A
PPLICATION
N
OTE
A V A I L A B L E
X20C16
16K
AN56
X20C16
高速自动存储 NOVRAM
2K ×8位
特点
描述
该Xicor公司X20C16是2K ×8 NOVRAM设有高
高速静态RAM重叠位对位具有非易失性
电可擦除PROM （E
2
PROM）以及所述
自动存储功能，它会自动保存
RAM内容到E
2
PROM在电源关闭。该X20C16
被制造与先进的CMOS浮栅技
术来实现高速，低功耗和宽
电源裕度。该X20C16有相容
IBLE JEDEC批准的引脚排列字节宽的回忆，
行业标准的RAM ， ROM， EPROM中，并
E
2
PROM中。
该NOVRAM设计允许将数据轻松传输
从RAM ferred到E
2
PROM （店）和E
2
PROM来
RAM （召回） 。这家店的操作在5毫秒完成或
越来越召回操作在10μs的完成或
减。自动数组调用操作将重新加载
电子内容
2
PROM为上电时RAM 。
Xicor公司NOVRAMS设计用于无限写
操作RAM ，无论是从主机或召回
E
2
PROM和最低百万存储操作
电子
2
舞会。数据保存期限为更大
超过100年。
快速存取时间： 35ns的，为45nS ， 55ns
高可靠性
-Endurance ：100万非易失性存储
操作
-retention ： 100年最低
自动存储 NOVRAM
- 自动存储RAM数据到
E
2
PROM阵列当V
CC
低门槛
检测
- 用户已启用选项
- 开放漏极自动存储状态输出引脚
POWER- ON RECALL
—E
2
PROM数据自动调用进入
RAM在上电时
软件数据保护
-locks出无心门店运营
低功耗CMOS
-Standby ： 250
A
无限ê
2
PROM阵列召回和RAM读取
和写周期
引脚配置
塑料
CERDIP
NE
NC
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
X20C16 21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE
AS
A8
A9
NC
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
NC
OE
A9
A8
AS
WE
VCC
NE
NC
A7
A6
A5
3826 FHD F15.1
TSOP
A
2
A
1
A
0
N / C
I / O
0
I / O
1
I / O
2
V
SS
V
SS
I / O
3
I / O
4
I / O
5
I / O
6
I / O
7
CE
A
10
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
LCC
PLCC
VCC
WE
NC
NE
NC
SOIC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
X20C16
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
VSS
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
3826 FHD F03
X20C16
4
A6
A5
A4
A3
5
6
7
8
9
10
11
12
3
2
1 32 31 30
29
28
27
26
A8
A9
NC
NC
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
A2
A1
A0
NC
I/O0
X20C16
（ TOP VIEW ）
3826 FHD F02
3826 ILL F17.2
21
13
14 15 16 17 18 19 20
I/O1
I/O2
VSS
NC
I/O3
I/O4
I/O5
A4
A3
自动存储 NOVRAM是Xicor公司，公司的商标。
Xicor公司，公司1991年， 1995年， 1996年专利待定
3826-2.9 97年7月31日T4 / C0 / D0 SH
1
特性如有变更，恕不另行通知
AS
25
24
23
22
A7
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
NC
NE
V
CC
V
CC
WE
AS
NC
A
8
A
9
NC
OE
X20C16
设备操作
该
CE， OE ， WE ，
和
NE
输入控制X20C16
操作。该X20C16字节宽的NOVRAM使用
2线控制架构，以消除总线争用
一个系统的环境。在I / O总线将处于高
阻抗状态时，无论
OE
or
CE
高时，或
当
NE
是低的。
RAM OPERATIONS
RAM的读写操作，因为他们执行
将任何静态RAM 。读操作需要
CE
和
OE
为低电平以
WE
和
NE
HIGH 。写
操作要求
CE
和
WE
为低电平以
NE
HIGH 。没有限制的数目的读或写
操作进行到X20C16的RAM区。
内存传输操作
有两个内存传输操作：召回
操作，从而存储在E中的数据
2
PROM阵列
传送到RAM阵列;和存储操作
这使得RAM阵列中的全部内容被
存储在E
2
PROM阵列。
回想一下操作时自动执行
电和主机系统控制时，根据
NE ， OE
和
CE
低，而且
WE
为HIGH 。此次被召回的操作
最多需要5微秒的。
SDP （软件数据保护）
有启动一个存储操作的两种方法。
第一是软件存储命令。此命令
需要对所使用的五金商店的地方
X20C04 。由进入发布此命令
特殊的命令模式：
NE ， CE，
和
WE
低频闪
而在同一时间的特定地址和数据
组合被发送到设备。这是一个三个步骤
动作：第一地址/数据组合是555 [H] /
AA [ H];第二组合是2AA [H] / 55 [ H];和
最后的命令组合为555 [H ] / 33 [ H] 。这个SE-
伪写操作quence将立即
启动存储操作。参考软件的COM
命令时序图的详细信息，设置和保持时间
对各种信号。
存储数据的第二种方法是用
自动存储命令。当启用时，数据是自动
matically存储在RAM成电子
2
PROM阵列
每当V
CC
低于预设阈值自动存储
老了。此功能是通过执行前两个已启用
对于软件商店的命令组合的步骤
灰是555 [H ] / CC [ H] 。
该自动存储功能是通过发出禁用
用命令的COM三步命令序列
bination为555 [H]的CD / [H] 。在自动存储功能
也将若V重置
CC
低于上电复位
阈值（约3.5V ），并随后升回到
入操作范围。
写保护
该X20C16支持保护的两种方法
非易失性数据。
- 如果上电后的自动存储功能不
使能时，不自动存储可发生。
—V
CC
感 - 所有的功能都在抑制V
CC
is
≤
3.0V典型。
符号表
下面的符号表提供了一个关键不足
站在时间的设备中使用的约定
图。该图应配合使用
与设备的时序规范，以确定实际
装置的操作和性能，以及设备
适合用户的应用程序。
波形
输入
必须是
稳定
可能改变
从低
到HIGH
可能改变
从高
以LOW
不在乎：
变化
允许
不适用
输出
会
稳定
将改变
从低
到HIGH
将改变
从高
以LOW
更改：
状态不
已知
中线
是高
阻抗
3
X20C16
绝对最大额定值*
在偏压温度.................. -65 ° C至+ 135°C的
存储温度....................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
对于V
SS .......................................
-1V至+ 7V
直流输出电流........................................... 10毫安
引线温度（焊接， 10秒） ...... 300℃
推荐工作条件
温度
广告
产业
军事
分钟。
0°C
–40°C
–55°C
马克斯。
+70°C
+85°C
+125°C
3826 PGM T02.1
* COMMENT
注意，超出上述绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。
这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或高于其他任何条件
在业务部门所标明的本规范是
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。
电源电压
X20C16
范围
5V
±10%
3826 PGM T03.1
直流工作特性
（在推荐工作条件，除非另有规定编）
范围
符号
l
CC1
参数
V
CC
当前（活动）
分钟。
马克斯。
100
单位
mA
测试条件
NE
=
WE
= V
IH
,
CE
=
OE
= V
IL
地址输入= 0.4V / 2.4V电平
@ F = 20MHz的所有I / O =打开
所有输入= V
IH
所有I / O =打开
CE
= V
IH ，
所有其它输入= V
IH
所有I / O =打开
所有输入= V
CC
– 0.3V
所有I / O =打开
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
OUT
= V
SS
到V
CC
,
CE
= V
IH
I
CC2
I
CC3(2)
I
SB1
I
SB2
I
LI
I
LO
V
IL(1)
V
IH(1)
V
OL
V
OLAS
V
OH
V
CC
STORE在当前
V
CC
目前在
自动存储
V
CC
待机电流
（ TTL输入）
V
CC
待机电流
（ CMOS输入）
输入漏电流
输出漏电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
自动存储输出
输出高电压
5
2.5
10
250
10
10
0.8
V
CC
+ 0.5
0.4
0.4
mA
mA
mA
A
A
A
V
V
V
V
V
–1
2
2.4
I
OL
= 4毫安
I
OLAS
= 1毫安
I
OH
= -4mA
3826 PGM T04.3
上电时序
符号
t
PUR(2)
t
PUW(2)
参数
上电到RAM运行
上电到非易失性操作
马克斯。
100
5
单位
s
ms
3826 PGM T05
电容
T
A
= + 25 ° C，F = 1MHz时， V
CC
= 5V.
符号
C
I/O(2)
C
IN(2)
TEST
输入/输出电容
输入电容
马克斯。
10
6
单位
pF
pF
条件
V
I / O
= 0V
V
IN
= 0V
3826 PGM T06.1
注意事项：
(1) V
IL
分钟。和V
IH
最大。仅供参考，未经测试。
（ 2 ）该参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
4
QQ：2881677436 复制
