怀特电子设计
WV3HG2128M72AER-D6
高级*
2GB - 2x128Mx72 DDR2 SDRAM注册瓦特/ PLL
特点
240针，双列直插存储器模块
快速数据传输率： PC2-4200和PC2-3200
利用533和400 Mb / s的DDR2 SDRAM
组件
V
CC
= V
CCQ
= 1.8V
±
0.1V
V
CCSPD
= 1.7V至3.6V
JEDEC标准的1.8V的I / O（ SSTL_18兼容）
差分数据选通（ DQS ， DQS ＃ ）选项
四位预取架构
DLL对齐DQ和DQS转换与CK
多个内部器件银行并发
手术
支持重复的输出选通（ RDQS / RDQS ＃ ）
可编程CAS＃延迟（CL） ：3和4
可调节的数据输出驱动强度
片上端接（ ODT ）
串行存在检测（ SPD ）与EEPROM
64毫秒： 8,192刷新周期
金缘接触
产品是无铅
符合RoHS
双列
封装选项
240针DIMM
PCB - 29.97毫米（ 1.18" ）
*本产品正在开发中，是不是对外贸易资质网络编辑或特点，并须
更改或取消，恕不另行通知。
注：可用性咨询工厂：
供应商源控制选项
工业温度选项
描述
该WV3HG2128M72AER是128Mx72双数据
率DDR2 SDRAM高密度模块。此内存
模块由36 128Mx4位与4银行DDR2
同步DRAM的FBGA封装，安装在
240针DIMM FR4基板。
工作频率
PC2-3200
时钟速度
CL -T
RCD
-t
RP
200MHz
3-3-3
PC2-4200
266MHz
4-4-4
九月
2005年修订版0
1
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
怀特电子设计
引脚配置
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
符号
V
REF
V
SS
DQ0
DQ1
V
SS
DQS0#
DQS0
V
SS
DQ2
DQ3
V
SS
DQ8
DQ9
V
SS
DQS1#
DQS1
V
SS
RESET＃
NC
V
SS
DQ10
DQ11
V
SS
DQ16
DQ17
V
SS
DQS2#
DQS2
V
SS
DQ18
DQ19
V
SS
DQ24
DQ25
V
SS
DQS3#
DQS3
V
SS
DQ26
DQ27
V
SS
CB0
CB1
V
SS
DQS8#
DQS8
V
SS
CB2
CB3
V
SS
V
CCQ
CKE0
V
CC
NC
NC
V
CCQ
A11
A7
V
CC
A5
PIN号
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
符号
A4
V
CCQ
A2
V
CC
V
SS
V
SS
V
CC
NC
V
CC
A10/AP
BA0
V
CCQ
WE＃
CAS ＃
V
CCQ
CS1#
ODT1
V
CCQ
V
SS
DQ32
DQ33
V
SS
DQS4#
DQS4
V
SS
DQ34
DQ35
V
SS
DQ40
DQ41
V
SS
DQS5#
DQS5
V
SS
DQ42
DQ43
V
SS
DQ48
DQ49
V
SS
SA2
NC
V
SS
DQS6#
DQS6
V
SS
DQ50
DQ51
V
SS
DQ56
DQ57
V
SS
DQS7#
DQS7
V
SS
DQ58
DQ59
V
SS
SDA
SCL
PIN号
121
122
123
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
169
170
171
172
173
174
175
176
177
178
179
180
符号
V
SS
DQ4
DQ5
V
SS
DQS9
DQS9#
V
SS
DQ6
DQ7
V
SS
DQ12
DQ13
V
SS
DQS10
DQS10#
V
SS
NC
NC
V
SS
DQ14
DQ15
V
SS
DQ20
DQ21
V
SS
DQS11
DQS11#
V
SS
DQ22
DQ23
V
SS
DQ28
DQ29
V
SS
DQS12
DQS12#
V
SS
DQ30
DQ31
V
SS
CB4
CB5
V
SS
DQS17
DQS17#
V
SS
CB6
CB7
V
SS
V
CCQ
CKE1
V
CC
NC
NC
V
CCQ
A12
A9
V
CC
A8
A6
PIN号
181
182
183
184
185
186
187
188
189
190
191
192
193
194
195
196
197
198
199
200
201
202
203
204
205
206
207
208
209
210
211
212
213
214
215
216
217
218
219
220
221
222
223
224
225
226
227
228
229
230
231
232
233
234
235
236
237
238
239
240
符号
V
CCQ
A3
A1
V
CC
CK0
CK0#
V
CC
A0
V
CC
BA1
V
CCQ
RAS ＃
S0#
V
CCQ
ODT0
A13
V
CC
V
SS
DQ36
DQ37
V
SS
DQS13
DQS13#
V
SS
DQ38
DQ39
V
SS
DQ44
DQ45
V
SS
DQS14
DQS14#
V
SS
DQ46
DQ47
V
SS
DQ52
DQ53
V
SS
NC
NC
V
SS
DQS15
DQS15#
V
SS
DQ54
DQ55
V
SS
DQ60
DQ61
V
SS
DQS16
DQS16#
V
SS
DQ62
DQ63
V
SS
V
CC
SPD
SA0
SA1
2
WV3HG2128M72AER-D6
高级*
引脚名称
引脚名称
A0-A13
BA0,BA1
DQ0-DQ63
CB0-CB7
DQS0-DQS17
DQS0#-DQS17#
ODT0 ， ODT1
CK0,CK0#
CKE0 ， CKE1
CS0 ＃ ， CSI ＃
RAS ＃
CAS ＃
WE＃
SA0-SA2
V
CC
V
CCQ
V
SS
A10/AP
V
REF
V
CC
SPD
NC
功能
地址输入
SDRAM行地址
数据输入/输出
校验位
数据选通信号
数据选通信号的补
片上终端控制
时钟输入端，正线
时钟使能
芯片选择
行地址选通
列地址选通
写使能
SPD地址
内核和I / O电源（ 1.8V ）
I / O电源（ 1.8V ）
地
地址输入/ Autoprecharge
输入/输出参考
SPD电源
备用针，无连接
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怀特电子设计
WV3HG2128M72AER-D6
高级*
功能框图
V
SS
RCS1#
RCS0#
DQS0
DQS0#
DQD
DQ1
DQ2
DQ3
DQS1
DQS1#
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQS2
DQS2#
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQS3
DQS3#
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQS4
DQS4#
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQS5
DQS5#
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQS6
DQS6#
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQS7
DQS7#
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQS8
DQS8#
CB0
CB1
CB2
CB3
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
CS ＃ DQS DQS ＃
CB4
CB5
CB6
CB7
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
CS ＃ DQS DQS ＃
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
DQS17
DQ17#
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
CS ＃ DQS DQS ＃
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DQS16
DQ16#
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
CS ＃ DQS DQS ＃
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DQS15
DQ15#
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
CS ＃ DQS DQS ＃
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQS14
DQS14#
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
CS ＃ DQS DQS ＃
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DQS13
DQS13#
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
CS ＃ DQS DQS ＃
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQS12
DQS12#
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
CS ＃ DQS DQS ＃
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQS11
DQS11#
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
CS ＃ DQS DQS ＃
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQS10
DQS10#
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
CS ＃ DQS DQS ＃
DQS9
DQS9#
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
CS ＃ DQS DQS ＃
CS0#
CS1#
BA0 - BA1
A0 - A13
RAS ＃
CAS ＃
WE＃
CKE0
CKE1
ODT0
ODT1
RESET＃
PCK7
PCK7#
1:4
R
E
G
I
S
T
E
R
RST ＃
RCS0#
RCS1#
CS ＃ ： DDR2 SDRAM芯片
CS ＃ ： DDR2 SDRAM芯片
BA0 - BA1 ： DDR2 SDRAM芯片
A0 - A13 ： DDR2 SDRAM芯片
SCL
串行PD
SDA
WP A0
A1
A2
V
CCSPD
V
CC
/V
CCQ
V
REF
串行PD
DDR2 SDRAM芯片
DDR2 SDRAM芯片
DDR2 SDRAM芯片
RBA0-RBA1#
RA0-RA13
RRAS ＃
RCAS ＃
RWE ＃
RCKE0
RCKE1
RODT0
RODT1
RAS ＃ ： DDR2 SDRAM芯片
CAS ＃ ： DDR2 SDRAM芯片
WE＃ ： DDR2 SDRAM芯片
CKE ： DDR2 SDRAM芯片
CKE ： DDR2 SDRAM芯片
DDR2 SDRAM芯片
DDR2 SDRAM芯片
CK0#
RESET＃
CK0
SA0 SA1 SA2
V
SS
P
L
L
OE
PCK0 - PCK6 ， PCK8 ， PCK9
CK ： DDR2 SDRAM芯片
CK ＃ ： DDR2 SDRAM芯片
PCK0 ＃ -PCK6 ＃ ， PCK8 ＃ ， PCK9 ＃
PCK7
CK ：注册
PCK7#
CK ＃ ：注册
注：所有电阻值是22欧姆，除非另有规定ED 。
九月
2005年修订版0
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怀特电子设计
参考V所有电压
SS
参数
电源电压
I / O电源电压
V
CCL
电源电压
I / O参考电压
I / O终端电压
符号
V
CC
V
CCQ
V
CCL
V
REF
V
TT
民
1 .7
1 .7
1 .7
0.49 x垂直
CCQ
V
REF
-0.04
典型
1 .8
1 .8
1 .8
0.50 x垂直
CCQ
V
REF
WV3HG2128M72AER-D6
高级*
直流工作条件
最大
1 .9
1 .9
1 .9
0.51 x垂直
CCQ
V
REF
+ 0.04
单位
V
V
V
V
V
笔记
1
4
4
2
3
注意事项：
1. V
CC
V
CCQ
必须跟踪对方。 V
CCQ
必须小于或等于V
CC
.
2. V
REF
预计相当于V
CCQ
/发送装置2和跟踪变化的相同的DC电平。峰 - 峰值的V噪音
REF
不得超过直流±1 ％的
值。在V峰至峰AC噪音
REF
不得超过Ⅴ的±2 ％的
REF
。该测定是将要采取在最接近V
REF
旁路电容。
3. V
TT
不直接向设备施加。 V
TT
是预期的系统供给的信号终止电阻器，被设置等于V
REF
并且必须跟踪变化为V的DC电平
REF
.
4. V
CCQ
与V轨道
CC
; V
CCL
跟踪与V
CC
.
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
CCQ
V
CCL
V
IN
, V
OUT
T
英镑
参数
在V电压
CC
引脚相对于V
SS
在V电压
CCQ
引脚相对于V
SS
在V电压
CCL
引脚相对于V
SS
任何引脚相对于V电压
SS
储存温度
输入漏电流;任何输入0V<V
IN
＆ LT ; V
CC
; V
REF
输入
0V<V
IN
<0.95V ;其它引脚没有被测= 0V
输出漏电流;
0V<V
OUT
＆ LT ; V
CCQ
; DQS和ODT是禁用
V
REF
漏电流; V
REF
=有效V
REF
水平
命令/地址，
RAS ＃ ， CAS ＃ ， WE＃ ，
CS ＃ ， CKE
CK ， CK ＃
DM
DQ ， DQS ， DQS ＃
民
-1.0
-0.5
-0.5
-0.5
-55
最大
2.3
2.3
2.3
2.3
100
ü尼特
V
V
V
V
°C
I
L
-5
5
uA
I
OZ
I
VREF
-10
-72
-10
72
uA
uA
电容
TA = 25 ° C，F = 1MHz时， V
CC =
V
CCQ =
1.8V
参数
输入电容（ A0 A1 3 ， BA0 BA1 ， RAS ＃ ， CAS ＃ ， WE＃ ）
输入电容（ CKE0 ， CKE1 ），（ ODT0 ， ODT1 ）
输入电容（ CS0 ＃ ， CS1 ＃ ）
输入电容（ CK0 ， CK0 ＃ ）
输入电容（ DQS0 DQS8 ）
输入电容（ DQ0 DQ63 ） ， （ CB0 CB7 ）
符号
C
IN1
C
IN2
C
IN3
C
IN4
C
IN5
C
OUT1
民
9
9
14
6
9
9
最大
11
11
18
7
12
12
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
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WV3HG2128M72AER-D6
高级*
工作温度条件
参数
工作温度
符号
T
OPER
等级
0到85
单位
°C
笔记
1, 2
注意事项：
1.工作温度是在DRAM中心/顶侧的情况下表面温度。为测量条件，请参阅JEDEC JESD51 0.2
2.在0 - 85°C ，工作温度范围内，所有的DRAM特定连接的阳离子将得到支持。
直流输入逻辑电平
参考V所有电压
SS
参数
输入高电平（逻辑1 ）电压
输入低电平（逻辑0 ）电压
符号
V
IH
（DC）的
V
IL
（DC）的
民
V
REF
+ 0.1 25
-0.300
最大
V
REF
+ 0.300
V
REF
- 0.125
单位
V
V
AC输入逻辑电平
参考V所有电压
SS
参数
AC输入高电平（逻辑1 ）电压
AC输入低电平（逻辑0 ）电压DDR2-400 & DDR2-533
符号
V
IH
（AC）的
V
IL
（AC）的
民
V
REF
+ 0.250
—
最大
—
V
REF
- 0.250
单位
V
V
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