怀特电子设计
WV3HG264M64EEU-D6
高级*
1GB - 2x64Mx64 DDR2 SDRAM UNBUFFERED
特点
240针，双列直插存储器模块
快速数据传输率： PC2-6400 * ， PC2-5300 * ，
PC2-4200和PC2-3200
采用800 * ， 667 * ， 533和400 MT / s的DDR2
SDRAM组件
V
CC
= V
CCQ
= 1.8V ±0.1V
JEDEC标准的1.8V的I / O（ SSTL_18兼容）
差分数据选通（ DQS ， DQS ＃ ）选项
四位预取架构
可编程CAS＃延迟（CL） ： 3 ，4，5和6中
片上端接（ ODT ）
串行存在检测（ SPD ）与EEPROM
金缘接触
双列
符合RoHS
封装选项
240针DIMM
PCB - 30.00毫米（ 1.181" ） TYP
描述
该WV3HG264M64EEU是2x64Mx64双数据
率DDR2 SDRAM高密度模块。此内存
模块包括16个64Mx8位有4个DDR2银行
同步DRAM的FBGA封装，安装在
240针DIMM FR4基板。
*本产品正在开发中，是不是对外贸易资质网络编辑或特点，并须
更改或取消，恕不另行通知。
注：可用性咨询工厂：
供应商源控制选项
工业温度选项
工作频率
PC2-3200
时钟速度
CL -T
RCD
-t
RP
*咨询工厂的可用性
PC2-4200
266MHz
4-4-4
PC2-5300*
333MHz
5-5-5
PC2-6400*
400MHz
6-6-6
200MHz
3-3-3
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怀特电子设计
引脚配置
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
符号
V
REF
V
SS
DQ0
DQ1
V
SS
DQS0#
DQS0
V
SS
DQ2
DQ3
V
SS
DQ8
DQ9
V
SS
DQS1#
DQS1
V
SS
NC
NC
V
SS
DQ10
DQ11
V
SS
DQ16
DQ17
V
SS
DQS2#
DQS2
V
SS
DQ18
DQ19
V
SS
DQ24
DQ25
V
SS
DQS3#
DQS3
V
SS
DQ26
DQ27
V
SS
NC
NC
V
SS
NC
DQS8
V
SS
NC
NC
V
SS
V
CCQ
CKE0
V
CC
NC
NC
V
CCQ
A11
A7
V
CC
A5
PIN号
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
符号
A4
V
CCQ
A2
V
CC
V
SS
V
SS
V
CC
NC
V
CC
A10/AP
BA0
V
CCQ
WE＃
CAS ＃
V
CCQ
CS1#
ODT1
V
CCQ
V
SS
DQ32
DQ33
V
SS
DQS4#
DQS4
V
SS
DQ34
DQ35
V
SS
DQ40
DQ41
V
SS
DQS5#
DQS5
V
SS
DQ42
DQ43
V
SS
DQ48
DQ49
V
SS
SA2
NC
V
SS
DQS6#
DQS6
V
SS
DQ50
DQ51
V
SS
DQ56
DQ57
V
SS
DQS7#
DQS7
V
SS
DQ58
DQ59
V
SS
SDA
SCL
PIN号
121
122
123
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
169
170
171
172
173
174
175
176
177
178
179
180
符号
V
SS
DQ4
DQ5
V
SS
DM0
NC
V
SS
DQ6
DQ7
V
SS
DQ12
DQ13
V
SS
DM1
NC
V
SS
CK1
CK1#
V
SS
DQ14
DQ15
V
SS
DQ20
DQ21
V
SS
DM2
NC
V
SS
DQ22
DQ23
V
SS
DQ28
DQ29
V
SS
DM3
NC
V
SS
DQ30
DQ31
V
SS
NC
NC
V
SS
NC
NC
V
SS
NC
NC
V
SS
V
CCQ
CKE1
V
CC
NC
NC
V
CCQ
A12
A9
V
CC
A8
A6
PIN号
181
182
183
184
185
186
187
188
189
190
191
192
193
194
195
196
197
198
199
200
201
202
203
204
205
206
207
208
209
210
211
212
213
214
215
216
217
218
219
220
221
222
223
224
225
226
227
228
229
230
231
232
233
234
235
236
237
238
239
240
符号
V
CCQ
A3
A1
V
CC
CK0
CK0#
V
CC
A0
V
CC
BA1
V
CCQ
RAS ＃
CS0#
V
CCQ
ODT0
A13
V
CC
V
SS
DQ36
DQ37
V
SS
DM4
NC
V
SS
DQ38
DQ39
V
SS
DQ44
DQ45
V
SS
DM5
NC
V
SS
DQ46
DQ47
V
SS
DQ52
DQ53
V
SS
CK2
CK2#
V
SS
DM6
NC
V
SS
DQ54
DQ55
V
SS
DQ60
DQ61
V
SS
DM7
NC
V
SS
DQ62
DQ63
V
SS
V
CCSPD
SA0
SA1
2
WV3HG264M64EEU-D6
先进
引脚名称
引脚名称
A0-A13
BA0 ， BA1
DQ0 DQ63
DQS0 DQS7
DQS0 ＃ DQS7 ＃
ODT0 ， ODT1
CK0 ， CK0 ＃ - CK2 ，
CK2#
CKE0 ， CKE1
CS0 ＃ ， CS1 ＃
RAS ＃
CAS ＃
WE＃
V
CC
V
CCQ
V
SS
SA0 - SA2
SDA
SCL
DM(0-7)
A10/AP
V
REF
V
CCSPD
NC
功能
地址输入
银行地址
数据输入/输出
数据选通
数据选通负
片上终端
时钟输入
时钟使能输入
片选输入
行地址选通
列地址选通
写使能
电源电压（ 1.8V ± 0.1V ）
I / O电源（ 1.8V ）
地
SPD地址
串行数据I / O
串行时钟
数据口罩
地址输入/自动预充电
I / O基准源
串行EEPROM
无连接
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怀特电子设计
WV3HG264M64EEU-D6
先进
功能框图
CS1#
CS0#
DQS0
DQS0#
DM0
DM /
RDQS
CS ＃
的DQ
DQS ＃
DM /
RDQS
CS ＃
的DQ
DQS ＃
DQS4
DQS4#
DM4
DM /
RDQS
CS ＃
的DQ
DQS ＃
DM /
RDQS
CS ＃
的DQ
DQS ＃
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
0
1
2
3
4
5
6
7
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
0
1
2
3
4
5
6
7
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
0
1
2
3
4
5
6
7
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
I / O
0
1
2
3
4
5
6
7
DQS1
DQS1#
DM1
DM /
RDQS
CS ＃
的DQ
DQS ＃
DM /
RDQS
CS ＃
的DQ
DQS ＃
DQS5
DQS5#
DM5
DM /
RDQS
CS ＃
的DQ
DQS ＃
DM /
RDQS
CS ＃
的DQ
DQS ＃
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQS2
DQS2#
DM2
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
DQS6
DQS6#
DM6
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
DM /
RDQS
CS ＃
的DQ
DQS ＃
DM /
RDQS
CS ＃
的DQ
DQS ＃
DM /
RDQS
CS ＃
的DQ
DQS ＃
DM /
RDQS
CS ＃
的DQ
DQS ＃
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQS3
DQS3#
DM3
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
DQS7
DQS7#
DM7
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
DM /
RDQS
CS ＃
的DQ
DQS ＃
DM /
RDQS
CS ＃
的DQ
DQS ＃
DM /
RDQS
CS ＃
的DQ
DQS ＃
DM /
RDQS
CS ＃
的DQ
DQS ＃
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
V
CCSPD
串行PD
SCL
WP
串行PD
SDA
A0 A0 A1
WP
A1
A2
A2
V
CC
/V
CCQ
DDR2 SDRAM芯片
SA0
SA1
SA2
V
REF
DDR2 SDRAM芯片
V
SS
DDR2 SDRAM芯片
*时钟布线
时钟
输入
*CK0/CK0#
*CK1/CK1#
*CK2/CK2#
DDR2 SDRAM芯片
4 DDR2 SDRAM芯片
6 DDR2 SDRAM芯片
6 DDR2 SDRAM芯片
CS0#
CS1#
BA0 - BA1
A0 - A13
RAS ＃
CAS ＃
WE＃
CKE0
CKE1
ODT0
ODT1
S0 ＃ ： DDR2 SDRAM芯片
S1 ＃ ： DDR2 SDRAM芯片
BA0 - RBA1 ： DDR2 SDRAM芯片
A0 - A13 ： DDR2 SDRAM芯片
RAS ＃ ： DDR2 SDRAM芯片
CAS ＃ ： DDR2 SDRAM芯片
WE＃ ： DDR2 SDRAM芯片
CKE ： DDR2 SDRAM芯片
CKE ： DDR2 SDRAM芯片
ODT ： DDR2 SDRAM芯片
ODT ： DDR2 SDRAM芯片
*每个时钟加载线
表/接线图
注意事项：
1. DQ ， DM ， DQS ， DQS ＃电阻： 5.1欧姆+/- 5 ％
2， BAX ，斧， RAS ＃ ， CAS ＃ ， WE＃电阻： 5.1欧姆+/- 5 ％
注：所有电阻值是22欧姆，除非另有规定ED 。
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怀特电子设计
直流工作条件
参考V所有电压
SS
等级
参数
电源电压
I / O电源电压
VCCL电源电压
I / O参考电压
I / O终端电压
符号
V
CC
V
CCQ
V
CCL
V
REF
V
TT
分钟。
1.7
1.7
1.7
0.49*V
CCQ
V
REF
-0.04
TYPE
1.8
1.8
1.8
0.50*V
CCQ
V
REF
WV3HG264M64EEU-D6
先进
马克斯。
1.9
1.9
1.9
0.51*V
CCQ
V
REF
+0.04
单位
V
V
V
V
V
笔记
1
4
4
2
3
注意事项：
1. V
CC
和V
CCQ
必须跟踪对方。 V
CCQ
必须小于或等于V
CC
.
2. V
REF
预计相当于V
CCQ/2
发送装置和跟踪变化的相同的DC电平。峰 - 峰值的V噪音
REF
不得超过直流+/- ％的
值。在V峰至峰AC噪音
REF
不得超过V的+/- 2％
REF
。该测定是将要采取在最接近V
REF
旁路电容。
3. V
TT
不直接向设备施加。 V
TT
是预期的系统供给的信号终止电阻器，被设置等于V
REF
并且必须跟踪变化为V的DC电平
REF
.
4. V
CCQ
与V轨道
CC
; V
CCL
跟踪与V
CC
.
绝对最大额定值
SSTL_1.8V
符号
V
CC
V
CCQ
V
CCL
V
IN
, V
OUT
T
英镑
T
例
I
L
参数
在V电压
CC
引脚相对于V
SS
在V电压
CCQ
引脚相对于V
SS
在V电压
CCL
引脚相对于V
SS
任何引脚相对于V电压
SS
储存温度
器件工作温度
输入漏电流;任何输入0V<V
IN
＆ LT ; V
CC
;
V
REF
输入0V<V
IN
<<0.95 ;其它引脚不
根据测试= 0V
命令/地址， RAS ＃ ，
CAS ＃ ， WE＃
CS ＃ ， CKE
CK ， CK ＃
DM
I
OZ
I
VREF
输出漏电流; 0V<V
OUT
＆ LT ; V
CCQ
;的DQ
和ODT是禁用
V
REF
漏电流; V
REF
=有效V
REF
水平
DQ ， DQS ， DQS ＃
民
- 1.0
- 0.5
- 0.5
- 0.5
-55
0
-80
-40
-30
-10
-10
-32
最大
2.3
2.3
2.3
2.3
100
85
80
40
30
10
10
32
单位
V
V
V
V
°C
°C
uA
uA
uA
uA
uA
uA
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电容
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时， V
CC
= V
CCQ
= 1.8V
参数
输入电容： （ A0 A13 ， BA0 BA1 ， RAS ＃ ， CAS ＃ ， WE＃ ）
输入电容（ CKE0 ， CKE1 ） ， （ ODT0 ， ODT1 ）
输入电容： （ CS0 ＃ ， CS1 ＃ ）
输入电容： （ CK0 ， CK0 ＃ CK2 ， CK2 ＃ ）
输入电容： （ DM0 DM7 ）
符号
C
IN1
C
IN2
C
IN3
C
IN4
C
IN6 （ E6 ）
C
IN6 （ D5）的
C
OUT1 （ E6 ）
C
OUT1 （ D5）的
WV3HG264M64EEU-D6
先进
民
20
12
12
10
9
9
9
9
最大
36
20
20
16
11
12
11
12
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
输入电容（ DQ0 DQ63 ）
工作温度条件
参数
工作温度
符号
豪饮者
等级
0 ° C至85°C
单位
C
笔记
1, 2
注意事项：
1.工作温度是在DRAM中心/顶侧的情况下表面温度。为测量条件，请参阅JEDEC JESD51.2 。
2.在0 - 85
° C，工作温度范围，所有的DRAM特定网络连接的阳离子会得到支持。
直流输入逻辑电平
参考V所有电压
SS
参数
输入高电平（逻辑1 ）电压
输入低电平（逻辑0 ）电压
符号
V
IH（ DC）的
V
IL （ DC ）
民
VREF + 0.125
-0.300
最大
VREF + 0.300
VREF - 0.125
单位
V
V
AC输入逻辑电平
参考V所有电压
SS
参数
AC输入高电平（逻辑1 ）电压
AC输入低电平（逻辑0 ）电压DDR2-400 & DDR2-533
AC输入低电平（逻辑0 ）电压DDR2-667 ， DDR2-800 （ TBD ）
符号
V
IH （AC）的
V
白细胞介素（AC）的
V
白细胞介素（AC）的
民
VREF + 0.250
VREF - 0.250
VREF - 0.200
最大
单位
V
V
V
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