怀特电子设计
WV3DG7266V-D1
初步*
512MB - 2x32Mx72 SDRAM ，无缓冲，W / PLL
特点
PC100和PC133
突发模式工作
自动和自刷新功能
LVTTL兼容的输入和输出
串行存在检测与EEPROM
完全同步：所有信号都登记在
在系统时钟的上升沿
可编程突发长度：1， 2 ，4，8或全
页面
3.3V ± 0.3V电源
双列
144针SO-DIMM的JEDEC
PCB ： 31.75毫米（ 1.25“ ）
*本产品正在开发中，是不是对外贸易资质网络编辑或特点，并须
更改，恕不另行通知。
注：可用性咨询工厂：
符合RoHS标准的产品
供应商源控制选项
工业温度选项
描述
该WV3DG7266V是2x32Mx72同步DRAM
模块，它由九叠64Mx8与4银行
SDRAM组件中的TSOP II封装，以及一个2Kb的
检测其安装EEPROM的串行设备
上一个144针SO-DIMM多层FR4基板上。
引脚名称
引脚配置（正面/背面）
引脚
销前销
1
V
SS
2
3
DQ0
4
5
DQ1
6
7
DQ2
8
9
DQ3
10
11
V
CC
12
13
DQ4
14
15
DQ5
16
17
DQ6
18
19
DQ7
20
21
V
SS
22
23 DQM0 24
25 DQM1 26
27
V
CC
28
29
A0
30
31
A1
32
33
A2
34
35
V
SS
36
37
DQ8
38
39
DQ9
40
41
DQ10
42
43
DQ11
44
45
V
CC
46
47
DQ12
48
2005年8月
第1版
后
V
SS
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
V
CC
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
V
SS
DQM4
DQM5
V
CC
A3
A4
A5
V
SS
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
V
CC
DQ44
销前销
49
DQ13
50
51
DQ14
52
53
DQ15
54
55
V
SS
56
57
CB0
58
59
CB1
60
61
CLK0
62
63
V
CC
64
65
RAS ＃
66
67
WE＃
68
69
CS0#
70
71 CS1 ＃ * 72
73
NC
74
75
V
SS
76
77
CB2
78
79
CB3
80
81
V
CC
82
83
DQ16
84
85
DQ17
86
87
DQ18
88
89
DQ19
90
91
V
SS
92
93
DQ20
94
95
DQ21
96
后
DQ45
DQ46
DQ47
V
SS
CB4
CB5
CKE0
V
CC
CAS ＃
CKE1
A12
NC
CLK1
V
SS
CB6
CB7
V
CC
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
V
SS
DQ52
DQ53
销前销
97
DQ22
98
99
DQ23 100
101
V
CC
102
103
A6
104
105
A8
106
107
V
SS
108
109
A9
110
111
A10
112
113
V
CC
114
115 DQM2 116
117 DQM3 118
119
V
SS
120
121 DQ24 122
123 DQ25 124
125 DQ26 126
127 DQ27 128
129
V
CC
130
131 DQ28 132
133 DQ29 134
135 DQ30 136
137 DQ31 138
139
V
SS
140
141
SDA 142
143
V
CC
144
1
后
DQ54
DQ55
V
CC
A7
BA0
V
SS
BA1
A11
V
CC
DQM6
DQM7
V
SS
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
V
CC
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
V
SS
SCL
V
CC
A0 – A12
BA0-1
DQ0-63
CLK0 ， CLK1
CB0-7
CKE0
CS0 ＃ ， CS1 ＃
RAS ＃
CAS ＃
WE＃
DQM0-7
V
CC
V
SS
SDA
SCL
DNU
NC
地址输入（复用）
选择银行
数据输入/输出
时钟输入
校验位（数据输入/数据输出）
时钟使能输入
片选输入
行地址选通
列地址选通
#Write启用
DQM
电源（ 3.3V ）
地
串行数据I / O
串行时钟
不要使用
无连接
*这些引脚没有这个模块中使用
**这些引脚应该是NC在做系统
不支持SPD 。
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怀特电子设计
功能框图
CS1#
CS0#
DQM0
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQM1
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
CS ＃
DQM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
CS ＃
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DQM6
CB0
CB1
CB2
CB3
CB4
CB5
CB6
CB7
DQM2
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQM3
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
A0-A12
BA0-BA1
RAS ＃
CAS ＃
CKE0
WE＃
CS0#
CS1#
V
CC
DQM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
CS ＃
DQM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
A0 - A12 ： SDRAM
BA0 - BA1 ： SDRAM
RAS ＃ ： SDRAM
CAS ＃ ： SDRAM
CKE0 ： SDRAM
WE＃ ： SDRAM
CS0 ＃ ： SDRAM
CS1 ＃ ： SDRAM
SDRAM
10
V
SS
SDRAM
按每个SDRAM两个0.1uF的电容
DQN
WV3DG7266V-D1
初步
DQM4
DQM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
CS ＃
DQM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
CS ＃
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQM5
DQM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
CS ＃
DQM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
CS ＃
DQM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
CS ＃
DQM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
CS ＃
DQM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
CS ＃
DQM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
CS ＃
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DQM7
DQM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
CS ＃
DQM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
CS ＃
DQM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
CS ＃
DQM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
CS ＃
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
DQM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
CS ＃
DQM
I / O 0
I / O 1
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
I / O 6
I / O 7
CS ＃
CS ＃
10
CLK0
12pF
PLL时钟
司机
10pF
CK0
10
CLK1
10pF
串行PD
SCL
SDA
A0 A1
A2
SDRAM的每个DQpin
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第1版
2
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绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
储存温度
功耗
短路电流
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
, V
CCQ
T
英镑
P
D
I
OS
价值
-1.0 ~ 4.6
-1.0 ~ 4.6
WV3DG7266V-D1
初步
单位
V
V
°C
W
mA
-55 ~ +150
18
50
注：如果“绝对最大额定值”超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
建议的直流工作条件
电压参考： V
SS
= 0V ， 0℃下
≤
T
A
≤
+70°C
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
符号
V
CC
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
民
3.0
2.0
-0.3
2.4
—
-10
典型值
3.3
3.0
—
—
—
—
最大
3.6
V
CCQ
+0.3
0.8
—
0.4
10
单位
V
V
V
V
V
A
1
2
I
OH
= -2mA
I
OL
= -2mA
3
记
注意事项：
1. V
IH
（最大）= 5.6伏交流电。过冲电压持续时间≤ 3纳秒。
2. V
IL
（分钟） = -2.0V交流。下冲电压持续时间≤ 3纳秒。
3.任何输入0V ≤ V
IN
≤ V
CCQ
输入漏电流包括高阻输出漏所有双向缓冲器，三态输出。
电容
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时， V
CC
= 3.3V, V
REF
= 1.4V
±
200mV
参数
输入电容（ A0 - A12 ）
输入电容（ RAS ＃ ， CAS ＃ ， WE＃ ）
输入电容（ CKE0 ）
输入电容（ CLK0 ）
输入电容（ CS0 ＃ ， CS1 ＃ ）
输入电容（ DQM0 - DQM7 ）
输入电容（ BA0 - BA1 ）
数据输入/输出电容（ DQ0 - DQ63 ）
数据输入/输出电容（ CB0-7 ）
2005年8月
第1版
符号
C
IN1
C
IN2
C
IN3
C
IN4
C
IN5
C
IN6
C
IN7
C
OUT
C
OUT1
最大
95
95
95
18
50
10
95
16
16
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
3
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工作电流特性
(V
CC
= 3.3V ，T
A
= 0°C
≤
+70°C)
WV3DG7266V-D1
初步
价值
参数
符号
突发长度= 1
t
RC
≥
t
RC
（分钟）
I
O
= 0毫安
CKE
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
= 10ns的
CKE & CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CS ＃
≥
V
IH
（分钟） ， TCC = 10ns的
输入信号时为20ns充电一次
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CLK
≥V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
输入信号是稳定的
CKE
≥
V
IL
（最大值），叔
CC
= 10ns的
CKE & CLK
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
=
∞
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CS ＃
≥
V
IH
（分钟） ， TCC = 10ns的输入
信号在20ns的一次改变
CKE
≤
V
IH
（分钟） ， CLK
≤
V
IL
（最大值） ， TCC =
∞
输入信号是稳定的
IO =毫安
第一阵
4银行启动
t
CCD
= 2CLK
t
RC
≥
t
RC
（分钟）
CKE
≤
0.2V
条件
7
工作电流
（一银行活动）
预充电待机电流在
掉电模式
I
CC1
I
CC2P
I
CC2PS
ICC
2N
预充电待机电流在
非掉电模式
I
CC2NS
在活动待机电流
掉电模式
I
CC3P
I
CC3PS
I
CC3N
在活动待机电流
非掉电模式
I
CC3NS
1170
75
1080
36
mA
36
360
mA
180
108
mA
108
540
450
mA
mA
3
3
3
3
3
10
1080
mA
1
单位
记
工作电流（突发模式）
I
CC4
1260
1260
1170
mA
1
刷新当前
自刷新电流
注意事项：
1.测量与产出开放。
2.刷新周期是64毫秒。
3.测量与1 PLL & 3驱动器集成电路。
I
CC5
I
CC6
2250
2070
54
1980
mA
mA
2
3
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第1版
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AC运行试验条件
V
CC
= 3.3V ， 0 °C - 70℃
参数
交流输入电平（V
IH
/V
IL
)
输入定时测量参考电平
输入上升和下降时间
输出定时测量参考电平
输出负载条件
价值
2.4/0.4
1.4
t
R
/t
F
= 1/1
1.4
SEE图。 2
WV3DG7266V-D1
初步
单位
V
V
ns
V
DC输出负载电路
AC输出负载电路
3.3V
VTT = 1.4V
1200
产量
870
50pF
V
OH
（DC ）= 2.4V时，我
OH
= -2mA
V
OL
（ DC ）= 0.4V时，我
OL
= 2毫安
50
产量
Z0 = 50
50pF
经营AC参数
参数
行有效至行主动延迟
RAS ＃到CAS ＃延迟
行预充电时间
行活动时间
行周期时间
在过去的数据来行预充电
到主动延迟的最后一个数据
最后的数据到新的关口。地址的延迟
在最后的数据以突发停止
上校地址上校地址的延迟
的有效输出数据的数量
符号
t
RRD （分钟）
t
RCD （分钟）
t
RP （分钟）
t
RAS （分钟）
t
RAS （最大）
t
RC （分钟）
t
RDL （分钟）
t
DAL （分钟）
t
CDL （分钟）
t
BDL （分钟）
t
的CCD （分钟）
CAS延时= 3
CAS延时= 2
7
15
15
15
45
60
VERSION
75
15
20
20
45
100
65
2
2 CLK + tRP的
1
1
1
2
1
单位
10
20
20
20
50
70
ns
ns
ns
ns
us
ns
CLK
—
CLK
CLK
CLK
ea
记
1
1
1
1
1
2
2
2
3
4
注意事项：
1.时钟周期的最小数目是通过分割与时钟周期时间需要的最短时间，然后四舍五入到下一个较大整数来确定。
2.最小的延迟才能完成写操作。
3.所有部件，使每一个周期的列地址的变化。
4.如遇行预充电中断，自动预充电和读取突发停止。
2005年8月
第1版
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