怀特电子设计
WV3EG232M64STSU-D4
初步*
512MB - 2x32Mx64 DDR SDRAM UNBUFFERED
特点
PC2700 CL2.5 @
双倍数据速率架构
双向数据选通（ DQS）
差分时钟输入（ CK & CK ＃ ）
可编程只读延迟2,2.5 （时钟）
可编程的突发长度（ 2,4,8 ）
可编程突发类型（顺序&交错）
汽车和自刷新（ 8K / 64ms的刷新）
串行存在检测与EEPROM
电源： V
CC
/V
CCQ
: 2.5V ± 0.20V
双列
标准的200针SO-DIMM封装
封装高度选项
D4 ： 31.75毫米（ 1.25" ）
注：可用性咨询工厂：
符合RoHS标准的产品
供应商源控制选项
工业温度选项
*本产品正在开发中，是不是对外贸易资质网络编辑或特点，并须
更改，恕不另行通知。
描述
该WV3EG232M64STSU是2x32Mx64双数据
基于512Mb的DDR SDRAM速度的内存模块
SDRAM部分。该模块由8 32Mx16
在66针装在一个TSOP封装的DDR SDRAM
200针FR4基板。
同步设计允许与精确的周期控制
使用系统时钟。数据1/0的交易是可能的
两边缘和突发长度允许在同一个设备要
对于各种高带宽是有用的，高性能
存储器系统的应用程序。
工作频率
DDR333@CL=2.5
时钟速度
CL -T
RCD
-t
RP
166MHz
2.5-3-3
怀特电子设计公司保留更改产品或特定网络阳离子，恕不另行通知。
2005年9月
第1版
1
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
怀特电子设计
引脚配置
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
符号
V
REF
V
REF
V
SS
V
SS
DQ0
DQ4
DQ1
DQ5
V
CC
V
CC
DQS0
DM0
DQ2
DQ6
V
SS
V
SS
DQ3
DQ7
DQ8
DQ12
V
CC
V
CC
DQ9
DQ13
DQS1
DM1
V
SS
V
SS
DQ10
DQ14
DQ11
DQ15
V
CC
V
CC
CK0
V
CC
CK0#
V
SS
V
SS
V
SS
DQ16
DQ20
DQ17
DQ21
V
CC
V
CC
DQS2
DM2
DQ18
DQ22
针
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
符号
V
SS
V
SS
DQ19
DQ23
DQ24
DQ28
V
CC
V
CC
DQ25
DQ29
DQS3
DM3
V
SS
V
SS
DQ26
DQ30
DQ27
DQ31
V
CC
V
CC
NC
NC
NC
NC
V
SS
V
SS
NC
NC
NC
NC
V
CC
V
CC
NC
NC
NC
NC
V
SS
V
SS
NC
V
SS
NC
V
CC
V
CC
V
CC
CKE1
CKE0
NC
NC
A12
A11
针
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
符号
A9
A8
V
SS
V
SS
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
V
CC
V
CC
A10/AP
BA1
BA0
RAS ＃
WE＃
CAS ＃
CS0#
CS1#
NC
NC
V
SS
V
SS
DQ32
DQ36
DQ33
DQ37
V
CC
V
CC
DQS4
DM4
DQ34
DQ38
V
SS
V
SS
DQ35
DQ39
DQ40
DQ44
V
CC
V
CC
DQ41
DQ45
DQS5
DM5
V
SS
V
SS
针
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
169
170
171
172
173
174
175
176
177
178
179
180
181
182
183
184
185
186
187
188
189
190
191
192
193
194
195
196
197
198
199
200
符号
DQ42
DQ46
DQ43
DQ47
V
CC
V
CC
V
CC
CK1#
V
SS
CK1
V
SS
V
SS
DQ48
DQ52
DQ49
DQ53
V
CC
V
CC
DQS6
DM6
DQ50
DQ54
V
SS
V
SS
DQ51
DQ55
DQ56
DQ60
V
CC
V
CC
DQ57
DQ61
DQS7
DM7
V
SS
V
SS
DQ58
DQ62
DQ59
DQ63
V
CC
V
CC
SDA
SA0
SCL
SA1
V
CC
SPD
SA2
NC
NC
2
WV3EG232M64STSU-D4
初步
引脚名称
AO -A12
BA0-BA1
DQO-DQ63
DQSO-DQS7
CK0 ， CK1
CK0 ＃ ， ＃ CK1
CKE0 ， CKE1
CS0 ＃ ， CS1 ＃
RAS ＃
CAS ＃
WE＃
DM0-DM7
V
CC
V
CCQ
V
SS
V
REF
V
CCSPD
SDA
SCL
SA0-SA2
NC
地址输入（复用）
银行SelectAddress
数据I NPUT /输出
数据选通输入/输出
时钟输入
时钟输入
时钟使能输入
片选输入
行地址选通
列地址选通
写使能
数据掩码
电源
电源的DQS
地
电源为参考
串行EEPROM电源
串行数据I / O
串行时钟
地址在EEPROM
无连接
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初步
功能框图
CS1#
CS0#
DQS0
DM0
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
LDQS
LDM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
UDQS
UDM
I / O 8
I / O 9
I / O 10
I / O 11
I / O 12
I / O 13
I / O 14
CS ＃
LDQS
LDM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
UDQS
UDM
I / O 8
I / O 9
I / O 10
I / O 11
I / O 12
I / O 13
I / O 14
CS ＃
DQS4
DM4
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
LDQS
LDM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
UDQS
UDM
I / O 8
I / O 9
I / O 10
I / O 11
I / O 12
I / O 13
I / O 14
CS ＃
LDQS
LDM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
UDQS
UDM
I / O 8
I / O 9
I / O 10
I / O 11
I / O 12
I / O 13
I / O 14
CS ＃
DQS1
DM1
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQS5
DM5
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQS2
DM2
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
LDQS
LDM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
UDQS
UDM
I / O 8
I / O 9
I / O 10
I / O 11
I / O 12
I / O 13
I / O 14
CS ＃
LDQS
LDM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
UDQS
UDM
I / O 8
I / O 9
I / O 10
I / O 11
I / O 12
I / O 13
I / O 14
CS ＃
DQS6
DM6
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
LDQS
LDM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
UDQS
UDM
I / O 8
I / O 9
I / O 10
I / O 11
I / O 12
I / O 13
I / O 14
CS ＃
LDQS
LDM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
UDQS
UDM
I / O 8
I / O 9
I / O 10
I / O 11
I / O 12
I / O 13
I / O 14
CS ＃
DQS3
DM3
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQS7
DM7
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
BA0 ， BA1
A0-A12
RAS ＃
CAS ＃
CKE0
CKE1
WE＃
BA0 ， BA1 ： DDR SDRAM的
A0 - A12 ： DDR SDRAM的
RAS ＃ ： DDR SDRAM的
CAS ＃ ： DDR SDRAM的
CKE0 ： DDR SDRAM的
CKE1 ： DDR SDRAM的
WE＃ ： DDR SDRAM的
时钟布线
时钟
输入
CK0/CK0#
CK1/CK1#
CK2/CK2#
SDRAM的
4 SDRAM的
4 SDRAM的
NC
*时钟网络布线
DDR SDRAM的
DDR SDRAM的
R = 120欧姆
V
CCSPD
V
CC
/V
CCQ
V
REF
V
SS
SPD
DDR SDRAM
DDR SDRAM
DDR SDRAM
串行PD
SCL
WP
A0 A1 A2
SA0 SA1 SA2
CK0/1/2
CK0/1/2#
卡
EDGE
DDR SDRAM的
SDA
DDR SDRAM的
注：所有电阻值是22 ohmes ，除非另有规定ED 。
注意事项：
1. DQ到I / O接线被示为推荐，但也可以改变。
2. DQ / DQS / DM / CKE / CS的关系必须保持，如图所示。
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怀特电子设计
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
和V
CCQ
供应相对于V
SS
储存温度
工作温度
功耗
短路输出电流
WV3EG232M64STSU-D4
初步
绝对最大额定值
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC,
V
CCQ
T
英镑
T
A
P
D
I
OS
价值
-0.5 ~ 3.6
-0.5 ~ 3.6
-55 ~ +150
0 ~ 70
8
50
单位
V
V
°C
°C
W
mA
注意事项：
如果绝对最大额定值超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
DC特性
0°C
≤
T
A
≤
70℃ ，V
CC
= 2.5V ± 0.2V
符号
V
CC
V
CCQ
V
REF
V
TT
V
IH
（DC）的
V
IL
（DC）的
V
IN
（DC）的
V
ID
（DC）的
V
IX
（DC）的
地址， CAS＃ ，
RAS ＃ ， WE＃
CS ＃ ， CKE
CK ， CK ＃
DM
参数
电源电压DDR266 / DDR333 （标称V
CC
2.5V的）
I / O电源电压DDR266 / DDR333 （标称V
CC
2.5V的）
I / O参考电压
I / O终端电压
输入逻辑高电压
输入逻辑低电压
输入电压电平， CK和CK ＃
输入差分电压， CK和CK ＃
输入交叉点电压， CK和CK ＃
民
2.3
2.3
0.49*V
CCQ
V
REF
-0.04
V
REF
+0.15
-0.3
-0.3
0.3
0.3
-40
-20
-20
-10
-10
-16.8
16.8
-9
9
最大
2.7
2.7
0.51*V
CCQ
V
REF
+0.04
V
CCQ
+0.30
V
REF
-0.15
V
CCQ
+0.30
V
CCQ
+0.60
V
CCQ
+0.60
40
20
20
10
10
—
—
—
—
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
uA
uA
uA
uA
uA
mA
mA
mA
mA
记
1
2
3
输入漏电流
I
I
输出漏电流
高输出电流（正常strengh ） ; V
OUT
= V +0.84V
高输出电流（正常strengh ） ; V
OUT
= V
TT
-0.84V
高输出电流（半strengh ） ; V
OUT
= V
TT
+0.45V
高输出电流（半strengh ） ; V
OUT
= V
TT
-0.45V
I
OZ
I
OH
I
OL
I
OH
I
OL
基于
南亚
组件。
注意事项：
1. V
REF
预计是等于0.5 * V
CCQ
发送设备的，并跟踪变化的相同的DC电平。峰到峰的V噪音
REF
不得超过直流±2％
价值
2. V
TT
不直接向设备施加。 V
TT
是预期的系统供给的信号终止电阻器，被设置等于V
REF
的，必须跟踪变化为V的DC电平
REF
3. V
ID
是在CK上的输入电平，并在CK＃的输入电平之间的差的量值。
电容
V
CC
= 2.5V, V
CCQ
= 2.5V ，T
A
= 25 ° C，F = 1MHz的
参数
输入电容（ A0 - A12 ， BA0 - BA1 ， RAS ＃ ， CAS ＃ ， WE＃ ）
输入电容（ CKE0 ， CKE1 ）
输入电容（ CS0 ＃ ， CS1 ＃ ）
输入电容（ CK0 ， CK0 ＃ ， CK1 ， CK1 ＃ ）
输入电容（ DM0 - DM7 ）
数据和DQS输入/输出电容（ DQ0 - DQ63 ） ， CB0-7
基于
南亚
组件。
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符号
C
IN1
C
IN2
C
IN3
C
IN4
C
IN5
C
OUT
民
21
13
13
13
13
13
最大
29
17
17
17
15
15
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
怀特电子设计
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
和V
CCQ
供应相对于V
SS
储存温度
工作温度
功耗
短路输出电流
WV3EG232M64STSU-D4
初步
绝对最大额定值
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC,
V
CCQ
T
英镑
T
A
P
D
I
OS
价值
-0.5 ~ 3.6
-0.5 ~ 3.6
-55 ~ +150
0 ~ 70
8
50
单位
V
V
°C
°C
W
mA
注意事项：
如果绝对最大额定值超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
DC特性
-40°C
≤
T
A
≤
85°C
参数
电源电压DDR266 / DDR333 （标称V
CC
2.5V的）
I / O电源电压DDR266 / DDR333 （标称V
CC
2.5V的）
I / O参考电压
I / O终端电压
输入逻辑高电压
输入逻辑低电压
输入电压电平， CK和CK ＃
输入差分电压， CK和CK ＃
输入交叉点电压， CK和CK ＃
地址， CAS＃ ，
RAS ＃ ， WE＃
CS ＃ ， CKE
CK ， CK ＃
DM
符号
V
CC
V
CCQ
V
REF
V
TT
V
IH
（DC）的
V
IL
（DC）的
V
IN
（DC）的
V
ID
（DC）的
V
IX
（DC）的
民
2.3
2.3
0.49*V
CCQ
V
REF
-0.04
V
REF
+0.15
-0.3
-0.3
0.3
0.3
-16
-8
-8
-4
-10
-16.8
16.8
-9
9
最大
2.7
2.7
0.51*V
CCQ
V
REF
+0.04
V
CCQ
+0.30
V
REF
-0.15
V
CCQ
+0.30
V
CCQ
+0.60
V
CCQ
+0.60
16
8
8
4
10
—
—
—
—
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
uA
uA
uA
uA
uA
mA
mA
mA
mA
记
1
2
3
输入漏电流
I
I
输出漏电流
高输出电流（正常strengh ） ; V
OUT
= V +0.84V
高输出电流（正常strengh ） ; V
OUT
= V
TT
-0.84V
高输出电流（半strengh ） ; V
OUT
= V
TT
+0.45V
高输出电流（半strengh ） ; V
OUT
= V
TT
-0.45V
I
OZ
I
OH
I
OL
I
OH
I
OL
基于
三星
组件。
注意事项：
1. V
REF
预计是等于0.5 * V
CCQ
发送设备的，并跟踪变化的相同的DC电平。峰到峰的V噪音
REF
不得超过直流±2％
价值
2. V
TT
不直接向设备施加。 V
TT
是预期的系统供给的信号终止电阻器，被设置等于V
REF
的，必须跟踪变化为V的DC电平
REF
3. V
ID
是在CK上的输入电平，并在CK＃的输入电平之间的差的量值。
电容
T
A
= 25 ° C，F = 100MHz的
参数
输入电容（ A0 - A12 ， BA0 - BA1 ， RAS ＃ ， CAS ＃ ， WE＃ ）
输入电容（ CKE0 ， CKE1 ）
输入电容（ CS0 ＃ ， CS1 ＃ ）
输入电容（ CK0 ， CK0 ＃ ， CK1 ， CK1 ＃ ）
输入电容（ DM0 - DM7 ） ， （ DQS0 - DQS7 ）
输入电容（ DQ0 - DQ63 ）
基于
三星
组件。
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5
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
符号
C
IN1
C
IN2
C
IN3
C
IN4
C
IN5
C
OUT1
民
20
12
12
12
12
12
最大
28
16
16
16
14
14
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
QQ：2880707522 复制
