怀特电子设计
WV3EG264M64EFSU-D4
初步*
1GB - 2x64Mx64 DDR SDRAM UNBUFFERED
特点
PC2700 CL2.5 @
双倍数据速率架构
双向数据选通（ DQS）
差分时钟输入（ CK & CK ＃ ）
可编程只读延迟2,2.5 （时钟）
可编程的突发长度（ 2,4,8 ）
可编程突发类型（顺序&交错）
汽车和自刷新（ 8K / 64ms的刷新）
串行存在检测
电源： V
CC
/V
CCQ
: 2.5V ± 0.2V
双列
标准的200针SO-DIMM封装
封装高度选项：
D4 ： 31.75毫米（ 1.25“ ）
注：可用性咨询工厂：
符合RoHS标准的产品
供应商源控制选项
工业温度选项
*本产品正在开发中，是不是对外贸易资质网络编辑或特点，并须
更改，恕不另行通知。
描述
该WV3EG264M64EFSU是2x64Mx64双数据
基于512Mb的DDR SDRAM速度的内存模块
SDRAM部分。该模块由16
64Mx8位与FBGA封装4银行的DDR SDRAM
装一个200引脚的FR4基板上。
同步设计允许与精确的周期控制
使用系统时钟。数据I / O事务是可能的
两边缘和突发长度允许在同一个设备要
对于各种高带宽是有用的，高性能
存储器系统的应用程序。
工作频率
DDR333 @ CL = 2.5
时钟速度
CL -T
RCD
-t
RP
166MHz
2.5-3-3
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怀特电子设计
引脚配置
针＃
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
SYMBOL PIN ＃
V
REF
51
V
REF
52
53
V
SS
V
SS
54
DQ0
55
DQ4
56
DQ1
57
DQ5
58
59
V
CC
V
CC
60
DQS0
61
DM0
62
DQ2
63
DQ6
64
65
V
SS
V
SS
66
DQ3
67
DQ7
68
DQ8
69
DQ12
70
V
CC
71
72
V
CC
DQ9
73
DQ13
74
DQS1
75
DM1
76
V
SS
77
V
SS
78
DQ10
79
DQ14
80
DQ11
81
DQ15
82
V
CC
83
V
CC
84
CK0
85
V
CC
86
CK0#
87
V
SS
88
V
SS
89
V
SS
90
DQ16
91
DQ20
92
DQ17
93
DQ21
94
95
V
CC
V
CC
96
DQS2
97
DM2
98
DQ18
99
DQ22
100
SYMBOL PIN ＃
V
SS
101
V
SS
102
DQ19
103
DQ23
104
DQ24
105
DQ28
106
V
CC
107
V
CC
108
DQ25
109
DQ29
110
DQS3
111
DM3
112
V
SS
113
V
SS
114
DQ26
115
DQ30
116
DQ27
117
DQ31
118
V
CC
119
V
CC
120
NC
121
NC
122
NC
123
NC
124
V
SS
125
V
SS
126
NC
127
NC
128
NC
129
NC
130
V
CC
131
V
CC
132
NC
133
NC
134
NC
135
NC
136
V
SS
137
V
SS
138
NC
139
V
SS
140
NC
141
V
CC
142
V
CC
143
V
CC
144
CKE1
145
CKE0
146
NC
147
NC
148
A12
149
A11
150
SYMBOL PIN ＃
A9
151
A8
152
V
SS
153
V
SS
154
A7
155
A6
156
A5
157
A4
158
A3
159
A2
160
A1
161
A0
162
V
CC
163
V
CC
164
A10
165
BA1
166
BA0
167
RAS ＃
168
WE＃
169
CAS ＃
170
CS0#
171
CS1#
172
NC
173
NC
174
V
SS
175
V
SS
176
DQ32
177
DQ36
178
DQ33
179
DQ37
180
V
CC
181
V
CC
182
DQS4
183
DM4
184
DQ34
185
DQ38
186
V
SS
187
V
SS
188
DQ35
189
DQ39
190
DQ40
191
DQ44
192
V
CC
193
V
CC
194
DQ41
195
DQ45
196
DQS5
197
DM5
198
V
SS
199
V
SS
200
符号
DQ42
DQ46
DQ43
DQ47
V
CC
V
CC
V
CC
CK1#
V
SS
CK1
V
SS
V
SS
DQ48
DQ52
DQ49
DQ53
V
CC
V
CC
DQS6
DM6
DQ50
DQ54
V
SS
V
SS
DQ51
DQ55
DQ56
DQ60
V
CC
V
CC
DQ57
DQ61
DQS7
DM7
V
SS
V
SS
DQ58
DQ62
DQ59
DQ63
V
CC
V
CC
SDA
SA0
SCL
SA1
V
CCSPD
SA2
NC
NC
WV3EG264M64EFSU-D4
初步
引脚名称
A0-A12
BA0-BA1
DQ0-DQ63
DQS0-DQS7
CK0 ， CK0 ＃
CK1 ， CK1 ＃
CKE0 ， CKE1
CS0 ＃ ， CS1 ＃
RAS ＃
CAS ＃
WE＃
DM0-DM7
V
CC
V
CCQ
V
SS
V
REF
V
CCSPD
SDA
SCL
SA0-SA2
NC
地址输入（复用）
银行选择地址
数据输入/输出
数据选通输入/输出
时钟输入
时钟输入
时钟使能输入
片选输入
行地址选通
列地址选通
写使能
数据掩码
电源（ 2.5V ）
电源的DQS （ 2.5V ）
地
电源为参考
串行EEPROM电源
（ 2.3V至3.6V ）
串行数据I / O
串行时钟
地址在EEPROM
无连接
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初步
功能框图
CS1#
CS0#
DQS0
DM0
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
的DQ
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
S0#
的DQ
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
S1#
DQS4
DM4
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
的DQ
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
S0#
的DQ
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
S1#
DQS1
DM1
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
的DQ
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
S0#
的DQ
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
S1#
DQS5
DM5
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
的DQ
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
S0#
的DQ
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
S1#
DQS2
DM2
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
的DQ
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
S0#
的DQ
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
S1#
DQS6
DM6
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
的DQ
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
S0#
的DQ
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
S1#
DQS3
DM3
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
的DQ
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
S0#
的DQ
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
S1#
DQS7
DM7
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
的DQ
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
S0#
的DQ
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
S1#
BA0-BA1
A0-A12
RAS ＃
CAS ＃
WE＃
CKE0
CKE1
DDR SDRAM的
DDR SDRAM的
DDR SDRAM的
DDR SDRAM的
DDR SDRAM的
DDR SDRAM的
DDR SDRAM的
时钟布线
时钟
输入
CK0/CK0#
CK1/CK1#
SDRAM的
8 SDRAM的
8 SDRAM的
V
CCSPD
V
CC
/V
CCQ
V
REF
V
SS
SPD
SCL
DDR SDRAM的
DDR SDRAM的
DDR SDRAM的
WP
串行PD
SDA
A0
SA0
A1
SA1
A2
SA2
注：所有datalines通过一个22欧姆的串联电阻端接
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参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
在V电压
CCQ
供应相对于V
SS
储存温度
工作温度
功耗
短路电流
WV3EG264M64EFSU-D4
初步
绝对最大额定值
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
V
CCQ
T
英镑
T
A
P
D
I
OS
价值
-0.5到3.3
-1.0到3.6
-1.0到3.6
-55到+150
0至+70
16
50
单位
V
V
V
°C
°C
W
mA
注意：
如果绝对最大额定值超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
DC特性
0°C
≤
T
A
≤
70℃ ，V
CC
= 2.5V ± 0.2V
符号
V
CC
V
CCQ
V
REF
V
TT
V
IH
（DC）的
V
IL
（DC）的
V
IN
（DC）的
V
ID
（DC）的
V
IX
（DC）的
地址， CAS＃ ，
RAS ＃ ， WE＃
CS ＃ ， CKE
CK ， CK ＃
DM
参数
电源电压DDR266 / DDR333 （标称V
CC
2.5V的）
I / O电源电压DDR266 / DDR333 （标称V
CC
2.5V的）
I / O参考电压
I / O终端电压
输入逻辑高电压
输入逻辑低电压
输入电压电平， CK和CK ＃
输入差分电压， CK和CK ＃
输入交叉点电压， CK和CK ＃
民
2.3
2.3
0.49*V
CCQ
V
REF
-0.04
V
REF
+0.15
-0.3
-0.3
0.3
0.3
-32
-16
-16
-4
-10
-16.8
16.8
-9
9
最大
2.7
2.7
0.51*V
CCQ
V
REF
+0.04
V
CCQ
+0.30
V
REF
-0.15
V
CCQ
+0.30
V
CCQ
+0.60
V
CCQ
+0.60
32
16
16
4
10
—
—
—
—
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
uA
uA
uA
uA
uA
mA
mA
mA
mA
记
1
2
3
输入漏电流
I
I
输出漏电流
高输出电流（正常strengh ） ; V
OUT
= V +0.84V
高输出电流（正常strengh ） ; V
OUT
= V
TT
-0.84V
高输出电流（半strengh ） ; V
OUT
= V
TT
+0.45V
高输出电流（半strengh ） ; V
OUT
= V
TT
-0.45V
I
OZ
I
OH
I
OL
I
OH
I
OL
注意事项：
1. V
REF
预计是等于0.5 * V
CCQ
发送设备的，并跟踪变化的相同的DC电平。峰到峰的V噪音
REF
不得超过直流±2％
价值
2. V
TT
不直接向设备施加。 V
TT
是预期的系统供给的信号终止电阻器，被设置等于V
REF
的，必须跟踪变化为V的DC电平
REF
3. V
ID
是在CK上的输入电平，并在CK＃的输入电平之间的差的量值。
电容
V
CC
= 2.5V, V
CCQ
= 2.5V ，T
A
= 25 ° C，F = 1MHz的
参数
输入电容（ A0 - A12 ， BA0 - BA1 ， RAS ＃ ， CAS ＃ ， WE＃ ）
输入电容（ CKE0 ， CKE1 ）
输入电容（ CS0 ＃ ， CS1 ＃ ）
输入电容（ CK0 ， CK0 ＃ ， CK1 ， CK1 ＃ ）
输入电容（ DM0 - DM7 ）
数据和DQS输入/输出电容（ DQ0 - DQ63 ）
2005年8月
第0版
符号
C
IN1
C
IN2
C
IN3
C
IN4
C
IN5
C
OUT
民
28
16
16
16
11
11
最大
44
24
24
24
13
13
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
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怀特电子设计
参数/条件
输入高电平（逻辑1 ）电压
输入低电平（逻辑0 ）电压
输入差分电压， CK和CK ＃输入
输入交叉点电压， CK和CK ＃输入
符号
V
IH （AC）的
V
白细胞介素（AC）的
V
的ID （AC）的
V
IX（ AC）
民
V
REF
+0.31
0.7
0.5*V
CCQ
-0.2
WV3EG264M64EFSU-D4
初步
AC运行试验条件
最大
V
REF
-0.31
V
CCQ
+0.6
0.5*V
CCQ
+0.2
单位
V
V
V
V
记
1
1
注意事项：
1. V
IH
过冲： V
IH
= V
CCQ
+ 1.5V的脉冲宽度为3ns <和脉冲不能大于1/3的周期率。
V
IL
冲： V
IL
= -1.5V为一个脉冲宽度为3ns <和脉冲不能大于1/3的周期率。
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第0版
5
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