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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符W型号页 > 首字符W的型号第39页 > WV3EG232M64EFSU265D4MG
怀特电子设计
WV3EG232M64EFSU-D4
高级*
512MB - 2x32Mx64 DDR SDRAM ，无缓冲，W / PLL ， FBGA
特点
快速的数据传输速率： PC- 2100和PC -2700
133 MHz和166 MHz的时钟速度
每个时钟周期2的数据传输
支持ECC错误检测和校正
双向数据选通（ DQS）
差分时钟输入（ CK & CK ＃ ）
可编程读取延迟2和2.5 （时钟）
可编程的突发长度（ 2 ， 4或8 ）
可编程突发类型（顺序&交错）
边沿对齐的数据输出，居中对齐数据输入
自动和自刷新
串行存在检测（ SPD ）与EEPROM
双列
电源： V
CC
= V
CCQ
= + 2.5V ± 0.2V （ 133
166MHz)
金缘接触
200引脚小外形， SO -DIMM封装
PCB高度选项：
31.75 mm (1.25”)
注：可用性咨询工厂：
符合RoHS标准的产品
供应商源控制选项
工业温度选项
*本产品正在开发中，是不是对外贸易资质网络编辑或特点，并须
更改或取消，恕不另行通知。
描述
该WV3EG232M64EFSU是2x32Mx64双数据
基于256Mb的DDR SDRAM速度的内存模块
SDRAM组件。该模块由16
在FBGA封装32Mx8 4银行的DDR SDRAM
装一个200引脚的FR4基板上。
同步设计允许与精确的周期控制
使用系统时钟。数据I / O事务是可能的
两边缘和突发长度允许在同一个设备要
对于各种高带宽是有用的，高性能
存储器系统的应用程序。
工作频率
DDR333@CL=2.5
时钟速度
CL -T
RCD
-t
RP
166MHz
2.5-3-3
DDR266@CL=2
133MHz
2-2-2
DDR266@CL=2.5
133MHz
2.5-3-3
2005年4月
第0版
1
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
怀特电子设计
引脚配置
PIN ＃符号PIN ＃号PIN ＃号PIN ＃符号
51
V
SS
101
A9
151
DQ42
1
V
REF
2
V
REF
52
V
SS
102
A8
152
DQ46
53
DQ19
103
V
SS
153
DQ43
3
V
SS
4
V
SS
54
DQ23
104
V
SS
154
DQ47
5
DQ0
55
DQ24
105
A7
155
V
CC
6
DQ4
56
DQ28
106
A6
156
V
CC
7
DQ1
57
V
CC
107
A5
157
V
CC
8
DQ5
58
V
CC
108
A4
158
*CK1#
9
V
CC
59
DQ25
109
A3
159
V
SS
10
V
CC
60
DQ29
110
A2
160
*CK1
11
DQS0
61
DQS3
111
A1
161
V
SS
12
DM0
62
DM3
112
A0
162
V
SS
13
DQ2
63
V
SS
113
V
CC
163
DQ48
14
DQ6
64
V
SS
114
V
CC
164
DQ52
65
DQ26
115
A10/AP
165
DQ49
15
V
SS
16
V
SS
66
DQ30
116
BA1
166
DQ53
17
DQ3
67
DQ27
117
BA0
167
V
CC
18
DQ7
68
DQ31
118
RAS ＃
168
V
CC
19
DQ8
69
V
CC
119
WE＃
169
DQS6
20
DQ12
70
V
CC
120
CAS ＃
170
DM6
21
V
CC
71
NC
121
CS0#
171
DQ50
22
V
CC
72
NC
122
CS1#
172
DQ54
23
DQ9
73
NC
123
NC
173
V
SS
24
DQ13
74
NC
124
NC
174
V
SS
25
DQS1
75
V
SS
125
V
SS
175
DQ51
26
DM1
76
V
SS
126
V
SS
176
DQ55
27
V
SS
77
DNU
127
DQ32
177
DQ56
78
DNU
128
DQ36
178
DQ60
28
V
SS
29
DQ10
79
NC
129
DQ33
179
V
CC
30
DQ14
80
NC
130
DQ37
180
V
CC
31
DQ11
81
V
CC
131
V
CC
181
DQ57
32
DQ15
82
V
CC
132
V
CC
182
DQ61
83
NC
133
DQS4
183
DQS7
33
V
CC
34
V
CC
84
NC
134
DM4
184
DM7
35
CK0
85
NC
135
DQ34
185
V
SS
36
V
CC
86
NC
136
DQ38
186
V
SS
37
CK0#
87
V
SS
137
V
SS
187
DQ58
38
V
SS
88
V
SS
138
V
SS
188
DQ62
39
V
SS
89
CK2*
139
DQ35
189
DQ59
40
V
SS
90
V
SS
140
DQ39
190
DQ63
41
DQ16
91
CK2#*
141
DQ40
191
V
CC
42
DQ20
92
V
CC*
142
DQ44
192
V
CC
43
DQ17
93
V
CC
143
V
CC
193
SDA
44
DQ21
94
V
CC
144
V
CC
194
SA0
45
V
CC
95
CKE1
145
DQ41
195
SCL
46
V
CC
96
CKE0
146
DQ45
196
SA1
47
DQS2
97
NC
147
DQS5
197
V
CCSPD
48
DM2
98
NC
148
DM5
198
SA2
49
DQ18
99
A12
149
V
SS
199
NC
50
DQ22
100
A11
150
V
SS
200
NC
WV3EG232M64EFSU-D4
先进
引脚名称
符号
A0-A12
BA0 ， BA1
DQ0-DQ63
CK0 ， CK0 ＃
CKE0-CKE1
CS0#-CS1#
WE＃ ， CAS＃ ， RAS ＃
DQS0-DQS7
DM0-DM7
V
CC
V
CCQ
V
CCSPD
V
REF
V
SS
SCL
SA0-SA2
V
赛迪
SDA
NC
DNU
RESET＃
描述
地址输入
银行地址
输入/输出：数据的I / O ，数据总线
时钟输入
时钟使能输入
片选输入
命令输入
数据选通
数据写入面膜
供应：电源： + 2.5V ± 0.2V
电源的DQS
供应：串行EEPROM正
电源
供应： SSTL_2参考电压
供应：地面
串行时钟
设备检测地址输入
V
CC
Identi科幻阳离子标志
输入/输出：串行存在侦测
数据
无连接
不要使用
复位使能
*这些引脚没有这个模块中使用。
2005年4月
第0版
2
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
怀特电子设计
WV3EG232M64EFSU-D4
先进
功能框图
CS1 ＃ CKE1
CS0 ＃ CKE0
DQS0
DM0
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQS1
DM1
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQS2
DM2
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQS2
DM2
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DQS S0 ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
DQS S0 ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
DQS S0 ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
DQS S0 ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
DQS S0 ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
DQS S0 ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
DQS S0 ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
DQS S0 ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
DQS4
DM4
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQS5
DM5
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DQS6
DM6
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DQS7
DM7
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
DQS S0 ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
DQS S0 ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
DQS S0 ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
DQS S0 ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
DQS S0 ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
DQS S0 ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
DQS S0 ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
DQS S0 ＃
DM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
BA0 ， BA1
A0-A12
RAS ＃
CAS ＃
WE＃
V
CCSPD
V
CC
V
REF
V
SS
BA0 ， BA1 ： DDR SDRAM的
A0 - A12 ： DDR SDRAM的
RAS ＃ ： DDR SDRAM的
CAS ＃ ： DDR SDRAM的
WE＃ ： DDR SDRAM的
SPD
DDR SDRAM的
DDR SDRAM的
DDR SDRAM的
CK0
CK0#
串行PD
SCL
WP
SDA
A0
A1
A2
SA0 SA1 SA2
PLL
DDR SDRAM
DDR SDRAM
DDR SDRAM
DDR SDRAM
注： 1，所有的电阻值是22 Ω ，除非另有规定ED 。
2005年4月
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3
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怀特电子设计
WV3EG232M64EFSU-D4
先进
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在V电压
CC
供应相对于VSS
在V电压
CCQ
供应相对于VSS
储存温度
功耗
短路电流
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
V
CCQ
T
英镑
P
D
I
OS
价值
-0.5 ~ 3.6
-1.0 ~ 3.6
-0.5 ~ 3.6
-55 ~ +150
16
50
单位
V
V
V
°C
W
mA
注意：如果绝对最大额定值超出可能出现永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
直流工作条件
T
A
= 0℃至70 ℃的
参数
电源电压（为设备标称V
CC
2.5V的）
I / O电源电压
I / O参考电压
I / O端子电压（系统）
输入逻辑高电压
输入逻辑低电压
输入电压电平， CK和CK ＃输入
输入差分电压， CK和CK ＃输入
输入交叉点电压， CK和CK ＃输入
输入漏电流
输出漏电流
输出高电流（普通strengh驱动程序） ; V
OUT
= V
TT
+ 0.84V
输出高电流（普通strengh驱动程序） ; V
OUT
= V
TT
- 0.84V
输出高电流（半strengh驱动程序） ; V
OUT
= V
TT
+ 0.45V
输出高电流（半strengh驱动程序） ; V
OUT
= V
TT
- 0.45V
符号
V
CC
V
CCQ
V
REF
V
TT
V
IH
（DC）的
V
IL
（DC）的
V
IN
（DC）的
V
ID
（DC）的
V
IX
（DC）的
I
I
I
OZ
I
OH
I
OL
I
OH
I
OL
民
2.3
2.3
V
CCQ
/2-50mV
V
REF
-0.04
V
REF
+0.15
-0.3
-0.3
0.3
1.15
-2
-5
-16.8
16.8
-9
9
最大
2.7
2.7
V
CCQ
/2+50mV
V
REF
+0.04
V
CCQ
+0.3
V
REF
-0.15
V
CCQ
+0.3
V
CCQ
+0.6
1.35
2
5
单位
v
V
V
V
V
V
V
V
V
uA
uA
mA
mA
mA
mA
记
1
2
4
4
3
5
注意事项：
1.包括± 25mV的利润率V的直流偏置
REF
和总和为± 50mV的保证金为所有AC噪声和直流偏移的V
REF
带宽限制到20MHz 。在DRAM必须
容纳V DRAM的电流尖峰
REF
并连接到V内部DRAM噪音
REF
这两者都可能导致V
REF
噪声。 V
REF
应失配上≤ 3NH的电感。
2. V
TT
不直接向设备施加。 V
TT
是预期的系统供给的信号终止电阻器，被设置等于V
REF
的，必须跟踪变化为V的DC电平
REF
.
3. V
ID
是在CK上的输入电平，并在CK＃的输入电平之间的差的量值。
4.这些参数应在实际组件的引脚进行测试，并且可以在任一销或在模拟垫进行检查。交流和直流输入特定网络阳离子相对
到V
REF
包裹已带宽限制为200MHZ 。
5 V的值
IX
预计相当于0.5 * V
CCQ
发送设备的，并且必须跟踪变化的相同的DC电平。
电容
V
CC
= 2.5, V
CCQ
= 2.5V ，T
A
= 25°C ， F = 1MHz的
参数
输入电容（ A0 A12 ， BA0 BA1 ， RAS ＃ ， CAS ＃ ， WE＃ ）
输入电容（ CKE0 ， CKE1 ）
输入电容（ CS0 ＃ ， CS1 ＃ ）
输入电容（ CK0 ， CK0 ＃ ）
输入电容（ DM0 DM7 ）
数据& DQS输入/输出电容（ DQ0 DQ63 ）
2005年4月
第0版
符号
C
IN1
C
IN2
C
IN3
C
IN4
C
IN5
C
OUT1
4
民
38
38
36
36
12
12
最大
47
47
44
40
14
14
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
怀特电子设计公司 （ 602 ） 437-1520 www.wedc.com
怀特电子设计
0 ° C≤牛逼
A
≤ + 70°C ; V
CC
, V
CCQ
= +2.5V ±0.2V
WV3EG232M64EFSU-D4
先进
I
DD
规格和条件
最大
参数/条件
工作电流 - 一家银行主动预充电;吨
RC
= t
RC
（分钟） ;吨
CK
= 100Mhz的为DDR200 ，
133MHz的的DDR266A & DDR266B ; DQ ， DM和DQS输入每个时钟周期改变的两倍;
地址和控制输入，每个时钟周期改变一次
工作电流 - 一家银行的操作;一家银行开放， BL = 4 ，读取 - 请参阅以下
详细的测试条件页
Percharge掉电待机电流;所有银行闲置;掉电模式; CKE ≤ V
IL
（MAX） ;吨
CK
= 100Mhz的为DDR200 ， 133Mhz的为DDR266A & DDR266B ; V
IN
= V
REF
针对DQ ， DQS和DM
预充电浮动待机电流; CS ＃ ≥ V
IH
（分钟） ;所有的银行闲置; CKE ≥ V
IH
（分钟） ;吨
CK
=
为100Mhz的DDR200 ， 133Mhz的为DDR266A & DDR266B ;地址和其它控制输入
每个时钟周期改变一次; V
IN
= V
REF
针对DQ ， DQS和DM
预充电静音待机电流; CS ＃ ≥ V
IH
（分钟） ;所有银行闲置; CKE ≥ V
IH
（分钟） ;吨
CK
= 100MHz的
为DDR200 ， 133Mhz的为DDR266A & DDR266B ;地址和其它控制输入与稳定
保持≥ V
IH
（分钟）或≤ V
IL
（MAX） ; V
IN
= V
REF
针对DQ ， DQS和DM
有功功率 - 下待机电流;一家银行主动;掉电模式; CKE ≤ VIL （最大值） ;
t
CK
= 100Mhz的为DDR200 ， 133Mhz的为DDR266A & DDR266B ; V
IN
= V
REF
针对DQ ， DQS和DM
当前待机电流; CS ＃ ≥ V
IH
（分钟） ; CKE ≥ V
IH
（分钟） ;一家银行主动;主动 - 预充电;
t
RC
= t
RAS
（MAX） ;吨
CK
= 100Mhz的为DDR200 ， 133Mhz的为DDR266A & DDR266B ; DQ ， DQS和
DM输入每个时钟周期改变的两倍;地址和其它控制输入改变每一次
时钟周期
工作电流 - 突发读取;突发长度= 2 ;读取; continguous爆裂;一家银行主动;
地址和控制输入，每个时钟周期改变一次; CL = 2在t
CK
= 100Mhz的为DDR200 ，
CL = 2在t
CK
= 133Mhz的为DDR266A ， CL = 2.5在t
CK
= 133Mhz的为DDR266B ;数据的50％的
改变在每一个突发的;升
OUT
= 0毫安
工作电流 - 突发写入;突发长度= 2 ;写;连拍;一个活跃的银行
地址和控制输入，每个时钟周期改变一次; CL = 2在t
CK
= 100Mhz的为DDR200 ，
CL = 2在t
CK
= 133Mhz的为DDR266A ， CL = 2.5在t
CK
= 133Mhz的为DDR266B ; DQ ， DM和
DQS的输入变化的两倍，每个时钟周期，输入数据的50％的变化，在每个脉冲串
自动刷新电流;吨
RC
= t
RFC
（分钟） - 8 * T
CK
对于DDR200在100MHz ， 10 * T
CK
对于DDR266A &
DDR266B在133Mhz的;分布式刷新
自刷新电流; CKE ≤ 0.2V ;外部时钟应该是;吨
CK
= 100Mhz的为DDR200 ，
133MHz的的DDR266A & DDR266B
Orerating电流 - 四大银行的操作;四大银行， BL = 4的交织
- 请参阅以下页面进行详细的测试条件
符号
I
DD0
DDR333
@CL=2.5
1160
DDR266
@CL=2
1000
DDR266
@CL=2.5
1000
单位
mA
I
DD1
I
DD2P
I
DD2F
1360
48
400
1200
48
320
1200
48
320
mA
mA
mA
I
DD2Q
320
290
290
mA
I
DD3P
I
DD3N
560
880
480
720
480
720
mA
mA
I
DD4R
1720
1480
1480
mA
I
DD4W
1720
1440
1440
mA
I
DD5
I
DD6
I
DD7A
1800
48
2680
1640
48
2360
1640
48
2360
mA
mA
mA
注：我
DD
特定网络阳离子是基于三星的组件。其它DRAM制造商特定网络连接的阳离子可以是不同的。
2005年4月
第0版
5
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