怀特电子设计
WV3HG64M32EEU-D4
高级*
256MB - 64Mx32 DDR2 SDRAM UNBUFFERED
特点
200针，小外形DIMM （ SO -DIMM ）
快速数据传输率： PC2-5300 * ， PC2-4200和
PC2-3200
采用667 * 533和400 Mb / s的DDR2 SDRAM
组件
V
CC
= 1.8V ±0.1V
V
CCSPD
= 1.7V至3.6V
JEDEC标准的1.8V的I / O（ SSTL_18兼容）
差分数据选通（ DQS ， DQS ＃ ）选项
四位预取架构
DLL对齐DQ和DQS转换与CK
多个内部器件银行并发
手术
支持重复的输出选通（ RDQS / RDQS ＃ ）
可编程CAS＃延迟（CL） ： 3，4，和5
可编程突发：长度（ 4,8 ）
可调节的数据输出驱动强度
片上端接（ ODT ）
串行存在检测（ SPD ）与EEPROM
自动&自刷新（ 64毫秒： 8,192循环刷新）
行地址： A0 A13 ，列地址： A0 A9 ，
银行地址： BA0 BA1
金缘接触
符合RoHS
JEDEC封装选项
200引脚（ SO -DIMM ）
PCB - 30.00毫米（ 1.181" ） TYP 。
注：可用性咨询工厂：
供应商源控制选项
工业温度选项
描述
该WV3HG64M32EEU是64Mx32双倍数据速率
基于512MB DDR2 SDRAM 2内存模块
SDRAM组件。该模块由四个64Mx8 ，
在FBGA封装安装在一个200引脚的SO-DIMM FR4
基材。
*本产品正在开发中，是不是对外贸易资质网络编辑或特点，并须
更改或取消，恕不另行通知。
工作频率
PC2-5300*
时钟速度
CL -T
RCD
-t
RP
注意：
可用性咨询工厂
PC2-4200
266MHz
4-4-4
PC2-3200
200MHz
3-3-3
333MHz
5-5-5
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1
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引脚配置
PIN ＃符号PIN ＃号PIN ＃号PIN ＃符号
51
DQS2
101
A1
151
NC
1
VREF
2
V
SS
52
DM2
102
A0
152
NC
53
V
SS
103
153
NC
3
V
SS
VCC
4
DQ4
54
V
SS
104
154
NC
VCC
5
DQ0
55
DQ18
105
A10/AP
155
V
SS
6
DQ5
56
DQ22
106
BA1
156
V
SS
7
DQ1
57
DQ19
107
BA0
157
NC
8
V
SS
58
DQ23
108
RAS ＃
158
NC
9
V
SS
59
V
SS
109
WE＃
159
NC
10
DM0
60
V
SS
110
CS0#
160
NC
11
DQS0#
61
DQ24
111
161
V
SS
VCC
12
V
SS
62
DQ28
112
162
V
SS
VCC
13
DQS0
63
DQ25
113
CAS ＃
163
NC
14
DQ6
64
DQ29
114
ODT0
164
NC
65
V
SS
115
NC
165
V
SS
15
V
SS
16
DQ7
66
V
SS
116
A13
166
NC
17
DQ2
67
DM3
117
167
NC
VCC
18
V
SS
68
DQS3#
118
168
V
SS
VCC
19
DQ3
69
NC
119
NC
169
NC
20
DQ12
70
DQS3
120
NC
170
NC
21
V
SS
71
V
SS
121
V
SS
171
V
SS
22
DQ13
72
V
SS
122
V
SS
172
V
SS
23
DQ8
73
DQ26
123
NC
173
NC
74
DQ30
124
NC
174
NC
24
V
SS
25
DQ9
75
DQ27
125
NC
175
NC
26
DM1
76
DQ31
126
NC
176
NC
27
V
SS
77
V
SS
127
V
SS
177
V
SS
28
V
SS
78
V
SS
128
V
SS
178
V
SS
29
DQS1#
79
CKE0
129
NC
179
NC
30
CK0
80
NC
130
NC
180
NC
31
DQS1
81
131
NC
181
NC
VCC
32
CK0#
82
132
V
SS
182
NC
VCC
83
NC
133
V
SS
183
V
SS
33
V
SS
34
V
SS
84
NC
134
NC
184
V
SS
35
DQ10
85
NC
135
NC
185
NC
36
DQ14
86
NC
136
NC
186
NC
37
DQ11
87
137
NC
187
V
SS
VCC
38
DQ15
88
138
V
SS
188
NC
VCC
39
V
SS
89
A12
139
V
SS
189
NC
40
V
SS
90
A11
140
NC
190
V
SS
41
V
SS
91
A9
141
NC
191
NC
42
V
SS
92
A7
142
NC
192
NC
43
DQ16
93
A8
143
NC
193
V
SS
44
DQ20
94
A6
144
V
SS
194
NC
45
DQ17
95
145
V
SS
195
SDA
VCC
46
DQ21
96
146
NC
196
V
SS
VCC
47
V
SS
97
A5
147
NC
197
SCL
48
V
SS
98
A4
148
NC
198
SA0
49
DQS2#
99
A3
149
V
SS
199
VCCSPD
50
NC
100
A2
150
V
SS
200
SA1
WV3HG64M32EEU-D4
先进
引脚名称
符号
A0-A13
ODT0
CK0 ， CK0 ＃
CKE0
CS0#
RAS ＃ ， CAS ＃ ， WE＃
BA0 ， BA1
DM0-DM3
A10/AP
DQ0-DQ31
DQS0-DQS3
DQS0#-DQS3#
SCL
SA0-SA1
SDA
V
CC
V
REF
V
SS
V
CCSPD
NC
描述
地址输入
片上终端
差分时钟输入
时钟使能输入
芯片选择
指令输入
银行地址输入
输入数据屏蔽
地址输入/自动预充电
数据输入/输出
数据选通
串行时钟的设备检测
设备检测地址输入
串行存在检测数据
电源： + 1.8V ± 0.1V
SSTL_18参考电压
地
串行EEPROM正电源
供应
无连接
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功能框图
3
WV3HG64M32EEU-D4
先进
CS0#
DQS0#
DQS0
DM0
DM CS ＃ DQS DQS ＃
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQS1#
DQS1
DM1
DM CS ＃ DQS DQS ＃
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQS2#
DQS2
DM2
DM CS ＃ DQS DQS ＃
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQS3#
DQS3
DM3
DM CS ＃ DQS DQS ＃
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
3
SCL
串行PD
WP A0
A1
A2
SA0 SA1
BA0-BA1
A0-A13
RAS ＃
CAS ＃
WE＃
CKE0
ODT0
BA0 - BA1 ： DDR2 SDRAM芯片
A0 - A13 ： DDR2 SDRAM芯片
DDR2 SDRAM芯片
RAS ＃ ：
CAS ＃ ：
DDR2 SDRAM芯片
WE＃ ：
DDR2 SDRAM芯片
CKE0 ：
DDR2 SDRAM芯片
ODT0 ：
DDR2 SDRAM芯片
SDA
V
CCSPD
V
CC
V
REF
串行PD
DDR2 SDRAM芯片
DDR2 SDRAM芯片
DDR2 SDRAM芯片
CK0
CK0#
100
DDR2 SDRAM芯片
DDR2 SDRAM芯片
注：所有电阻值，是22欧姆± 5 ％，除非另有规定ED 。
V
SS
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绝对最大额定值
符号
V
CC
V
IN
, V
OUT
T
英镑
I
L
参数
在V电压
CC
引脚相对于V
SS
任何引脚相对于V电压
SS
储存温度
输入漏电流;任何输入0V<V
IN
＆ LT ; V
CC
;
VREF
输入
0V<V
IN
<0.95V ;其它引脚没有被测= 0V
WV3HG64M32EEU-D4
先进
民
-0.5
-0.5
-55
命令/地址，
RAS ＃ ， CAS ＃ ， WE＃
CS ＃ ， CKE
CK ， CK ＃
DM
-20
-20
-20
-5
-5
-8
最大
2.3
2.3
100
20
20
20
5
5
8
单位
V
V
C
A
A
A
A
A
A
I
OZ
I
VREF
输出漏电流; 0V<V
IN
＆ LT ; V
CC
; DQS和ODT是
关闭
V
REF
漏电流; V
REF
=有效
VREF
水平
DQ ， DQS ， DQS ＃
直流工作条件
参考V所有电压
SS
等级
参数
电源电压
I / O参考电压
I / O终端电压
符号
V
CC
V
REF
V
TT
分钟。
1.7
0.49 x垂直
CC
V
REF
-0.04
TYPE
1.8
0.50 x垂直
CC
V
REF
马克斯。
1.9
0.51 x垂直
CC
V
REF
+0.04
单位
V
V
V
笔记
3
1
2
注意事项：
1. V
REF
预计相当于V
CC
/发送装置2和跟踪变化的相同的DC电平。峰 - 峰值的V噪音
REF
不得超过直流+/- 1 ％的
值。在V峰至峰AC噪音
REF
不得超过V的+/- 2％
REF
。该测定是将要采取在最接近V
REF
旁路电容。
2. V
TT
在SOT直接施加到该设备。 V
TT
是预期的系统供给的信号终止电阻器，被设置等于V
REF
并且必须跟踪变化为V的DC电平
REF
.
3. V
CCQ
所有集成电路都连接到V
CC
.
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输入/输出电容
T
A
= 25 ° C，F = 100MHz的
参数
输入电容（ A0 A13 ， BA0 BA1 ， RAS ＃ ， CAS ＃ ， WE＃ ）
输入电容CKE0 ， ODT
输入电容CS0 ＃
输入电容（ CK0 ， CK0 ＃ ）
输入电容（ DM0 DM3 ） ， （ DQS0 DQS3 ）
符号
C
IN1
C
IN2
C
IN3
C
IN4
C
IN5
(665)
C
IN5
(534)
输入电容（ DQ0 DQ31 ）
C
OUT1
(665)
C
OUT1
(534)
注意事项：
AC特定连接的阳离子是基于
三星
组件。其它DRAM制造特定网络连接的阳离子可以是不同的。
WV3HG64M32EEU-D4
先进
民
8
8
8
8
6.5
6.5
6.5
6.5
最大
12
12
12
12
7.5
8
7.5
8
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
工作温度条件
参数
工作温度（商业）
符号
豪饮者
等级
0
°
至85 ℃
单位
°C
笔记
1, 2
注意事项：
1.工作温度是在DRAM中心/顶侧的情况下表面温度。为测量条件，请参阅JEDED JESD51.2
2.在0 °C - 85°C ，工作温度范围内，所有的DRAM特定连接的阳离子将得到支持。
直流输入逻辑电平
参考V所有电压
SS
参数
输入高电平（逻辑1 ）电压
输入低电平（逻辑0 ）电压
符号
V
IH
（DC）的
V
IL
（DC）的
民
V
REF
+ 0.125
-0.300
最大
V
CC
+ 0.300
V
REF
- 0.125
单位
V
V
AC输入逻辑电平
参考V所有电压
SS
参数
输入高电平（逻辑1 ）电压DDR2-400 & DDR2-533
输入低电平（逻辑1 ）电压DDR2-667
输入低电平（逻辑0 ）电压DDR2-400 & DDR2-533
输入低电平（逻辑0 ）电压DDR2-667
符号
V
IH
（AC）的
V
IH
（AC）的
V
IL
（AC）的
V
IL
（AC）的
民
V
REF
+ 0.250
V
REF
+ 0.200
-
-
最大
-
-
V
REF
- 0.250
V
REF
- 0.200
单位
V
V
V
V
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