怀特电子设计
WV3EG6437S-D4
高级*
256MB - 2x16Mx64 DDR SDRAM SO- DIMM ，无缓冲
特点
无缓冲双数据速率架构
DDR300和DDR400
JEDEC设计规范网络阳离子
双向数据选通（ DQS）
差分时钟输入（ CK & CK ＃ ）
可编程只读延迟2.5 ， 3
可编程的突发长度（ 2,4,8 ）
可编程突发类型（顺序&交错）
边沿对齐的数据输出，居中对齐数据输入
汽车和自刷新（ 8K / 64ms的刷新）
串行存在检测与EEPROM
双列
电源： V
CC
= V
CC
： 2.5V ± 0.2V （ DDR300 ）
V
CC
= V
CCQ
： 2.6V ± 0.1V （ DDR400 ）
JEDEC标准的200针SO-DIMM封装
封装高度选项：
D4 ： 31.75毫米（ 1.25" ） TYP
注：可用性咨询工厂：
符合RoHS标准的产品
供应商源控制选项
工业温度选项
*本产品正在开发中，是不是对外贸易资质网络编辑或特点，并须
更改，恕不另行通知。
描述
该WV3EG6437S是2x16Mx64双倍数据速率
基于256Mb的DDR SDRAM SDRAM内存模块
组件。该模块由8 16Mx16 DDR
安装在一个200引脚的66引脚TSOP封装的SDRAM
FR4基板上。
工作频率
DDR400@CL=3
时钟速度
CL -T
RCD
-t
RP
200MHz
3-3-3
DDR333@CL=2.5
166MHz
2.5-3-3
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1
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怀特电子设计
销刀豆网络gurations
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
符号
V
REF
V
REF
V
SS
V
SS
DQ0
DQ4
DQ1
DQ5
V
CC
V
CC
DQS0
DM0
DQ2
DQ6
V
SS
V
SS
DQ3
DQ7
DQ8
DQ12
V
CC
V
CC
DQ9
DQ13
DQS1
DM1
V
SS
V
SS
DQ10
DQ14
DQ11
DQ15
V
CC
V
CC
CK0
V
CC
CK0#
V
SS
V
SS
V
SS
DQ16
DQ20
DQ17
DQ21
V
CC
V
CC
DQS2
DM2
DQ18
DQ22
针
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
符号
V
SS
V
SS
DQ19
DQ23
DQ24
DQ28
V
CC
V
CC
DQ25
DQ29
DQS3
DM3
V
SS
V
SS
DQ26
DQ30
DQ27
DQ31
V
CC
V
CC
NC
NC
NC
NC
V
SS
V
SS
NC
NC
NC
NC
V
CC
V
CC
NC
NC
NC
NC
V
SS
V
SS
NC
V
SS
NC
V
CC
V
CC
V
CC
CKE1
CKE0
NC
NC
A12
A11
针
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
符号
A9
A8
V
SS
V
SS
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
V
CC
V
CC
A10
BA1
BA0
RAS ＃
WE＃
CAS ＃
CS0#
CS1#
NC
NC
V
SS
V
SS
DQ32
DQ36
DQ33
DQ37
V
CC
V
CC
DQS4
DM4
DQ34
DQ38
V
SS
V
SS
DQ35
DQ39
DQ40
DQ44
V
CC
V
CC
DQ41
DQ45
DQS5
DM5
V
SS
V
SS
针
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
169
170
171
172
173
174
175
176
177
178
179
180
181
182
183
184
185
186
187
188
189
190
191
192
193
194
195
196
197
198
199
200
符号
DQ42
DQ46
DQ43
DQ47
V
CC
V
CC
V
CC
CK1#
V
SS
CK1
V
SS
V
SS
DQ48
DQ52
DQ49
DQ53
V
CC
V
CC
DQS6
DM6
DQ50
DQ54
V
SS
V
SS
DQ51
DQ55
DQ56
DQ60
V
CC
V
CC
DQ57
DQ61
DQS7
DM7
V
SS
V
SS
DQ58
DQ62
DQ59
DQ63
V
CC
V
CC
SDA
SA0
SCL
SA1
V
CCSPD
SA2
NC
NC
WV3EG6437S-D4
先进
引脚名称
A0 – A12
BA0-BA1
DQ0-DQ63
DQS0-DQS7
CK0 ， CK1
CK0 ＃ ， ＃ CK1
CKE0 ， CKE1
CS0 ＃ ， CS1 ＃
RAS ＃
CAS ＃
WE＃
DM0-DM7
V
CC
V
SS
V
REF
V
CCSPD
SDA
SCL
SA0-SA2
NC
地址输入
银行选择地址
数据输入/输出
数据选通输入/输出
时钟输入
时钟使能输入
片选输入
行地址选通
列地址选通
写使能
数据屏蔽
电源
地
基准电源
串行EEPROM电源
串行数据I / O
SPD时钟输入
SPD地址
无连接
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功能框图
WV3EG6437S-D4
先进
CS1#
CS0#
DQS0
DM0
LDQS
LDM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
UDQS
UDQM
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
CS ＃
LDQS
LDM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
UDQS
UDQM
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
CS ＃
DQS1
DM1
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQS4
DM4
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQS5
DM5
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
LDQS
LDM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
UDQS
UDQM
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
CS ＃
LDQS
LDM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
UDQS
UDQM
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
CS ＃
DQS2
DM2
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQS3
DM3
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
LDQS
LDM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
UDQS
UDQM
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
CS ＃
LDQS
LDM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
UDQS
UDQM
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
CS ＃
DQS6
DM6
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DQS7
DM7
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
LDQS
LDM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
UDQS
UDQM
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
CS ＃
LDQS
LDM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
UDQS
UDQM
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
CS ＃
DDR SDRAM的
DDR SDRAM的
时钟布线
时钟
输入
CK0/CK0#
CK1/CK1#
4 SDRAM的
4 SDRAM的
CK0/1
CK0/1#
DDR SDRAM的
DDR SDRAM的
R=120
BA0 ， BA1
A0-A12
RAS ＃
CAS ＃
CKE0
WE＃
CKE1
BA0 ， BA1 ： DDR SDRAM的
A0 - A12 ： DDR SDRAM的
RAS ＃ ： DDR SDRAM的
CAS ＃ ： DDR SDRAM的
CKE0 ： DDR SDRAM的
WE＃ ： DDR SDRAM的
CKE1 ： DDR SDRAM的
SCL
串行PD
SDA
WP A0 A1 A2
SA0 SA1 SA2
V
CCSPD
V
CC
V
REF
V
SS
SPD
DDR SDRAM的
DDR SDRAM的
DDR SDRAM的
注：所有电阻值是22欧姆± 5 ％，除非另有规定ED 。
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绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
储存温度
工作温度
功耗
短路电流
注意：
如果"ABSOLUTE最大RATINGS"超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
WV3EG6437S-D4
先进
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
, V
CCQ
T
英镑
T
A
P
D
I
OS
价值
-0.5到3.6
-0.5到3.6
-55到+150
0 - 70
8
50
单位
V
V
°C
°C
W
mA
DC特性
0°C
≤
T
A
≤
70°C
参数
电源电压DDR333
I / O电源电压DDR333
电源电压DDR400
I / O电源电压DDR400
I / O参考电压
I / O终端电压
输入逻辑高电压
输入逻辑低电压
输入电压电平， CK和CK ＃
输入差分电压， CK和CK ＃
输入交叉点电压， CK和CK ＃
地址， CAS＃ ， RAS ＃ ， WE＃
输入漏电流
CS ＃ ， CKE
CK ， CK ＃
DM
输出电流Leackage
输出高的近况（普通强度）
V
OUT
= V
TT
+ 0.84V
输出高的近况（普通强度）
V
OUT
= V
TT
- 0.84V
输出高的近况（半强度）
V
OUT
= V
TT
+ 0.45V
输出高的近况（半强度）
V
OUT
= V
TT
- 0.45V
DQ ， DQS
I
OZ
I
OH
I
OL
I
OH
I
OL
I
I
符号
V
CC
V
CCQ
V
CC
V
CCQ
V
REF
V
TT
V
IH（ DC）的
V
IL （ DC ）
V
IN（直流）
V
的ID （DC）的
V
IX（ DC ）
民
2.3
2.3
2.5
2.5
0.49 + V
CC
V
REF
- 0.04
V
REF
+ 0.15
-0.3
-0.3
0.36
0.3
-16
-8
-8
-4
-10
-16.8
16.8
-9
9
最大
2.7
2.7
2.7
2.7
0.51 + V
CC
V
REF
+ 0.04
V
CC
+ 0.30
V
REF
- 0.15
V
CC
+ 0.30
V
CC
+ 0.60
V
CC
+ 0.60
16
8
8
4
10
-
-
-
-
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
A
mA
mA
mA
mA
注意事项：
1. V
REF
预计相当于0.5 * V
CCQ
发送装置和跟踪变化的相同的DC电平。峰 - 峰值的V噪音
REF
不得超过的+/- 2％
直流值。
2. V
TT
在SOT直接施加到该设备。 V
TT
是预期的系统供给的信号终止电阻器，被设置等于V
REF
并且必须跟踪变化为V的DC电平
REF
.
3. V
ID
是在CK上的输入电平与CK＃的输入电平之间的差的量值。
4. V
CCQ
所有IC的都是资讯科技教育到V
CC
.
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交流工作条件
参考V所有电压
SS
参数
输入高（ Logic1 ）电压
输入低电平（ Logic0 ）电压
输入差分电压， CK和CK ＃输入
输入交叉点电压， CK和CK ＃输入
注意事项：
WV3EG6437S-D4
先进
符号
V
IH （AC）的
V
白细胞介素（AC）的
V
的ID （AC）的
V
IX（ AC）
分钟。
V
REF
+ 0.31
马克斯。
V
REF
- 0.31
单位
V
V
V
V
笔记
1
1
0.7
0.5*V
CC
- 0.2
V
CCQ
+ 0.6
0.5*V
CC
+ 0.2
1.
V
IH
过冲： V
IN
= V
CC
+ 1.5V的脉冲宽度
≤
为3ns的脉冲不能大于1/3的周期率。
V
IL
冲： V
IL
= -1.5V的脉冲宽度
≤
为3ns的脉冲不能大于1/3的周期率。
输入/输出电容
T
A
= 25 ° C，F = 100MHz的
参数
输入电容（ A0 A12 ， BA0 BA1 ， RAS ＃ ， CAS ＃ ， WE＃ ）
输入电容（ CKE0 ， CKE1 ）
输入电容（ CS0 ＃ ， CS1 ＃ ）
输入电容CK ， CK0 ＃ ， CK1 ， CK1 ＃ ）
输入电容（ DM0 DM7 ） ， （ DQS0 DQS7 ）
输入电容（ DQ0 DQ63 ）
符号
C
IN1
C
IN2
C
IN3
C
IN4
C
IN5
C
OUT1
民
20
12
12
12
12
12
最大
28
16
16
16
14
14
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
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