X20C04
4K
X20C04
非易失性静态RAM
512 ×8位
特点
描述
该Xicor公司X20C04是一个512 ×8 NOVRAM设有
静态RAM重叠位对位具有非易失性electri-
美云可擦除PROM （E
2
舞会） 。该X20C04是fabri-
cated拥有先进的CMOS浮栅技术
实现低功耗和宽电源裕度。该
X20C04采用了JEDEC核准的引脚排列针对字节
宽回忆，与行业标准兼容的RAM ，
ROM， EPROM中，和E
2
PROM中。
该NOVRAM设计允许将数据轻松传输
从RAM ferred到E
2
PROM （店）和E
2
PROM来
RAM （召回） 。这家店的操作在5毫秒完成或
越来越召回操作在为5μs以下完成。
Xicor公司NOVRAMS设计用于无限写
操作RAM ，无论是从主机或召回
E
2
PROM和最低百万存储操作
电子
2
舞会。数据保存期限为更大
超过100年。
高可靠性
-Endurance ：100万非易失性存储
操作
-retention ： 100年最低
POWER- ON RECALL
—E
2
PROM数据自动调用进入
SRAM在上电时
锁定无心门店运营
低功耗CMOS
-Standby ： 250
A
无限ê
2
PROM阵列召回和RAM读取
和写周期
兼容X2004
引脚配置
塑料
CERDIP
NC
LCC
PLCC
VCC
WE
NE
NC
NC
A7
NE
NC
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
X20C04 21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE
NC
A8
NC
NC
OE
NC
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
I/O0
5
6
7
8
9
4
3
2
1 32 31 30
29
28
27
26
A8
NC
NC
NC
OE
NC
CE
I/O7
I/O6
X20C04
（ TOP VIEW ）
25
24
23
22
10
11
12
13
21
14 15 16 17 18 19 20
I/O1
I/O2
VSS
NC
I/O3
I/O4
I/O5
3825 FHD F02
3825 FHD F03
Xicor公司，公司1992年， 1995年， 1996年专利待定
3825-2.8 97年7月31日T4 / C0 / D0 SH
1
特性如有变更，恕不另行通知
X20C04
绝对最大额定值*
在偏压温度.................. -65 ° C至+ 135°C的
存储温度....................... -65 ° C至+ 150°C
任何引脚的电压
对于V
SS .......................................
-1V至+ 7V
直流输出电流........................................... 10毫安
引线温度（焊接， 10秒）...... 300℃
推荐工作条件
温度
广告
产业
军事
分钟。
0°C
–40°C
–55°C
马克斯。
+70°C
+85°C
+125°C
3825 PGM T02.1
* COMMENT
注意，超出上述绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。
这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件
在业务部门所标明的本规范是
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件
系统蒸发散长时间可能会影响器件的可靠性。
电源电压
X20C04
范围
5V
±10%
3825 PGM T03
直流工作特性
（在推荐工作条件，除非另有规定编）
范围
符号
l
CC1
参数
V
CC
当前（活动）
分钟。
马克斯。
100
单位
mA
测试条件
NE
=
WE
= V
IH
,
CE
=
OE
= V
IL
地址输入= 0.4V / 2.4V电平
@ F = 5MHz时。所有I / O =打开
所有输入= V
IH
所有I / O =打开
CE
= V
IH
所有其它输入= V
IH
，所有的I / O =打开
所有输入= V
CC
– 0.3V
所有I / O =打开
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
OUT
= V
SS
到V
CC
,
CE
= V
IH
I
CC2
I
SB1
I
SB2
I
LI
I
LO
V
IL(1)
V
IH(1)
V
OL
V
OH
V
CC
STORE在当前
V
CC
待机电流
（ TTL输入）
V
CC
待机电流
（ CMOS输入）
输入漏电流
输出漏电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
10
10
250
10
10
0.8
V
CC
+ 0.5
0.4
mA
mA
A
A
A
V
V
V
V
–1
2
2.4
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= –400A
3825 PGM T04.3
上电时序
符号
t
PUR(2)
t
PUW(2)
参数
上电到RAM运行
上电到非易失性操作
马克斯。
100
5
单位
s
ms
3825 PGM T05
电容
T
A
= + 25 ° C，F = 1MHz时， V
CC
= 5V.
符号
C
I/O(2)
C
IN(2)
TEST
输入/输出电容
输入电容
马克斯。
10
6
单位
pF
pF
条件
V
I / O
= 0V
V
IN
= 0V
3825 PGM T06.1
注意事项：
(1) V
IL
分钟。和V
IH
最大。仅供参考，未经测试。
（ 2 ）该参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
4
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