WTM772
WTM882
PNP / NPN外延平面晶体管
SOT-89
1
1.基地
2.收集
3.辐射源
2
3
绝对最大额定值（TA = 25℃ ）
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
(1)
基极电流
器件总耗散T
A
=25 C
(2)
器件总功耗TC = 25℃
(3)
结温
存储温度
符号
VCEO
VCBO
VEBO
集成电路（DC）的
IC （脉冲）
I B （脉冲）
PD
PD
Tj
TSTG
PNP / NPN WTM772 / WTM882
30
-30
-40
40
-5.0
5.0
3.0
-3.0
-7.0
-0.6
0.5
4
150
-55到+150
7.0
0.6
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
ADC
W
W
C
C
器件标识
WTM772 = B772 ， WTM882 = D882
电气特性
特征
集电极 - 发射极击穿电压（ IC = -10/10 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压（ IC = -100/100 uAdc ， IE = 0 ）
发射极 - 基极击穿电压（IE = -100/100 uAdc ， IC = 0 ）
集电极截止电流（ VCE = -30/30伏， IB = 0 ）
集电极截止电流（ VCB = -40/40伏， IE = 0 ）
发射极截止电流（ VEB = -6.0 / 6.0VDC ， I C = 0 ）
注： 1.脉冲测试： PW 350us ，占空比2 ％
2.经过测试，在自由空气条件下，没有散热片。
3.安装在40 40 1毫米Cerami研究委员会。
_
_
_
_
符号
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
ICE0
ICBO
IEBO
民
-30/30
-40/40
-5.0/5.0
-
-
-
最大
-
-
-
-1.0/1.0
-1.0/1.0
-1.0/1.0
单位
VDC
VDC
VDC
uAdc
uAdc
uAdc
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
WTM772
WTM882
电气特性
（ TA = 25℃除非另有说明） （ Countinued ）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
直流电流增益
（ IC = -1.0 / 1.0 ADC ， VCE = -2.0 / 2.0Vdc ）
直流电流增益
（ IC = -100/100 MADC ， VCE = -2.0 / 2.0伏）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = -2.0 / 2.0 ADC ， IB = -0.2 / 0.2mAdc ）
基射极饱和电压
（ IC = -2.0 / 2.0 ADC ， IB = -0.2 / 0.2mAdc ）
电流增益带宽积
（ IC = -0.1 / 0.1 MADC ， VCE = -5.0 / 5.0伏， F = 10MHz时）
的hFE
(1)
的hFE
(2)
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
fT
60
32
-
-
-
-
-
-
-
400
-
-0.5/0.5
-2.0/2.0
-
-
VDC
VDC
80/90
-
兆赫
HFE分类（ 1 ）
秩
范围
R
60-120
O
100-200
Y
160-320
GR
200-400
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
WTM772
WTM882
F1 。总功率耗散VS.
环境温度
F.2降额曲线为所有类型
额定电流 - ％胸苷百分比
PT-总功耗-W
5
4
3
2
1
0
TA = 25℃
100
80
Tc
=2
5
C
S/
b
60
40
20
0
0
LIM
ITE
d
ti
pa
si
is
D
on
LIM
ITE
d
50
100
50
100
150
150
TA- Amient温度 - ℃，
TC，外壳温度（ ° C）
F4 。安全工作区
10
F3 。热阻VS.
脉冲宽度
4Rth热电阻 - C / W
°
30
10
-Ic ，集电极电流（ A）
V
CE
=10V
IC = 1.0A
Duty=0.001
PW
-
(
税
＆ LT ;
10 MS50 ％
)
P
周期
＆ LT ;
-
集成电路（最大） ，脉冲
集成电路（最大） ，直流
10
3
mS
1m
S
W
=1
00
1
1
0.1
0.3
0.03
0.01
记
1.锝= 25℃
2.曲线必须降低
线性增加
温度和占空比。
1
3
6
10
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
1000
30
最大VCEO
60
3
0.3
Di
s
L SIPA
(S
ING
imite化
d
le
no
nr
S / B
ep
升IM
ETI
TIV
ITE
ep
d
ü LS
e)
PW-脉冲宽度-MS
VCE集电极到发射极电压-V
S
1m
0.
us
100
F5 。集电极电流VS.收藏家
到发射极电压
-2.0
WTM772
WTM882
F6 。集电极电流VS.收藏家
到发射极电压
2.0
-Ic ，集电极电流（ A）
-Ic ，集电极电流（ A）
-1.6
-1.2
脉冲测试
IB=-10mA
IB=-9mA
IB=-8MA
IB=-7mA
IB=-6mA
IB=-5mA
IB=-4mA
IB=-3mA
IB=-2mA
IB=-1mA
0
脉冲测试
IB=10mA
IB=9mA
IB=8MA
IB=7mA
IB=6mA
IB=5mA
IB=4mA
IB=3mA
IB=2mA
IB=1mA
0
1.6
1.2
-0.8
0.8
-0.4
0.4
0
-4
-8
-12
-16
-20
0
v
CE -collector发射极电压（ V）
4
8
12
16
20
v
CE -collector发射极电压（ V）
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
WTM772
WTM882
V
CE （ SAT ）
-collector饱和电压（ V）
F8 。 V
CE （ SAT ）
, V
BE （ SAT ）
， -Ic
10
6
3
1
0.6
0.3
0.1
0.06
0.03
0.01
0.006
0.003
1000
600
的hFE ， -DC电流增益
WTM772
h
FE
V
CE
=2.0V
PUSE测试
V
BE （ SAT ）
-base饱和电压（ V）
F7.
h
FE
, V
BE
-I
300
100
60
30
10
6
3
1
0.001 0.003 0.01
V
BE
（SAT）
WTM772
WTM882
2
WTM88
t)
sa
V
BE
WTM772
WTM882
WTM772
V
C
E
(
M8
WT
82
0.03
0.1
0.3
1
3
10
0.001
0.003
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
IC集电极电流（A ）
IC集电极电流（A ）
F9. f
T
- I
c
f
T
- 获得带宽积（ MHZ ）
1000
F10 。
ob
-V
CB
, C
ib
-V
CE
COB-输出电容（P
F
)
CIB -输入电容（P
F
)
300
100
V
CE
=5.0V
Forecd空气
冷却
（带散热片）
300
100
60
30
WTM
882
WTM7
72
兴业银行
f=1.0MHz
I
E
=0(Cob)
I
C
=0(Cib)
WTM882
WTM772
WTM7
72
30
10
WTM
882
COB
10
6
3
3
1
0.01
1
3
6
10
30
60
0.03
0.1
0.3
1
V
CB
-collector基极电压（ V）
V
EB
发射极基极电压（ V）
IC集电极铜
rrent （ A）
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
WT772M
WT882M
SOT- 89外形尺寸
单位：mm
SOT-89
E
G
A
J
C
H
K
L
B
D
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
民
最大
1.600
1.400
0.520
0.320
0.560
0.360
0.440
0.350
4.600
4.400
1.800
1.400
2.600
2.300
4.250
3.940
1.500TYP
3.100
2.900
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
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