARRAY
64
64 X 256
SO
SI
SCK
CS
命令
解码
HOLD
和
控制
逻辑
64
64 X 256
128
128 X 256
WP
写
控制
和
定时
逻辑
32
8
解码
数据寄存器
直接写
TM
和锁座
TM
保护是Xicor公司，公司的商标。
Xicor公司，
公司1994年， 1995年， 1996年专利待定
7037-1.5 97年6月19日T1 / C0 / D0 SH
1
7037 FRM F01
特性如有变更，恕不另行通知
X25650
引脚说明
串行输出（ SO ）
SO是推/拉串行数据输出管脚。在读
周期，数据被移出该引脚。数据同步
由串行时钟的下降沿。
串行输入（ SI ）
SI是串行数据输入管脚。所有的操作码，字节
地址和数据被写入到存储器中
输入该引脚上。数据由上升沿锁存
串行时钟。
串行时钟（ SCK ）
串行时钟控制数据的串行总线的定时
输入和输出。操作码，地址，或本数据
在SI引脚上锁存的上升沿
时钟输入，而在之后的SO引脚变化数据
落下的时钟输入端的边缘。
片选（ CS ）
当CS为高电平时， X25650被取消和
SO输出引脚为高阻抗，除非
内部写操作正在进行中， X25650会
在待机功率模式。 CS低使
X25650 ，将其放置在所述有源功率模式。它应该
要注意的是，上电后，一个由高到低的转变
在CS之前的任何操作的开始是必需的。
写保护（ WP ）
当WP为低电平和非易失性位WPEN为“1” ，
非易失性写入X25650状态寄存器
禁用，但另有部分功能正常。
当WP保持高电平，所有的功能，包括
非易失性写入操作正常运行。 WP变低
而CS仍然偏低将中断在写
引脚名称
符号
CS
SO
SI
SCK
X25650状态寄存器。如果内部写周期
已经开始， WP变低就没有
在写操作的影响。
WP引脚功能被阻断时，在WPEN位
状态寄存器是“0”。这允许用户在安装
在WP引脚系统X25650接地，仍
能写状态寄存器。 WP引脚功能
当WPEN位被置“1”，系统蒸发散将被启用。
保持（HOLD ）
HOLD是配合使用的CS引脚暂停
该设备。一旦零件被选择和串行
序列正在进行中， HOLD可以用来暂停
引脚配置
不按比例
SOIC
CS
0.197"
最大
SO
WP
V SS
1
2
3
4
0.244"
X25650
8
7
6
5
V CC
HOLD
SCK
SI
TSSOP
NC
CS
SO
SO
NC
NC
WP
VSS
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
X25650
20
20
19
19
18
18
17
17
16
16
15
15
14
14
13
13
12
12
11
11
0.252"
7037 FRM F02
NC
VCC
HOLD
HOLD
NC
NC
SCK
SI
NC
NC
描述
片选输入
串行输出
串行输入
串行时钟输入
写保护输入
地
电源电压
HOLD输入
无连接
7037 FRM T01
0.300"
最大
WP
V
SS
V
CC
HOLD
NC
* 2脚和3脚内部连接。只有一个CS需要
从外部连接。
2
X25650
与没有控制器的串行通信
复位串行序列。要暂停，一定要HOLD
被拉低时SCK为低电平。要恢复
通信， HOLD拉高，再而
SCK为低。如果不使用暂停功能，HOLD
应该在任何时候都保持高电平。
操作原理
该X25650是8K ×8 ê
2
PROM设计成连接
直接与同步串行外设接口
面对许多流行的微控制器家族（ SPI ） 。
该X25650包含一个8位指令寄存器。这是
通过SI输入存取，数据通过时钟在
上升的SCK 。 CS必须为低电平，锁定和
可湿性粉剂输入必须在整个操作过程中高。
表1包含的指令和一个列表的
操作码。所有指令，地址和数据
发送MSB科幻RST 。
输入数据的采样在SCK的第一个科幻上升沿
CS后变低。 SCK是静态的，从而允许用户
停止计时，然后继续操作。如果时钟
线与SPI的其他外围设备共享
总线时，用户可将HOLD输入以放置
X25650成一个“暂停”状态。释放后，
HOLD ，该X25650将恢复工作从
点时， HOLD是网络首先断言。
写使能锁存
该X25650包含了“写使能”锁存器。该锁存器
必须先设置一个写操作会
在内部完成。 WREN指令将设置
锁存器和WRDI指令将复位锁存器。这
在一个电条件锁存器被自动复位
并建成一个字节，页或身份后
寄存器写周期。
状态寄存器
RDSR指令可访问状态
注册。状态寄存器可以随时读取，
即使在一个写周期。状态寄存器是
格式如下：
7
WPEN
6
X
5
X
4
X
3
BL1
2
BL0
1
WEL
0
WIP
7037 FRM T02
WPEN ， BL0和BL1由WRSR指令集。
WEL和WIP是只读的，并自动设置
其他操作。
写在制品（ WIP ）位指示
X25650正忙于写操作。当设置为
“ 1”时，写入过程中，当设置为“0” ，不写为
进行中。在写入期间，所有其它位被置为“1”。
写使能锁存器（ WEL）位指示状态
的“写允许”锁存器。当设置为“1”时，锁存器
被设置，当设置为“0”时，锁存器被复位。
该块锁（ BL0和BL1 ）位是非易失性的，
允许用户选择四个级别保护中的一个。
该X25650分为四个16384位的段。
一个，两个，或四个段的可被保护。
也就是说，用户可以读取的段，但将
无法改变（写入）中所选择的数据
段。分区进行控制，如图
下文。
状态寄存器位
BL1
0
0
1
1
BL0
0
1
0
1
数组地址
保护
无
$1800–$1FFF
$1000–$1FFF
$0000–$1FFF
7037 FRM T03
表1.指令集
指令名称
雷恩
WRDI
RDSR
WRSR
读
写
指令格式*
0000 0110
0000 0100
0000 0101
0000 0001
0000 0011
0000 0010
手术
将写使能锁存器（允许写操作）
复位写使能锁存器（禁止写操作）
读状态寄存器
写状态寄存器
读存储器阵列的数据开始在选定的地址
将数据写入到存储阵列开始在选定的地址（ 1至32
字节）
7037 FRM T04
*说明显示MSB在最左边的位置。指令传输MSB连接RST 。
3
X25650
写保护使能（ WPEN ）位可用于
在X25650作为非易失性使能位的WP引脚。
受保护的无保护状态
WPEN
WP
WEL块
块
注册
0
0
1
1
X
X
X
X
低
低
高
高
0
1
0
1
0
1
保护
保护
保护
保护
保护
保护
保护
可写
保护
可写
保护
可写
保护
可写
保护
保护
保护
可写
7037 FRM T05
在接下来的地址可以通过顺序地读
继续提供时钟脉冲。的地址是
自动递增到下一个更高的地址
数据的每个字节之后被移出。当最高
地址达到（ $ 1FFF ）地址计数器卷
以上解决0000美元允许读周期是
继续不知疲倦网络奈特雷。读操作时结
通过拉高CS经过NAT 。参考读取的E
2
舞会
在图1中的数组运算序列所示。
读状态寄存器CS线是连接RST拉高
低到选择设备随后的8位RDSR
指令。后RDSR操作码发送，内容
状态寄存器被移出SO线。
图2示出读状态寄存器序列。
写序
之前的任何企图将数据写入到X25650 ，该
“写使能”锁存器必须连接首先要通过发出设定
WREN指令（参见图3） 。 CS是网络首先考虑
低，则WREN指令被移入
X25650 。毕竟八位的指令都是反
mitted ， CS必须被拉高。如果用户
继续写操作没有考虑CS高
之后发出WREN指令，写操作
将被忽略。
要将数据写入到E
2
PROM存储器阵列中，用户
发出WRITE指令，然后由地址
然后将要写入的数据。这是一个最低限度
32时钟操作。 CS必须变低并保持
低的操作的持续时间。主机可以
继续写最多32个字节的数据到X25650 。
唯一的限制是32个字节必须驻留在
同一个页面。如果地址计数器达到的末端
页面和时钟继续，计数器将“卷
在“页面的网络连接第一个地址，并覆盖任何
可能已被写入的数据。
对于写操作（字节或页写）是
完成后， CS只能在高位为0后，带来了
数据字节N的主频。如果这是在任何拉高
其他的时间则写操作将无法完成。
参阅图4和图5所示为一个详细的插图
的写入顺序和时限化，其中
CS变为高电平有效。
写状态寄存器， WRSR指令是
接着要写入的数据。数据位0，1， 4,5
和6必须为“0”。图6示出此序列。
而写入过程中跟随状态
注册或E
2
PROM写入序列，状态
寄存器可以读检查WIP位。在这
时间WIP位会很高。
4
可编程硬件写保护
写保护（ WP）引脚和非易失性写
保护使能状态寄存器（ WPEN ）位
控制可编程硬件写保护
功能。硬件写保护时启用
WP引脚为低电平，并且WPEN位为“1” 。硬件
写保护被禁用时，无论是WP引脚
高或WPEN位为“0” 。当芯片是硬
洁具写保护，非易失性写操作被禁止，以
状态寄存器，包括块锁位，
WPEN位本身，以及该块保护
部分的存储器阵列中。的仅部分
未阻断保护可以是存储器阵列
写的。
在电路可编程ROM模式
注意，由于该WPEN位是写保护的，它
不能再改回低电平状态;所以写
保护已启用，只要WP引脚保持
低。因此，一个在电路可编程ROM功能
可以通过硬连线WP引脚连接到VSS被emplemented ，
写入和块锁定的所需部分
数组是ROM，然后编程WPEN位
HIGH 。上面去连接表网元进行保护程序
对于WPEN的每个组合的状态和
WP
.
时钟和数据时序
在SI线数据输入锁存上升沿
在SCK的。数据被输出到SO线由下降
SCK的边缘。
阅读顺序
从E读数据时
2
PROM存储器阵列中， CS为
科幻RST拉低来选择该设备。 8位读
指令被发送到X25650 ，接着
16位的地址，其中在过去13被使用。后
在读操作码和地址被发送时，数据
存储在存储器中的指定地址是
移出SO线。存储在存储器中的数据
X25650
保持工作
保持输入要高（在V
IH
）在正常
操作。如果数据传输被中断HOLD
可以拉低暂停转让，直到它可以
被收回。唯一的限制是在SCK的输入必须的
为低电平时， HOLD是科幻RST拉低SCK
还必须为低电平时， HOLD被释放。
保持输入可以连接到高电平直接到
V
CC
或连接到V
CC
通过一个电阻。
操作说明
该X25650通电时处于以下状态：
- 该设备处于低功耗待机状态。
- 一个高电平到低电平的跳变CS需要进入
在激活状态和接收指令。
- SO引脚为高阻抗。
- 在“写使能”锁存器复位。
数据保护
下面的电路已被列入防止IN-
留意写道：
- 在“写使能”锁存器在上电时复位。
- 一个WREN指令必须发出来设置“写
使能“锁存器。
CS要来得高，在适当的时钟计数或 -
明镜启动一个写周期。
图1.阅读电子
2
PROM阵列操作顺序
CS
0
SCK
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30
指令
SI
16位地址
15 14 13
3
2
1
0
高阻抗
SO
数据输出
7
最高位
6
5
4
3
2
1
0
7037 FRM F03
图2.读状态寄存器操作顺序
CS
0
SCK
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12 13 14
指令
SI
数据输出
高阻抗
SO
7
最高位
6
5
4
3
2
1
0
7037 FRM F04
5
64K
X25650
5MHz的SPI串行ê
2
胎膜早破与锁座
TM
保护
8K ×8位
特点
描述
该X25650是CMOS 65,536位串行é
2
舞会，
内部组织为8K X 8 X25650有
串行外设接口（SPI）和软件协议
允许在一个简单的三线总线操作。公交车
信号是一个时钟输入（SCK） ，独立的数据中
（SI）和数据输出（SO ）线。对设备的访问是
通过芯片选择（CS ）输入进行控制，从而
任何数量的设备共享相同的总线。
该X25650还拥有两个额外的输入，
提供添加了灵活性终端用户。通过
断言HOLD输入时， X25650将忽略转录
位数上其输入，从而允许主机服务
高优先级中断。于WP输入可以用作
硬线输入到X25650禁用所有写
尝试将状态寄存器，从而提供了一种mech-
anism用于限制改变为0，四分之一的终端用户功能，
1/2或全部的记忆。
该X25650采用Xicor公司专有的直接写入
TM
细胞，提供了10万的最小的耐力
周期为100年最少可以保存数据。
5MHz的时钟速率
低功耗CMOS
<1
待机电流
＆ LT ; 5毫安工作电流
2.5V至5.5V电源
SPI模式（ 0,0 & 1,1）
8K ×8位
32字节页模式
块锁保护
保护1/4，1/2或全部的E
2
PROM阵列
可编程硬件写保护
在电路可编程ROM模式
内置无意写保护
上电/掉电保护电路
写使能锁存
写保护引脚
自定时写周期
5ms的写周期时间（典型）
高可靠性
耐力： 100,000次
数据保存： 100年
ESD保护： 2000V上的所有引脚
套餐
8引脚SOIC
20引脚TSSOP
工作原理图
ST
ATUS
注册
写
保护
逻辑
X解码
逻辑
64
64 X 256
SO
SI
SCK
CS
HOLD
命令
解码
和
控制
逻辑
64
64 X 256
8K字节
ARRAY
128
128 X 256
WP
写
控制
和
定时
逻辑
32
8
解码
数据寄存器
7037 FRM F01
直接写和块锁保护是Xicor公司， Inc.的商标。
Xicor公司，公司1994年， 1995年， 1996年专利待定
7037-1.5 97年6月19日T1 / C0 / D0 SH
1
特性如有变更，恕不另行通知
X25650
引脚说明
串行输出（ SO ）
SO是推/拉串行数据输出管脚。在读
周期，数据被移出该引脚。数据同步
由串行时钟的下降沿。
串行输入（ SI ）
SI是串行数据输入管脚。所有的操作码，字节
地址和数据被写入到存储器中
输入该引脚上。数据由上升沿锁存
串行时钟。
串行时钟（ SCK ）
串行时钟控制数据的串行总线的定时
输入和输出。操作码，地址，或本数据
在SI引脚上锁存的上升沿
时钟输入，而在之后的SO引脚变化数据
落下的时钟输入端的边缘。
片选（ CS ）
当CS为高电平时， X25650被取消和
SO输出引脚为高阻抗，除非
内部写操作正在进行中， X25650会
在待机功率模式。 CS低使
X25650 ，将其放置在所述有源功率模式。它应该
要注意的是，上电后，一个由高到低的转变
在CS之前的任何操作的开始是必需的。
写保护（ WP ）
当WP为低电平和非易失性位WPEN为“1” ，
非易失性写入X25650状态寄存器
禁用，但另有部分功能正常。
当WP保持高电平，所有的功能，包括
非易失性写入操作正常运行。 WP变低
而CS仍然偏低将中断在写
引脚名称
符号
CS
SO
SI
SCK
X25650状态寄存器。如果内部写周期
已经开始， WP变低就没有
在写操作的影响。
WP引脚功能被阻断时，在WPEN位
状态寄存器是“0”。这允许用户在安装
在WP引脚系统X25650接地，仍
能写状态寄存器。 WP引脚功能
当WPEN位被置“1”，系统蒸发散将被启用。
保持（HOLD ）
HOLD是配合使用的CS引脚暂停
该设备。一旦零件被选择和串行
序列正在进行中， HOLD可以用来暂停
引脚配置
不按比例
SOIC
CS
0.197"
最大
SO
WP
V SS
1
2
3
4
0.244"
X25650
8
7
6
5
V CC
HOLD
SCK
SI
TSSOP
NC
CS
SO
SO
NC
NC
WP
VSS
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
X25650
20
20
19
19
18
18
17
17
16
16
15
15
14
14
13
13
12
12
11
11
0.252"
7037 FRM F02
NC
VCC
HOLD
HOLD
NC
NC
SCK
SI
NC
NC
描述
片选输入
串行输出
串行输入
串行时钟输入
写保护输入
地
电源电压
HOLD输入
无连接
7037 FRM T01
0.300"
最大
WP
V
SS
V
CC
HOLD
NC
* 2脚和3脚内部连接。只有一个CS需要
从外部连接。
2
X25650
与没有控制器的串行通信
复位串行序列。要暂停，一定要HOLD
被拉低时SCK为低电平。要恢复
通信， HOLD拉高，再而
SCK为低。如果不使用暂停功能，HOLD
应该在任何时候都保持高电平。
操作原理
该X25650是8K ×8 ê
2
PROM设计成连接
直接与同步串行外设接口
面对许多流行的微控制器家族（ SPI ） 。
该X25650包含一个8位指令寄存器。这是
通过SI输入存取，数据通过时钟在
上升的SCK 。 CS必须为低电平，锁定和
可湿性粉剂输入必须在整个操作过程中高。
表1包含的指令和一个列表的
操作码。所有指令，地址和数据
发送MSB科幻RST 。
输入数据的采样在SCK的第一个科幻上升沿
CS后变低。 SCK是静态的，从而允许用户
停止计时，然后继续操作。如果时钟
线与SPI的其他外围设备共享
总线时，用户可将HOLD输入以放置
X25650成一个“暂停”状态。释放后，
HOLD ，该X25650将恢复工作从
点时， HOLD是网络首先断言。
写使能锁存
该X25650包含了“写使能”锁存器。该锁存器
必须先设置一个写操作会
在内部完成。 WREN指令将设置
锁存器和WRDI指令将复位锁存器。这
在一个电条件锁存器被自动复位
并建成一个字节，页或身份后
寄存器写周期。
状态寄存器
RDSR指令可访问状态
注册。状态寄存器可以随时读取，
即使在一个写周期。状态寄存器是
格式如下：
7
WPEN
6
X
5
X
4
X
3
BL1
2
BL0
1
WEL
0
WIP
7037 FRM T02
WPEN ， BL0和BL1由WRSR指令集。
WEL和WIP是只读的，并自动设置
其他操作。
写在制品（ WIP ）位指示
X25650正忙于写操作。当设置为
“ 1”时，写入过程中，当设置为“0” ，不写为
进行中。在写入期间，所有其它位被置为“1”。
写使能锁存器（ WEL）位指示状态
的“写允许”锁存器。当设置为“1”时，锁存器
被设置，当设置为“0”时，锁存器被复位。
该块锁（ BL0和BL1 ）位是非易失性的，
允许用户选择四个级别保护中的一个。
该X25650分为四个16384位的段。
一个，两个，或四个段的可被保护。
也就是说，用户可以读取的段，但将
无法改变（写入）中所选择的数据
段。分区进行控制，如图
下文。
状态寄存器位
BL1
0
0
1
1
BL0
0
1
0
1
数组地址
保护
无
$1800–$1FFF
$1000–$1FFF
$0000–$1FFF
7037 FRM T03
表1.指令集
指令名称
雷恩
WRDI
RDSR
WRSR
读
写
指令格式*
0000 0110
0000 0100
0000 0101
0000 0001
0000 0011
0000 0010
手术
将写使能锁存器（允许写操作）
复位写使能锁存器（禁止写操作）
读状态寄存器
写状态寄存器
读存储器阵列的数据开始在选定的地址
将数据写入到存储阵列开始在选定的地址（ 1至32
字节）
7037 FRM T04
*说明显示MSB在最左边的位置。指令传输MSB连接RST 。
3
X25650
写保护使能（ WPEN ）位可用于
在X25650作为非易失性使能位的WP引脚。
受保护的无保护状态
WPEN
WP
WEL块
块
注册
0
0
1
1
X
X
X
X
低
低
高
高
0
1
0
1
0
1
保护
保护
保护
保护
保护
保护
保护
可写
保护
可写
保护
可写
保护
可写
保护
保护
保护
可写
7037 FRM T05
在接下来的地址可以通过顺序地读
继续提供时钟脉冲。的地址是
自动递增到下一个更高的地址
数据的每个字节之后被移出。当最高
地址达到（ $ 1FFF ）地址计数器卷
以上解决0000美元允许读周期是
继续不知疲倦网络奈特雷。读操作时结
通过拉高CS经过NAT 。参考读取的E
2
舞会
在图1中的数组运算序列所示。
读状态寄存器CS线是连接RST拉高
低到选择设备随后的8位RDSR
指令。后RDSR操作码发送，内容
状态寄存器被移出SO线。
图2示出读状态寄存器序列。
写序
之前的任何企图将数据写入到X25650 ，该
“写使能”锁存器必须连接首先要通过发出设定
WREN指令（参见图3） 。 CS是网络首先考虑
低，则WREN指令被移入
X25650 。毕竟八位的指令都是反
mitted ， CS必须被拉高。如果用户
继续写操作没有考虑CS高
之后发出WREN指令，写操作
将被忽略。
要将数据写入到E
2
PROM存储器阵列中，用户
发出WRITE指令，然后由地址
然后将要写入的数据。这是一个最低限度
32时钟操作。 CS必须变低并保持
低的操作的持续时间。主机可以
继续写最多32个字节的数据到X25650 。
唯一的限制是32个字节必须驻留在
同一个页面。如果地址计数器达到的末端
页面和时钟继续，计数器将“卷
在“页面的网络连接第一个地址，并覆盖任何
可能已被写入的数据。
对于写操作（字节或页写）是
完成后， CS只能在高位为0后，带来了
数据字节N的主频。如果这是在任何拉高
其他的时间则写操作将无法完成。
参阅图4和图5所示为一个详细的插图
的写入顺序和时限化，其中
CS变为高电平有效。
写状态寄存器， WRSR指令是
接着要写入的数据。数据位0，1， 4,5
和6必须为“0”。图6示出此序列。
而写入过程中跟随状态
注册或E
2
PROM写入序列，状态
寄存器可以读检查WIP位。在这
时间WIP位会很高。
4
可编程硬件写保护
写保护（ WP）引脚和非易失性写
保护使能状态寄存器（ WPEN ）位
控制可编程硬件写保护
功能。硬件写保护时启用
WP引脚为低电平，并且WPEN位为“1” 。硬件
写保护被禁用时，无论是WP引脚
高或WPEN位为“0” 。当芯片是硬
洁具写保护，非易失性写操作被禁止，以
状态寄存器，包括块锁位，
WPEN位本身，以及该块保护
部分的存储器阵列中。的仅部分
未阻断保护可以是存储器阵列
写的。
在电路可编程ROM模式
注意，由于该WPEN位是写保护的，它
不能再改回低电平状态;所以写
保护已启用，只要WP引脚保持
低。因此，一个在电路可编程ROM功能
可以通过硬连线WP引脚连接到VSS被emplemented ，
写入和块锁定的所需部分
数组是ROM，然后编程WPEN位
HIGH 。上面去连接表网元进行保护程序
对于WPEN的每个组合的状态和
WP
.
时钟和数据时序
在SI线数据输入锁存上升沿
在SCK的。数据被输出到SO线由下降
SCK的边缘。
阅读顺序
从E读数据时
2
PROM存储器阵列中， CS为
科幻RST拉低来选择该设备。 8位读
指令被发送到X25650 ，接着
16位的地址，其中在过去13被使用。后
在读操作码和地址被发送时，数据
存储在存储器中的指定地址是
移出SO线。存储在存储器中的数据
X25650
保持工作
保持输入要高（在V
IH
）在正常
操作。如果数据传输被中断HOLD
可以拉低暂停转让，直到它可以
被收回。唯一的限制是在SCK的输入必须的
为低电平时， HOLD是科幻RST拉低SCK
还必须为低电平时， HOLD被释放。
保持输入可以连接到高电平直接到
V
CC
或连接到V
CC
通过一个电阻。
操作说明
该X25650通电时处于以下状态：
- 该设备处于低功耗待机状态。
- 一个高电平到低电平的跳变CS需要进入
在激活状态和接收指令。
- SO引脚为高阻抗。
- 在“写使能”锁存器复位。
数据保护
下面的电路已被列入防止IN-
留意写道：
- 在“写使能”锁存器在上电时复位。
- 一个WREN指令必须发出来设置“写
使能“锁存器。
CS要来得高，在适当的时钟计数或 -
明镜启动一个写周期。
图1.阅读电子
2
PROM阵列操作顺序
CS
0
SCK
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30
指令
SI
16位地址
15 14 13
3
2
1
0
高阻抗
SO
数据输出
7
最高位
6
5
4
3
2
1
0
7037 FRM F03
图2.读状态寄存器操作顺序
CS
0
SCK
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12 13 14
指令
SI
数据输出
高阻抗
SO
7
最高位
6
5
4
3
2
1
0
7037 FRM F04
5
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