A
PPLICATION
N
OTE
A V A I L A B L E
X20C05
4K
AN56
X20C05
高速自动存储 NOVRAM
512 x 8
特点
描述
该Xicor公司X20C05是一个512 ×8 NOVRAM设有
高速静态RAM重叠位对位与非
挥发性电可擦除PROM （E
2
舞会） 。该
X20C05是制造与先进的CMOS浮
门技术实现高速，低功耗
宽电源裕度。该X20C05特点
在JEDEC批准的引脚排列字节宽的回忆，
与行业标准的RAM ， ROM的兼容，
的EPROM和E
2
PROM中。
该NOVRAM设计允许将数据轻松传输
从RAM ferred到E
2
PROM （店）和E
2
PROM来
RAM （召回） 。这家店的操作在5毫秒完成或
越来越召回操作在为5μs以下完成。
Xicor公司NOVRAMS设计用于无限写
操作RAM ，无论是从主机或召回
E
2
PROM和最低百万存储操作
电子
2
舞会。数据保存期限为更大
超过100年。
快速存取时间： 35ns的，为45nS ， 55ns
高可靠性
-Endurance ：100万非易失性存储
操作
-retention ： 100年最低
POWER- ON RECALL
—E
2
PROM数据自动调用进入
SRAM在上电时
自动存储 NOVRAM
- 用户已启用选项
- 自动存储SRAM数据到
E
2
PROM阵列当V
CC
低门槛
检测
- 开放漏极自动存储状态输出引脚
软件数据保护
-locks出无心门店运营
低功耗CMOS
-Standby ： 250
A
无限ê
2
PROM阵列召回和RAM读取
和写周期
与X20C16 （ 16K ）向上兼容
引脚配置
塑料
CERDIP
NC
A7
LCC
PLCC
VCC
WE
NE
NC
AS
NE
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
X20C05 21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE
AS
A8
NC
NC
OE
NC
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
I/O0
5
6
7
8
9
4
3
2
1 32 31 30
29
28
27
26
A8
NC
NC
NC
OE
NC
CE
I/O7
I/O6
7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
V
X20C05
（ TOP VIEW ）
25
24
23
22
10
11
12
13
21
14 15 16 17 18 19 20
VSS
I/O1
I/O2
NC
I/O3
I/O4
I/O5
3827 FHD F02
3827 FHD F03
自动存储 NOVRAM是Xicor公司，公司的商标。
Xicor公司，公司1991年至1997年专利申请中
3827-2.7 97年7月31日T4 / C0 / D0 SH
1
特性如有变更，恕不另行通知
X20C05
设备操作
该
CE， OE ， WE
和
NE
输入控制X20C05
操作。该X20C05字节宽的NOVRAM使用
2线控制架构，以消除总线争用
一个系统的环境。在I / O总线将处于高
阻抗状态时，无论
OE
or
CE
高时，或
当
NE
是低的。
RAM OPERATIONS
RAM的读写操作，因为他们执行
将任何静态RAM 。读操作需要
CE
和
OE
为低电平以
WE
和
NE
HIGH 。写
操作要求
CE
和
WE
为低电平以
NE
HIGH 。没有限制的数目的读或写
操作进行到X20C05的RAM区。
内存传输操作
有两个内存传输操作：召回
操作，从而存储在E中的数据
2
PROM阵列
传送到RAM阵列;和存储操作
这使得RAM阵列中的全部内容被
存储在E
2
PROM阵列。
回想一下操作时自动执行
电和主机系统控制时，根据
NE ， OE
和
CE
低，而且
WE
为HIGH 。此次被召回的操作
最多需要5微秒的。
有启动一个存储操作的两种方法。
第一是软件存储命令。此命令
需要对所使用的五金商店的地方
X20C04 。由进入发布此命令
特殊的命令模式：
NE ， CE，
和
WE
低频闪
而在同一时间的特定地址和数据
组合被发送到设备。这是一个三个步骤
动作：第一地址/数据组合是
155 [H] / AA [ H];第二组合是0AA [H] / 55 [ H];
和最后的命令的组合是155 [H] / 33 [H] 。
伪写操作序列将被立即
ately启动存储操作。参考软件
命令时序图的详细信息，设置和保持
倍的各种信号。
存储数据的第二种方法是通过
自动存储命令。当启用时，数据是自动
matically存储在RAM成电子
2
PROM阵列
每当V
CC
低于预设自动存储
门槛。此功能是通过执行首次启用
两个步骤的软件商店与命令
组合是155 [H] / CC的[H] 。
该自动存储功能是通过发出禁用
用命令的COM三步命令序列
bination为155 [H]的CD / [H] 。在自动存储功能
也将若V重置
CC
低于上电复位
阈值（约3.5V ），并随后升回到
运作范围。
数据保护
该X20C05支持保护的两种方法
非易失性数据。
- 如果上电后的自动存储功能不
使能时，不自动存储可发生。
- 如果在上电后没有任何RAM写入操作都OC-
curred没有存储操作可以启动。软件
存储和自动存储命令将被忽略。
符号表
波形
输入
必须是
稳定
可能改变
从低
到HIGH
可能改变
从高
以LOW
不在乎：
变化
允许
不适用
输出
会
稳定
将改变
从低
到HIGH
将改变
从高
以LOW
更改：
状态不
已知
中线
是高
阻抗
3
X20C05
绝对最大额定值*
在偏压温度.................. -65 ° C至+ 135°C的
存储温度....................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
对于V
SS .......................................
-1V至+ 7V
直流输出电流........................................... 10毫安
引线温度（焊接， 10秒） ...... 300℃
推荐工作条件
温度
广告
产业
军事
分钟。
0°C
–40°C
–55°C
马克斯。
+70°C
+85°C
+125°C
3827 PGM T02.1
* COMMENT
注意，超出上述绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。
这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件
在业务部门所标明的本规范是
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。
电源电压
X20C05
范围
5V
±10%
3827 PGM T03.1
直流工作特性
（在推荐工作条件，除非另有规定编）
范围
符号
l
CC1
参数
V
CC
当前（活动）
分钟。
马克斯。
100
单位
mA
测试条件
NE
=
WE
= V
IH
,
CE
=
OE
= V
IL
地址输入= 0.4V / 2.4V电平@
F = 20MHz的。所有I / O =打开
所有输入= V
IH
所有I / O =打开
CE
= V
IH
所有其它输入= V
IH
，所有的I / O =打开
所有输入= V
CC
– 0.3V
所有I / O =打开
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
OUT
= V
SS
到V
CC
,
CE
= V
IH
I
CC2
I
CC3
I
SB1
I
SB2
I
LI
I
LO
V
IL(1)
V
IH(1)
V
OL
V
OLAS
V
OH
V
CC
STORE在当前
V
CC
目前在
自动存储
V
CC
待机电流
（ TTL输入）
V
CC
待机电流
（ CMOS输入）
输入漏电流
输出漏电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
自动存储输出
输出高电压
5
2.5
10
250
10
10
0.8
V
CC
+ 0.5
0.4
0.4
mA
mA
mA
A
A
A
V
V
V
V
V
–1
2
2.4
I
OL
= 4毫安
I
OLAS
= 1毫安
I
OH
= -4mA
3827 PGM T04.3
上电时序
符号
t
PUR(2)
t
PUW(2)
参数
上电到RAM运行
上电到非易失性操作
马克斯。
100
5
单位
s
ms
3827 PGM T05
电容
T
A
= + 25 ° C，F = 1MHz时， V
CC
= 5V.
符号
C
I/O(2)
C
IN(2)
TEST
输入/输出电容
输入电容
马克斯。
10
6
单位
pF
pF
条件
V
I / O
= 0V
V
IN
= 0V
3827 PGM T06.2
注意事项：
(1) V
IL
分钟。和V
IH
最大。仅供参考，未经测试。
（ 2 ）该参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
4
QQ：2881677436 复制
