X200系列（ CMOS ）
标准规格
（类似M55310 / 18 ）
05/00
频带
频率精度@ + 25℃
FREQUECY稳定性比。温度
工作温度范围
输入电压（见下面的说明）
输入电流
o
1.5 Hz至12 MHz的
+ 0.0015 ％ （ + 15 PPM ）
请参见下面的选项
请参见下面的选项
+5 VDC至+ 15 VDC + 10 ％
5毫安最大。 @ + 5 VDC
25毫安最大。 @ + 15 VDC
CMOS
200千欧并联50 PF
四十零分之六十％@ 50 ％输出电平
150 ns（最大值） 。 @
+ 5 VDC
0.105”
0.095”
引脚1标识
一个平方。角落
0.254”
1
0.507 “最大。
马克斯。
14
0.200 “最大。
0.250”
0.200”
0.020”
0.016”
0.439”
马克斯。
7
产量
负载
对称
RISE &下降时间
（10％至90％的输出电平）
启动时间
< 10兆赫
> 10兆赫
频率稳定度比。电压
0.305”
0.155” 0.295”
0.145”
8
0.305”
0.295”
0.605”
0.595”
0.877”
马克斯。
50 ns（最大值） 。 @ + 15 VDC
引脚连接
14
7
8
所有其他
B+
GND
产量
N / C
20 ms以下。
15 ms以下。
+ 0.0005 ％ （ ±5 PPM ）最大。
（ 10 ％的电压变化）
老化@ + 25℃
包装，密封&铅涂层
o
+ 0.0005 ％ （ ±5 PPM ） /年最大。
符合MIL -PRF- 55310的要求
注意：
输入电压必须为200系列CMOS器件中指定，所需的最小输入电压取决于
输出频率与工作温度范围。针对特定应用向厂家咨询。
联系Xsis工程
对于有特殊要求，如，输出对称性，启动时间，频率精度，
互补输出，多路输出等。
订购信息
（从下面选项中选择） ：
X
2
频率
添加后缀“ 883B ”的军用筛选选项
频率稳定度
1=
2=
3=
4=
5=
+ 0.1%
+ 0.05%
+ 0.01%
+ 0.005%
+ 0.002%
工作温度范围
*
*
选项5不可用 - 55
o
C至+ 125
o
C
1=
0℃至+ 70℃
o
o
2 = - 30 ℃ + 85℃
o
o
3 = - 55 ℃ + 125
o
o
例如：
X243 - 883B - 4.000兆赫= 14引脚封装用“X”引脚， CMOS ，超过+ 0.005 ％
o
o
-55℃ + 125 ℃，军用筛选和20.000兆赫
Xsis电子公司
12620 W.第63街，肖尼，KS 66216电话。 913-631-0448传真。 913-631-1170电子邮件xsis@xsis.com
X200系列（ CMOS ）
标准规格
（类似M55310 / 18 ）
05/00
频带
频率精度@ + 25℃
FREQUECY稳定性比。温度
工作温度范围
输入电压（见下面的说明）
输入电流
o
1.5 Hz至12 MHz的
+ 0.0015 ％ （ + 15 PPM ）
请参见下面的选项
请参见下面的选项
+5 VDC至+ 15 VDC + 10 ％
5毫安最大。 @ + 5 VDC
25毫安最大。 @ + 15 VDC
CMOS
200千欧并联50 PF
四十零分之六十％@ 50 ％输出电平
150 ns（最大值） 。 @
+ 5 VDC
0.105”
0.095”
引脚1标识
一个平方。角落
0.254”
1
0.507 “最大。
马克斯。
14
0.200 “最大。
0.250”
0.200”
0.020”
0.016”
0.439”
马克斯。
7
产量
负载
对称
RISE &下降时间
（10％至90％的输出电平）
启动时间
< 10兆赫
> 10兆赫
频率稳定度比。电压
0.305”
0.155” 0.295”
0.145”
8
0.305”
0.295”
0.605”
0.595”
0.877”
马克斯。
50 ns（最大值） 。 @ + 15 VDC
引脚连接
14
7
8
所有其他
B+
GND
产量
N / C
20 ms以下。
15 ms以下。
+ 0.0005 ％ （ ±5 PPM ）最大。
（ 10 ％的电压变化）
老化@ + 25℃
包装，密封&铅涂层
o
+ 0.0005 ％ （ ±5 PPM ） /年最大。
符合MIL -PRF- 55310的要求
注意：
输入电压必须为200系列CMOS器件中指定，所需的最小输入电压取决于
输出频率与工作温度范围。针对特定应用向厂家咨询。
联系Xsis工程
对于有特殊要求，如，输出对称性，启动时间，频率精度，
互补输出，多路输出等。
订购信息
（从下面选项中选择） ：
X
2
频率
添加后缀“ 883B ”的军用筛选选项
频率稳定度
1=
2=
3=
4=
5=
+ 0.1%
+ 0.05%
+ 0.01%
+ 0.005%
+ 0.002%
工作温度范围
*
*
选项5不可用 - 55
o
C至+ 125
o
C
1=
0℃至+ 70℃
o
o
2 = - 30 ℃ + 85℃
o
o
3 = - 55 ℃ + 125
o
o
例如：
X243 - 883B - 4.000兆赫= 14引脚封装用“X”引脚， CMOS ，超过+ 0.005 ％
o
o
-55℃ + 125 ℃，军用筛选和20.000兆赫
Xsis电子公司
12620 W.第63街，肖尼，KS 66216电话。 913-631-0448传真。 913-631-1170电子邮件xsis@xsis.com
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