怀特电子设计
WV3HG128M72AER-AD6
高级*
1GB - 128Mx72 DDR2 SDRAM RDIMM ， VLP
特点
VLP （非常低廓线） 240针，双列直插式存储器
模块
快速数据传输率： PC2-6400 * ， PC2-5300 * ，
PC2-4300和PC2-3200
采用800 * ， 667 * ， 533和400 Mb / s的DDR2
SDRAM组件
V
CC
= V
CCQ
= 1.8V
JEDEC标准的1.8V的I / O（ SSTL_18兼容）
差分数据选通（ DQS ， DQS ＃ ）选项
四位预取架构
DLL对齐DQ和DQS转换与CK
多个内部器件银行并发
手术
支持重复的输出选通（ RDQS / RDQS ＃ ）
可编程CAS＃延迟（CL） ： 3，4， 5 * 6 *
可调节的数据输出驱动强度
片上端接（ ODT ）
发布于CAS＃延迟：0， 1，2， 3和4
串行存在检测（ SPD ）与EEPROM
汽车&self刷新（ 64毫秒： 8,192循环刷新）
金缘接触
符合RoHS
封装选项
240针DIMM VLP
PCB - 18.29毫米（ 0.720" ）最大
描述
该WV3HG128M72AER是128Mx72双倍数据速率
DDR2 SDRAM高密度模块。此内存模块
由18 128Mx4位有4个DDR2银行
同步DRAM的FBGA封装，安装在
VLP 240针DIMM FR4基板。
*本产品正在开发中，是不是对外贸易资质网络编辑或特点，并须
更改或取消，恕不另行通知。
注：可用性咨询工厂：
供应商源控制选项
工业温度选项
工作频率
PC2-3200
时钟速度
CL -T
RCD
-t
RP
*咨询工厂的可用性
PC2-4300
266MHz
4-4-4
PC2-5300*
333MHz
5-5-5
PC2-6400*
400MHz
6-6-6
200MHz
3-3-3
2005年3月
第1版
1
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怀特电子设计
引脚配置
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
符号
V
REF
V
SS
DQ0
DQ1
V
SS
DQS0#
DQS0
V
SS
DQ2
DQ3
V
SS
DQ8
DQ9
V
SS
DQS1#
DQS1
V
SS
RESET＃
NC
V
SS
DQ10
DQ11
V
SS
DQ16
DQ17
V
SS
DQS2#
DQS2
V
SS
DQ18
DQ19
V
SS
DQ24
DQ25
V
SS
DQS3#
DQS3
V
SS
DQ26
DQ27
V
SS
CB0
CB1
V
SS
DQS8#
DQS8
V
SS
CB2
CB3
V
SS
V
CCQ
CKE0
V
CC
NC
NC
V
CCQ
A11
A7
V
CC
A5
PIN号
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
符号
A4
V
CCQ
A2
V
CC
V
SS
V
SS
V
CC
NC
V
CC
A10/AP
BA0
V
CCQ
WE＃
CAS ＃
V
CCQ
NC
NC
V
CCQ
V
SS
DQ32
DQ33
V
SS
DQS4#
DQS4
V
SS
DQ34
DQ35
V
SS
DQ40
DQ41
V
SS
DQS5#
DQS5
V
SS
DQ42
DQ43
V
SS
DQ48
DQ49
V
SS
SA2
NC
V
SS
DQS6#
DQS6
V
SS
DQ50
DQ51
V
SS
DQ56
DQ57
V
SS
DQS7#
DQS7
V
SS
DQ58
DQ59
V
SS
SDA
SCL
PIN号
121
122
123
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
169
170
171
172
173
174
175
176
177
178
179
180
符号
V
SS
DQ4
DQ5
V
SS
DM0/DQS9
NC/DQS9#
V
SS
DQ6
DQ7
V
SS
DQ12
DQ13
V
SS
DM1/DQS10
NC/DQS10#
V
SS
NC
NC
V
SS
DQ14
DQ15
V
SS
DQ20
DQ21
V
SS
DM2/DQS11
NC/DQS11#
V
SS
DQ22
DQ23
V
SS
DQ28
DQ29
V
SS
DM3/DQS12
NC/DQS12#
V
SS
DQ30
DQ31
V
SS
CB4
CB5
V
SS
DM8/DQS17
NC/DQS17#
V
SS
CB6
CB7
V
SS
V
CCQ
NC
V
CC
NC
NC
V
CCQ
A12
A9
V
CC
A8
A6
PIN号
181
182
183
184
185
186
187
188
189
190
191
192
193
194
195
196
197
198
199
200
201
202
203
204
205
206
207
208
209
210
211
212
213
214
215
216
217
218
219
220
221
222
223
224
225
226
227
228
229
230
231
232
233
234
235
236
237
238
239
240
符号
V
CCQ
A3
A1
V
CC
CK0
CK0#
V
CC
A0
V
CC
BA1
V
CCQ
RAS ＃
S0#
V
CCQ
ODT0
A13
V
CC
V
SS
DQ36
DQ37
V
SS
DM4/DQS13
NC/DQS13#
V
SS
DQ38
DQ39
V
SS
DQ44
DQ45
V
SS
DM5/14
NC/DQS14#
V
SS
DQ46
DQ47
V
SS
DQ52
DQ53
V
SS
NC
NC
V
SS
DM6/DQS15
NC/DQS15#
V
SS
DQ54
DQ55
V
SS
DQ60
DQ61
V
SS
DM7/DQS16
NC/DQS16#
V
SS
DQ62
DQ63
V
SS
V
CC
SPD
SA0
SA1
2
WV3HG128M72AER-AD6
先进
引脚名称
引脚名称
CK0,CK0#
CKE0
CB0-CB7
RAS ＃
CAS ＃
WE＃
S0#
A0-A13
BA0,BA1
ODT0
SCL
SDA
SA0-SA2
DQ0-DQ63
DM0-DM8
DQS0-DQS17
DQS0#-DQS17#
V
CC,
V
CCQ
V
SS
V
REF
V
CC
SPD
NC
RESET＃
功能
时钟输入
时钟使能
校验位
行地址选通
列地址选通
写使能
芯片选择
地址输入
SDRAM行地址
片上终端控制
SPD时钟输入
SPD数据输入/输出
SPD地址
数据输入/输出
数据口罩
数据选通信号
数据选通信号的补
内核和I / O电源
地
输入/输出参考
SPD电源
无连接
复位输入
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怀特电子设计
WV3HG128M72AER-AD6
先进
功能框图
V
SS
RS0#
DQS0
DQS0#
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQS1
DQS1#
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQS2
DQS2#
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQS3
DQS3#
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQS4
DQS4#
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQS5
DQS5#
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQS6
DQS6#
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQS7
DQS7#
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQS8
DQS8#
CB0
CB1
CB2
CB3
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
CS ＃ DQS DQS ＃
CB4
CB5
CB6
CB7
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
CS ＃ DQS DQS ＃
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
DM8/DQS17
NC/DQS17#
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
CS ＃ DQS DQS ＃
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DM7/DQS16
NC/DQS16#
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
CS ＃ DQS DQS ＃
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DM6/DQS15
NC/DQS15#
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
CS ＃ DQS DQS ＃
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DM5/DQS14
NC/DQS14#
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
CS ＃ DQS DQS ＃
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DM4/DQS13
NC/DQS13#
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
CS ＃ DQS DQS ＃
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DM3/DQS12
NC/DQS12#
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
CS ＃ DQS DQS ＃
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DM2/DQS11
NC/DQS11#
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
CS ＃ DQS DQS ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
CS ＃ DQS DQS ＃
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DM1/DQS10
NC/DQS10#
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
CS ＃ DQS DQS ＃
DM0/DQS9
NC/DQS9#
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
CS ＃ DQS DQS ＃
串行PD
SCL
WP A0
A1
A2
SDA
SA0 SA1 SA2
V
CCSPD
V
CC
/V
CCQ
V
REF
V
SS
串行PD
DDR2 SDRAM芯片
DDR2 SDRAM芯片
DDR2 SDRAM芯片
S0#
BA0 - BA1
A0 - A13
RAS ＃
CAS ＃
WE＃
CKE0
ODT0
RESET＃
PCK7
PCK7#
1:2
R
E
G
I
S
T
E
R
RST ＃
CK0
RS0 ＃ ： DDR2 SDRAM芯片
RBA0 - RBA1 ： DDR2 SDRAM芯片
RA0 - RA13 ： DDR2 SDRAM芯片
RRAS ＃ ： DDR2 SDRAM芯片
RCAS ＃ ： DDR2 SDRAM芯片
RWE ＃ ： DDR2 SDRAM芯片
RCKE0 ： DDR2 SDRAM芯片
RODT0 ： DDR2 SDRAM芯片
CK0#
RESET＃
P
L
L
OE
PCK0 - PCK6 ， PCK8 ， PCK9
CK ： DDR2 SDRAM芯片
CK ＃ ： DDR2 SDRAM芯片
PCK0 ＃ -PCK6 ＃ ， PCK8 ＃ ， PCK9 ＃
PCK7
CK ：注册
PCK7#
CK ＃ ：注册
注：所有电阻值是22欧姆，除非另有规定ED 。
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怀特电子设计
参考V所有电压
SS
参数
电源电压
I / O参考电压
I / O终端电压
SPD电源电压
符号
V
CC
V
REF
V
TT
V
CCSPD
民
1.7
0.49 x垂直
CC
V
REF
-0.04
1.7
典型
1.8
0.50 x垂直
CC
V
REF
-
WV3HG128M72AER-AD6
先进
直流工作条件
最大
1.9
0.51 x垂直
CC
V
REF
+0.04
3.6
单位
V
V
V
V
笔记
3
1
2
注意事项：
1
V
REF
预计相当于V
CC/2
发送装置和跟踪变化的相同的DC电平。峰 - 峰值噪声
V
REF
不得超过的+/- 1 ％的
直流值。在V峰至峰AC噪音
REF
不得超过V的+/- 2％
REF
。该测定是将要采取在最接近V
REF
旁路电容。
2. V
TT
不直接向设备施加。 V
TT
是预期的系统供给的信号终止电阻器，被设置等于V
REF
并且必须跟踪变化为V的DC电平
REF
.
3. V
CCQ
所有集成电路都连接到V
CC
.
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
IN
, V
OUT
T
英镑
参数
在V电压
CC
引脚相对于V
SS
任何引脚相对于V电压
SS
储存温度
命令/地址，
RAS ＃ ， CAS ＃ ， WE＃ ，
CK ， CK ＃
DM
I
OZ
I
VREF
PD
输出漏电流; 0V<V
IN
＆ LT ; V
CC
; DQS和ODT是禁用
V
REF
漏电流; V
REF
=有效V
REF
水平
电源dissipaion
DQ ， DQS ， DQS ＃
民
-0.5
-0.5
-55
-5
-10
-2
-5
-36
18
最大
2.3
2.3
100
5
10
2
5
36
单位
V
V
°C
A
A
A
A
A
W
I
L
输入漏电流;任何输入0V<V
IN
＆ LT ; V
CC
; V
REF
输入
0V,V
IN
， 0.95V ;其它引脚没有被测= 0V
电容
T
A
= 25 ° C，F = 100MHz时，V
CC
= V
CCQ
= 1.8V
参数
输入电容： CK ， CK ＃
输入电容： CKE ， CS ＃
输入电容：地址。 RAS ＃ ， CAS ＃ ， WE＃
输入/输出电容： DQ ， DQS ， DM ， DQS ＃
注：根据
三星
组件
符号
CCK
CI
1
CI
2
CI
O
最大
11
12
12
10
单位
pF
pF
pF
pF
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先进
工作温度条件
参数
工作温度（商业）
符号
豪饮者
等级
0到+ 85C
单位
°C
笔记
1, 2
注意：
1.工作温度是在DRAM中心/顶侧的情况下表面温度。为测量条件，请参阅JEDEC JESD51.2
2.在0 - 85
° C，工作温度范围，所有的DRAM特定网络连接的阳离子会得到支持。
直流输入逻辑电平
参考V所有电压
SS
参数
输入高电平（逻辑1 ）电压
输入高电平（逻辑0 ）电压
符号
V
IH
（DC）的
V
IL
（DC）的
民
V
REF
+ 0.125
-0.300
最大
V
CC
+ 0.300
V
REF
- 0.125
单位
V
V
AC输入逻辑电平
参考V所有电压
SS
参数
AC输入高电平（逻辑1 ）电压
AC输入高电平（逻辑0 ）电压
符号
V
IH
（AC）的
V
IL
（AC）的
民
V
REF
+ 0.250
-
最大
-
V
REF
- 0.250
单位
V
V
输入/输出电容
TA = 25 ° C，F = 100MHz的
参数
输入电容（ 0A A13 ， BA0 BA1 ，
RAS ＃ ， CAS ＃ ， WE＃ ）
输入电容（ CKE0 ），（ ODT0 ）
输入电容（ CS0 ＃ ）
输入电容（ CK0 ， CK0 ＃ ）
输入电容（ DQS0 DQS17 ，
DQS0 ＃ DQS17 ＃ ）
输入电容（ DQ0 DQ63 ）
(CB0~CB7)
注：根据
尔必达
组件
符号
C
IN
1
C
IN
2
C
IN
3
C
IN
4
C
IN
5 (534, 403)
C
OUT
1 (534, 403)
民
6.5
6.5
6.5
6
6.5
6.5
最大
7.5
7.5
7.5
7
8
8
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
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第1版
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