怀特电子设计
WV3HG32M40SEU-PD4
高级*
128MB - 32Mx40 DDR2 SDRAM缓冲， ECC ，W / PLL
特点
无缓冲的200针，小外形DIMM （ SO-
DIMM ）
Suppot ECC错误检测和校正
快速数据传输率： PC2-5300 * ， PC2-4200和
PC2-3200
采用667 * 533和400 Mb / s的DDR2 SDRAM
组件
V
CC
= 1.8V ±0.1V
V
CCSPD
= 1.7V至3.6V
JEDEC标准的1.8V的I / O（ SSTL_18兼容）
差分数据选通（ DQS ， DQS ＃ ）选项
差分时钟输入（ CK ， CK ＃ ）
四位预取架构
可编程CAS＃延迟（CL） ： 3，4，和5
发布CAS ＃附加延迟; 0，1， 2，3和4
可编程突发：长度（ 4,8 ）
片上端接（ ODT ）
内存PLL时钟
串行存在检测（ SPD ）与EEPROM
自动&自刷新（ 64毫秒： 8,192循环刷新）
金缘接触
符合RoHS
JEDEC提出的针脚
封装选项：
200引脚（ SO -DIMM ）
PCB - 30.00毫米（ 1.181" ） TYP 。
注：可用性咨询工厂：
供应商源控制选项
工业温度选项
描述
该WV3HG32M40SEU是32Mx40双数据速率2
基于512MB DDR2 SDRAM SDRAM内存模块
组件。该模块由三个32Mx16的，在
安装在一个200针SO-DIMM FR4 FBGA封装
基材。
*本产品正在开发中，是不是对外贸易资质网络编辑或特点，并须
更改或取消，恕不另行通知。
工作频率
PC2-5300*
时钟速度
CL -T
RCD
-t
RP
注意：
可用性咨询工厂
PC2-4200
266MHz
4-4-4
PC2-3200
200MHz
3-3-3
333MHz
5-5-5
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第2版
1
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怀特电子设计
引脚配置
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
符号
V
REF
V
SS
DQ0
DQ4
V
SS
DQ5
DQ1
V
SS
DQS0#
DM0
DQS0
V
SS
V
SS
DQ6
DQ2
DQ7
DQ3
V
SS
V
SS
DQ12
DQ8
DQ13
DQ9
V
SS
V
SS
DM1
DQS1#
V
SS
DQS1
DQ14
V
SS
DQ15
DQ10
V
SS
DQ11
DQ20
V
SS
DQ21
DQ16
V
SS
DQ17
NC
V
SS
DM2
DQS2#
V
SS
DQS2
DQ22
V
SS
DQ23
PIN号
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
符号
DQ18
V
SS
DQ19
DQ28
V
SS
DQ29
DQ24
V
SS
DQ25
DM3
V
SS
V
SS
DQS3#
DQ30
DQS3
DQ31
V
SS
V
SS
DQ26
CB4
DQ27
CB5
V
SS
V
SS
CB0
DM8
CB1
V
SS
V
SS
CB6
DQS8#
CB7
DQS8
V
SS
V
SS
CB2
CKE0
CB3
NC
V
SS
NC
NC
V
CC
NC
A12
A11
A9
V
CC
A7
A8
PIN号
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
符号
V
CC
A6
A5
A4
A3
V
CC
A2
A1
V
CC
A0
A10/AP
BA1
BA0
V
CC
RAS ＃
WE＃
V
CC
CS0#
CAS ＃
ODT0
NC
NC
V
CC
V
CC
NC
CK
NC
CK ＃
NC
V
SS
V
SS
NC
NC
NC
NC
V
SS
NC
NC
V
SS
V
SS
NC
NC
NC
NC
V
SS
V
SS
NC
NC
NC
NC
PIN号
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
169
170
171
172
173
174
175
176
177
178
179
180
181
182
183
184
185
186
187
188
189
190
191
192
193
194
195
196
197
198
199
200
符号
V
SS
V
SS
NC
NC
NC
V
SS
V
SS
NC
NC
NC
NC
V
SS
V
SS
NC
NC
NC
NC
V
SS
V
SS
NC
NC
V
SS
NC
NC
V
SS
NC
NC
V
SS
NC
NC
V
SS
NC
NC
V
SS
NC
NC
V
SS
NC
NC
V
SS
NC
NC
NC
SDA
V
SS
SCL
NC
SA1
V
CC
SPD
SA0
WV3HG32M40SEU-PD4
先进
引脚名称
符号
A0-A12
ODT0
CK ， CK ＃
CB0 - CB7
CKE0
CS0#
RAS ＃ ， CAS ＃ ， WE＃
BA0 ， BA1
DM0 - DM3 ， DM8
DQ0-DQ31
DQS0-DQS3,
DQS8
DQS03-DQS3#,
DQS8#
SCL
SA0-SA1
SDA
V
CC
V
REF
V
SS
V
CCSPD
NC
描述
地址输入
片上终端
时钟输入
校验位
时钟使能输入
芯片选择
指令输入
银行地址输入
输入数据屏蔽
数据输入/输出
数据选通
数据选通补
SPD时钟输入
SPD地址输入
串行数据输入/输出
电源
输入/输出参考电压
地
串行EEPROM电源
无连接
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怀特电子设计
WV3HG32M40SEU-PD4
先进
功能框图
CS0#
DQS0
DQS0#
DM0
CS
的DQ
DQS ＃
DM / RDQS
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
的DQ
DQS ＃
DM / RDQS
I / O 8
I / O 9
I / O 10
I / O 11
I / O 12
I / O 13
I / O 14
I / O 15
DQS1
DQS1#
DM1
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQS2
DQS2#
DM2
DQS3
DQS3#
DM3
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
的DQ
DQS ＃
DM / RDQS
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
的DQ
DQS ＃
DM / RDQS
I / O 8
I / O 9
I / O 10
I / O 11
I / O 12
I / O 13
I / O 14
I / O 15
CS
DQS8
DQS8#
DM8
CB0
CB1
CB2
CB3
CB4
CB5
CB6
CB7
CS
的DQ
DQS ＃
DM / RDQS
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
DQS ＃
DM / RDQS
I / O 8
I / O 9
I / O 10
I / O 11
I / O 12
I / O 13
I / O 14
I / O 15
CK
CK ＃
P
L
L
PCK0 - PCK2 → CK ： DDR2 SDRAM芯片
PCK0 ＃ → PCK2 ＃ → CK ＃ ： DDR2 SDRAM芯片
CS0#
BA0-BA1
A0-A12
RAS ＃
CAS ＃
WE＃
CKE0
ODT0
CS0 ＃ → CS ＃ ： DDR2 SDRAM芯片
BA0 - BA1 → BA0 - BA1 ： DDR2 SDRAM芯片
A0 - A12 → A0 - A12 ： DDR2 SDRAM芯片
RAS ＃ → RAS ＃ ： DDR2 SDRAM芯片
CAS ＃ → CAS ＃ ： DDR2 SDRAM芯片
WE＃ → WE＃ ： DDR2 SDRAM芯片
CKE0 → CKE ： DDR2 SDRAM芯片
ODT0 → ODT ： DDR2 SDRAM芯片
SCL
串行PD
WP A0
A1
A2
SA0 SA1
SDA
V
CCSPD
V
CC
V
REF
串行PD
DDR2 SDRAM芯片
DDR2 SDRAM芯片
DDR2 SDRAM芯片
注：所有电阻值，是22欧姆± 5 ％，除非另有规定ED 。
V
SS
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怀特电子设计
符号
V
CC
V
IN
, V
OUT
T
英镑
参数
在V电压
CC
引脚相对于V
SS
任何引脚相对于V电压
SS
储存温度
WV3HG32M40SEU-PD4
先进
绝对最大额定值
民
-0.5
-0.5
-55
命令/地址，
RAS ＃ ， CAS ＃ ， WE＃
I
L
输入漏电流;任何输入0V<V
IN
＆ LT ; V
CC
;
VREF
输入
0V<V
IN
<0.95V ;其它引脚没有被测= 0V
CS ＃ ， CKE
CK ， CK ＃
DM
I
OZ
I
VREF
输出漏电流; 0V<V
IN
＆ LT ; V
CC
; DQS和ODT是
关闭
DQ ， DQS ， DQS ＃
-15
-15
-10
-5
-5
-6
最大
2.3
2.3
100
15
15
10
5
5
6
单位
V
V
C
A
A
A
A
A
A
V
REF
漏电流; V
REF
=有效
VREF
水平
直流工作条件
参考V所有电压
SS
等级
参数
电源电压
I / O参考电压
I / O终端电压
SPD电源电压
符号
V
CC
V
REF
V
TT
V
CCSPD
分钟。
1.7
0.49 x垂直
CC
V
REF
-0.04
1.7
TYPE
1.8
0.50 x垂直
CC
V
REF
-
马克斯。
1.9
0.51 x垂直
CC
V
REF
+0.04
3.6
单位
V
V
V
V
笔记
3
1
2
注意事项：
1. V
REF
预计相当于V
CC
/发送装置2和跟踪变化的相同的DC电平。峰 - 峰值的V噪音
REF
不得超过直流+/- 1 ％的
值。在V峰至峰AC噪音
REF
不得超过V的+/- 2％
REF
。该测定是将要采取在最接近V
REF
旁路电容。
2. V
TT
在SOT直接施加到该设备。 V
TT
是预期的系统供给的信号终止电阻器，被设置等于V
REF
并且必须跟踪变化为V的DC电平
REF
.
3. V
CCQ
所有集成电路都连接到V
CC
.
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T
A
= 25 ° C，F = 100MHz的
参数
输入电容（ A0 A12 ， BA0 BA1 ， RAS ＃ ， CAS ＃ ， WE＃ ）
输入电容CKE0 ， ODT0
输入电容CS0 ＃
输入电容（ CK ， CK ＃ ）
输入电容（ DM0 DM3 ， DM8 ） ， （ DQS0 DQS3 ， DQS8 ）
输入电容（ DQ0 DQ31 ） （ CB0 CB7 ）
符号
C
IN1
C
IN2
C
IN3
C
IN4
C
IN5
(665)
C
IN5
(534)
C
OUT1
(665)
C
OUT1
(534)
WV3HG32M40SEU-PD4
先进
输入/输出电容
民
7
7
7
6
6.5
6.5
6.5
6.5
最大
10
10
10
7
7.5
8
7.5
8
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
工作温度条件
参数
工作温度（商业）
符号
豪饮者
等级
0
°
至85 ℃
单位
°C
笔记
1, 2
注意事项：
1.工作温度是在DRAM中心/顶侧的情况下表面温度。为测量条件，请参阅JEDED JESD51.2
2.在0 °C - 85°C ，工作温度范围内，所有的DRAM特定连接的阳离子将得到支持。
直流输入逻辑电平
参考V所有电压
SS
参数
输入高电平（逻辑1 ）电压
输入低电平（逻辑0 ）电压
符号
V
IH
（DC）的
V
IL
（DC）的
民
V
REF
+ 0.125
-0.300
最大
V
CC
+ 0.300
V
REF
- 0.125
单位
V
V
AC输入逻辑电平
参考V所有电压
SS
参数
输入高电平（逻辑1 ）电压DDR2-400 & DDR2-533
输入低电平（逻辑1 ）电压DDR2-667
输入低电平（逻辑0 ）电压DDR2-400 & DDR2-533
输入低电平（逻辑0 ）电压DDR2-667
符号
V
IH
（AC）的
V
IH
（AC）的
V
IL
（AC）的
V
IL
（AC）的
民
V
REF
+ 0.250
V
REF
+ 0.200
-
-
最大
-
-
V
REF
- 0.250
V
REF
- 0.200
单位
V
V
V
V
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